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IBM展示基于极薄SOI衬底的22nm技术
《中国集成电路》2010年第1期9-9,共1页
IBM研究人员开发出了基于极薄SOI（ETSOI）的全耗尽CMOS技术，面向22nm及以下节点。在IEDM会议上，IBM Albany研发中心的Kangguo Cheng称该FD—ETSOI工艺已获得了25nm栅长，非常适合于低功耗应用。除了场效应管，IBM的工程师还在极薄SO...
关键词：CMOS技术 SOI衬底 IBM SOI工艺 研究人员 IEDM 研发中心 场效应管 
台积电发布28nm工艺首次采用了高-k和HKMG技术
《中国集成电路》2009年第1期7-7,共1页
日前，台积电发布了28nm工艺技术。该技术采用193nm的液浸光刻，并首次采用HKMG技术。晶体管的栅长最短为24nm。EOT（等效氧化膜厚度）为0．9nm，与该公司在07年IEDM上发布的未采用HKMG的32nm工艺技术的EOT值1．6nm相比，大幅削减了厚度。
关键词：台积电 技术 工艺 IEDM 膜厚度 晶体管 光刻 等效 
IEDM上逻辑器件面对面
《集成电路应用》2009年第1期32-33,共2页David Lammers 
在一篇延期提交N2008国际电子器件会议（IEDM）的论文中，来自Intel公司的研究人员讨论了该公司的32nm技术平台，并介绍了基于锑化铟（InSb）的pFET，其性能创造了新的纪录。来自IBM的研究人员则将在IEDM上展示22nm的SRAM测试芯片，此...
关键词：逻辑器件 IEDM Intel公司 技术平台 研究人员 电子器件 SRAM 锑化铟 
英特尔计划在IEDM上推出32纳米工艺
《中国集成电路》2008年第11期5-5,共1页
在即将举行的2008年IEEE国际电子器件大会（IEDM）上，英特尔公司计划发布其最新的用在高性能处理器上的32纳米工艺技术。根据IEDM文件，英特尔公司建立了一个基本的32纳米、291兆比特的SRAM阵列测试芯片，单元尺寸为0．171平方微米。...
关键词：英特尔公司 纳米工艺 IEDM 高性能处理器 电子器件 IEEE 32纳米 SRAM 
Ⅲ-Ⅴ族化合物与CMOS：逻辑的选择？
《现代材料动态》2008年第8期15-16,共2页邓志杰（摘译） 
如果你想了解SiCMOS工艺的将来，那么IEDM（国际电子器件会议）是值得一去的“地方”。IEDM每年12月份交替在华盛顿和旧金山举行，已有50多年的历史了。一些关键性的半导体工艺常常在该会议上“出现”。2007年会议的与会者又在共同关注...
关键词：CMOS工艺 Ⅲ-Ⅴ族化合物 逻辑 化合物半导体 IEDM 半导体工艺 微电子工艺 电子器件 
恩智浦半导体与台积电于国际电子器件会议(IEDM)发表七项半导体创新技术
《电子技术应用》2008年第1期16-16,共1页
2007年12月13日，由飞利浦创建的独立半导体公司恩智浦半导体（NXP Semiconductors）与台湾积体电路制造股份有限公司于美国华盛顿特区（Washington D．C．）举行的国际电子器件会议（International Electron DevicesMeeting，IEDM）上...
关键词：半导体公司 创新技术 电子器件 台积电 国际 半导体技术 积体电路 TSMC 
携手合作／技术开发
《电子与电脑》2008年第1期95-100,共6页
恩智浦半导体与台积电IEDM发表七项半导体技术及工艺创新；英飞凌宣布与英特尔展开技术合作开发高密度SIM卡解决方案；Siano与华旗及CMBSat连手针对2008年北京奥运推出移动数字电视解决方案；飞思卡尔和Quanta协作面向先进的视频和语音I...
关键词：技术开发 合作开发 半导体技术 移动数字电视 工艺创新 IEDM SIM卡 北京奥运 
IEDM重装上阵Ⅱ——用MEMS工艺制作高性能的片上电感
《集成电路应用》2007年第3期30-30,共1页汪辉 
中国大陆对IEDM　2006的另一个贡献来自于中国科学院上海微系统与信息技术研究所的李昕欣小组。他们的论文标题很长，＂A Post-CMOS Concave-Suspending MEMS Process in Standard Silicon Wafers for High- Performance SolenoidaI-DNA...
关键词：MEMS工艺 工艺制作 片上电感 IEDM 性能 CMOS工艺 SILICON 重装 
IEDM重装上阵I——面向RF IC的新型片上电感
《集成电路应用》2007年第1期12-12,共1页汪辉 
2006年12月11日．IEDM在美国旧金山如期举行．在这次半导体器件的盛会上．经过一年的沉寂．中国大陆的研究人员重整旗鼓．再度贡献两项高质量的研究成果。也许是一种巧合．它们的作者都是2004年取得突破的IEDM先锋．即清华大学的任天令...
关键词：IEDM 片上电感 RFIC 重装 半导体器件 研究成果 研究人员 中国大陆 
IEDM的初体验
《集成电路应用》2006年第11期10-10,共1页汪辉 
历史长达53年的IEDM（International Electron Devices Meeting）是IEEE旗下的王牌会议之一。IEDM的召开时间固定在每年12月的第二个星期．会议地点则在美国华盛顿特区和旧金山市之间轮换。业界的各个研究单位．包括大公司的研发部门。...
关键词：IEDM 化合物半导体 Devices MEMORY CMOS工艺 IEEE 旧金山市 研究机构 
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