P型

作品数：1858被引量：2987H指数：18
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Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1433-1435,共3页叶志镇 林时胜 何海平 顾修全 陈凌翔 吕建国 黄靖云 朱丽萍 汪雷 张银珠 李先杭 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604906);国家自然科学基金(批准号:批准号:50532060)资助项目~~
在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推...
关键词：LED Na掺杂 P型ZNO ZnO/ZnMgO多量子阱 
P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计
《Journal of Semiconductors》2008年第4期785-788,共4页邓和清 林桂江 赖虹凯 李成 陈松岩 余金中 
国家自然科学基金(批准号:50672079;60336010;60676027);国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB613400)资助项目~~
提出p型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器(QWIP)结构,应用k.p方法计算应变Si/SiGe量子阱价带能带结构和应变SiGe合金空穴有效质量.结果表明量子阱中引入张应变使轻重空穴反转,基态为有效质量较小的轻空穴态,因此p型张应变Si/SiGe QWIP与n...
关键词：张应变 锗硅量子阱 红外探测器 
高温AlN模板上p型GaN的生长研究
《Journal of Semiconductors》2008年第1期128-132,共5页刘挺 邹泽亚 王振 赵红 赵文伯 罗木昌 周勋 杨晓波 廖秀英 
重庆市科技攻关计划资助项目(批准号:2005AA4006-B7)~~
利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN...
关键词：高温A1N 渐变δ掺杂 均匀掺杂 金属有机物化学气相沉积 P型GAN 
Al-N共掺p型Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜的性能被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第3期425-429,共5页简中祥 叶志镇 高国华 卢洋藩 赵炳辉 曾昱嘉 朱丽萍 
国家自然科学重点基金(批准号:50532060);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604906)资助项目
利用直流反应磁控溅射法,以N2O为N掺杂源,用Al-N共掺技术制备了p型Zn0.95Mg0.05O薄膜.用X射线衍射分析(XRD)、Hall测试仪和紫外可见(UV)透射谱等研究方法对其晶体结构、电学性能和禁带宽度进行分析.XRD分析结果表明,Zn0.95Mg0.05O薄膜...
关键词：ZNMGO P型掺杂 薄膜 
生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期275-278,共4页卢洋藩 叶志镇 曾昱嘉 徐伟中 朱丽萍 赵炳辉 
国家自然科学重点基金(批准号:50532060),国家自然科学基金(批准号:60340460439)和浙江省自然科学基金(批准号:Y405126)资助项目
研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.
关键词：ZNO P型掺杂 金属有机化学气相沉积 射频等离子体 
PLD法制备锑掺杂p型ZnO薄膜被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期279-281,共3页潘新花 叶志镇 朱丽萍 顾修全 何海平 
国家自然科学基金(批准号:50532060,60340460439)和浙江省自然科学基金(批准号:Y405126)资助项目
采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上生长了掺锑(Sb)的p型ZnO薄膜.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性,霍尔测试表明ZnO薄膜呈p型导电特性,XPS分析表明Sb掺入了ZnO薄膜,且Sb掺人ZnO中是占据Zn的位置,而不是O的晶格位置.通过...
关键词：脉冲激光沉积 p-ZnO 锑掺杂 
脉冲激光沉积法Li-N双受主共掺p型ZnO薄膜的生长及其特性
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期322-325,共4页张银珠 叶志镇 吕建国 何海平 顾修全 赵炳辉 
国家自然科学基金资助项目(批准号:50532060,50572095)
采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺p型ZnO薄膜的最低电阻率为3.99Ω·cm,迁移率为0.17cm2/(V·s),空穴浓度为9.12×1018cm-3.PL谱测试发现了...
关键词：Li-N双受主共掺杂 p-ZnO 脉冲激光沉积 
p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期372-375,共4页王彦杰 杨子文 廖辉 胡成余 潘尧波 杨志坚 章蓓 张国义 胡晓东 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60477011,60476028,60406007,60276010)
运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析...
关键词：P-GAN 传输线 镜像力 Ni/Au电极 
MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜被引量：5
《Journal of Semiconductors》2006年第1期91-95,共5页周新翠 叶志镇 陈福刚 徐伟中 缪燕 黄靖云 吕建国 朱丽萍 赵炳辉 
国家重点基础研究专项经费(批准号:G2000068306);国家自然科学基金(批准号:90201038)资助项目~~
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴...
关键词：p-ZnO 金属有机化学气相沉积 磷掺杂 
MOCVD法制备ZnO同质发光二极管被引量：10
《Journal of Semiconductors》2005年第11期2264-2266,共3页叶志镇 徐伟中 曾昱嘉 江柳 赵炳辉 朱丽萍 吕建国 黄靖云 汪雷 李先杭 
国家重点基础研究专项经费(批准号:G2000068306);国家自然科学基金(批准号:90201038);香港-大陆两地基金资助项目~~
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.
关键词：ZNO LED P型掺杂 金属有机化学气相沉积 
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