SOI结构

作品数：47被引量：52H指数：4
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一种新型半绝缘键合SOI结构被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1828-1831,共4页谭开洲 冯建 刘勇 徐世六 杨谟华 李肇基 张正璠 刘玉奎 何开全 
国家微电子预研资助项目(批准号:41308020413)~~
报道了一种新型半绝缘键合SOI结构,采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构.研制出的这种新结构,完整率大于85%,Si—Si键合界面接触比电阻小于5×10-4Ω·cm2.这种新结构可以广泛用于高低压功率集成电路、高可...
关键词：硅片键合 半绝缘SOI 多晶过渡层 
SOI结构P型SiGe沟道混合模式晶体管器件模型研究
《Journal of Semiconductors》2003年第3期312-317,共6页夏克军 李树荣 王纯 郭维廉 郑云光 陈培毅 钱佩信 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9836 0 2 0 )~~
在带有应变SiGe沟道的SOIMOSFET结构中 ,把栅和衬底相连构成了新型的混合模式晶体管 (SiGeSOIBMHMT) .在SIVACO软件的器件数值模拟基础上 ,对这种结构的P型沟道管工作过程作了分析 ,并建立了数学模型 .提出在低电压 (小于 0 7V)下 ,衬...
关键词：晶体管 BMHMT 器件模型 SIGE SOI MOSFET 
多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第2期189-193,共5页谢欣云 刘卫丽 门传玲 林青 沈勤我 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费 (No.G2 0 0 0 0 3 65 );国家自然科学基金 (批准号 :699760 3 4)资助项目 ~~
为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
关键词：绝缘埋层 氮化硅薄膜 SOI结构 多孔硅外延转移 
BPM方法在SOI结构中的应用被引量：1
《Journal of Semiconductors》2002年第2期169-173,共5页张小峰 余金中 王启明 魏红振 
国家自然科学基金(批准号 69990 5 40及 698962 60 -0 6);科技部 973资助项目 (合同号 G2 0 0 0 0 3 66)~~
采用交错隐式算子分裂 (ADI)算法 ,设计、实现了一种高速、高精度的波束传播方法 (BPM)来模拟 SOI波导中不同偏振态的光传输 ,研究了 PML 边界层的选取对虚传播计算基模和基模传播常数的影响 ,给出了大光腔
关键词：BPM方法 ADI方法 PML边条件 SOI结构 波导 
采用多孔氧化硅形成超薄SOI结构的研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》1998年第2期103-107,共5页黄宜平 李爱珍 蒋美萍 邹斯洵 李金华 竺士炀 
本文采用多孔氧化硅全隔离技术获得了硅膜厚度小于１００ｎｍ、硅岛宽度大于１００μｍ的超薄ＳＯＩ（ＴＦＳＯＩ）结构．用透视电子显微镜剖面分析技术（ＸＴＥＭ）、扩展电阻分析（ＳＲＰ）、喇曼光谱、台阶轮廓仪和击穿电压测量等技...
关键词：氧化硅 SOI CMOS 硅膜 结构 
为SIMOX　SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型
《Journal of Semiconductors》1994年第9期611-616,共6页牛国富 阮刚 
本文提出了一个为ＳＩＭＯＸＳＯＩ结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型，适用于０．７—２．０×１０１８ｃｍ－２剂量范围和５０—３００ｋｅＶ能量范围．模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好．本模型对ＳＩＭＯＸ工艺...
关键词：硅膜 二氧化硅 SOI 离子注入 
为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型被引量：3
《Journal of Semiconductors》1993年第9期573-578,共6页牛国富 阮刚 
本文提出了一个为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0 ×10^(18)cm^(-2)剂量范围和50—300keV能量范围,模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好。本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSI TCAD具有参...
关键词：硅膜 二氧化硅 SOI结构 埋层 SIMOX 
强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算被引量：1
《Journal of Semiconductors》1993年第8期484-491,共8页田人和 顾永俶 卢武星 张荟星 
国家自然科学基金
本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10^(15)/cm^2·s时,对于一般的散热系统来说(传热系数H≈2×10^(-2)W/cm^2...
关键词：离子注入 SOI结构 温升效应 计算 
高温氢气氛对SIMOX/SOI结构的损伤被引量：1
《Journal of Semiconductors》1993年第1期56-59,2,共5页李金华 林成鲁 林梓鑫 薛才广 邹世昌 
SIMOX/SOI样品在1000～1200℃的高温H_2气氛中作不同时间(5—30分)的烘烤。结果,SOI结构受到了不同程度的损伤。测试结果表明,这种损伤包括:高温H_2使SOI结构顶层Si中缺陷的扩展,高温H_2使埋层SiO_2分解和分解后的O_2(或H_2O)在外释过...
关键词：SOI制备 高温氢气 结构 损伤 
氧离子和氮离子共注入硅形成SOI结构的俄歇能谱研究
《Journal of Semiconductors》1991年第10期614-618,共5页俞跃辉 林成鲁 邹世昌 卢江 
本文中研究了O^+(200keV,1.8 ×10^(18)cm^(-2))和 N^+(180keV,4 ×10^(17)cm^(-2))共注入Si形成 SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的微观结构.俄歇能谱(AES)和光电子能谱(XPS)的测量和研究结果表明:O^+和N^+共注入的SOI结构...
关键词：氧/氮 离子注入硅 SOI 俄歇能谱 
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