ALGAAS

作品数：193被引量：128H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：陆卫沈光地沈学础徐遵图郭霞更多>>
相关机构：中国科学院北京工业大学南京电子器件研究所厦门大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=固体电子学研究与进展x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于铝镓砷微环谐振腔的集成量子频率梳
《固体电子学研究与进展》2024年第5期F0003-F0003,共1页郑晓冬 陈哲 何润秋 李玉富 陆亮亮 孔月婵 陈堂胜 牛斌 
南京电子器件研究所基于自主工艺平台设计并成功研制了铝镓砷(AlGaAs)微环谐振腔量子频率梳芯片(如图1所示),得益于高非线性系数的AlGaAs微环谐振腔结构可实现高亮度的量子光源。该器件最高品质因子(Q)为1.3×10^(5),平均自由光谱范围(F...
关键词：微环谐振腔 非线性系数 自由光谱范围 铝镓砷 频率梳 ALGAAS 全集成 光量子 
AlGaAs梁式引线PIN管及其应用被引量：2
《固体电子学研究与进展》2016年第2期111-114 141,共5页李熙华 胡永军 姚常飞 吴翔 王霄 顾晓春 周剑明 杨立杰 
介绍了采用AlGaAs/GaAs异质结材料制作的梁式引线PIN管。该PIN管采用P+AlGaAs阳极异质结结构,GaAs圆片工艺,采用空气桥工艺连接正负电极引线。研制的PIN管VBR≥90V,CT≤0.022pF(VR=5V,f=1 MHz),RS≤4.9Ω(f=470 MHz,IF=20mA),τ≥5ns(IF...
关键词：ALGAAS PIN管 AlGaAs/GaAs异质结 梁式引线 单刀单掷开关 
具有AlGaAs缓变结构的InGaP/GaAs HBT性能改进分析被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第3期388-391,共4页周守利 熊德平 
对改进型结构具有零导带势垒尖峰的缓变InGaP/AlGaAs/GaAs HBT器件的直流和高频特性进行了理论探讨,并同传统突变结构的InGaP/GaAs HBT的相应性能作了比较。结果表明:在低于30 nm的一定范围内的缓变层厚度下,与突变的InGaP/GaAs HBT相比...
关键词：铟镓磷/砷化镓 异质结双极晶体管 伏-安输出特性 截止频率 
禁带变窄效应对突变AlGaAs/GaAs HBT电流影响的研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2005年第2期152-156,共5页周守利 崔海林 黄永清 任晓敏 
国家"973"计划项目(2003CB314901);高等学校博士学科点专项科研基金(20020013010)
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生禁带变窄效应(BGN)。对于基区重掺杂Npn突变AlGaAs/GaAsHBT,BGN引起导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生了改变,这对基区、集电区电流产生重要的影响。文中基于Jain-Roulston禁带收...
关键词：热场发射扩散 禁带变窄效应 Jain-Roulston模型 
MOCVD AlGaAs/GaAs HBT材料生长中基区、发射区结偏位的分析与控制被引量：1
《固体电子学研究与进展》2004年第4期546-548,共3页王向武 李肖 张岚 黄子乾 潘彬 
分析了MOCVDAlGaAs/GaAsHBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P N结界面产生偏离的原因 ,计算了外延生长参数对结偏离的影响 ,得到了对于C、Mg及Zn作为P型掺杂剂时 ,使得结偏位为 0时所需生长的GaAsspace层厚度 ,它们分别为 1～ 1...
关键词：异质结双极晶体管 金属有机化合物气相淀积 结偏位 
碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器
《固体电子学研究与进展》2004年第2期219-222,共4页王向武 张岚 黄子乾 潘彬 李肖 李忠辉 
用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W...
关键词：金属有机化合物化学气相沉积 铝镓砷 碳掺杂 激光器 
高速AlGaAs/GaAs HBT D-触发器和静态分频器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第2期183-185,共3页曾庆明 徐晓春 李献杰 敖金平 王全树 郭建魁 刘伟吉 揭俊锋 
叙述了高速 Al Ga As/ Ga As HBT D-触发器和静态分频器的设计、制造和性能。用电流型逻辑和自对准工艺 ,D-触发器上升和下降时间都小于 80 ps,静态分频器在 0～
关键词：A1GaAs/GaAs HBT D-触发器 静态分频器 异质结双极晶体管 铝镓硅三元化合物 
具有线性GRIN结构GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
《固体电子学研究与进展》1999年第4期405-409,共5页陈国鹰 马祖光 王新桥 
河北省自然科学基金
采用ＭＯＣＶＤ 方法成功地研制了具有线性ＧＲＩＮ 结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为８１５～８２５ ｎｍ ，阈值电流为１３０ ｍ Ａ。工作电流在４８０ ｍ Ａ 时，单面连续输出光功率高达２００ ｍ ...
关键词：单量子阱激光器 GRIN结构 GAAS ALGAAS 激光器 
AlGaAs/GaAs HBT的低频噪声被引量：1
《固体电子学研究与进展》1998年第3期275-279,共5页廖小平 顾世惠 林金庭 魏同立 
测试了AlGaAs／GaAsHBT的低频噪声，并将测试结果分解为1／f噪声、G－R噪声和白噪声，阐述了它们的产生机理，在此基础上建立了AlGaAs／GaAsHBT输入噪声电压的等效电路模型，该模型有助于AlGaAs／GaAsHBT电路的CAD。
关键词：HBT 低频噪声 化合物晶体管 
GaAs、GaP、InP、InGaAsP、AlGaAs、InAlGaAs的化学腐蚀研究被引量：6
《固体电子学研究与进展》1996年第1期56-63,共8页许兆鹏 
为研制全集成光开关、微片式激光器等，对ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＡＩＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ等材料的化学腐蚀进行了实验研究。为了研制ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ微片式激光器，开发了Ｈ３Ｐ...
关键词：磷化镓 磷化铟 砷化镓 化学腐蚀 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部