LDMOS

作品数：423被引量：340H指数：7
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2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管被引量：3
《固体电子学研究与进展》2017年第6期401-405,共5页应贤炜 王佃利 李相光 梅海 吕勇 刘洪军 严德圣 杨立杰 
针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率...
关键词：硅横向扩散金属-氧化物-半导体 千瓦 微波功率晶体管 
1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制被引量：4
《固体电子学研究与进展》2016年第3期207-212,共6页应贤炜 王建浩 王佃利 刘洪军 严德圣 顾晓春 
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%...
关键词：硅横向扩散金属-氧化物-半导体 L波段 微波功率晶体管 
LDMOS-SCR ESD器件漂移区长度对器件性能的影响被引量：2
《固体电子学研究与进展》2015年第6期572-578,共7页鄢永明 曾云 夏宇 张国梁 
中国自然科学基金资助项目(No.61350007)
采用软件仿真一系列的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)可控硅(Silicon controlled rectifier,SCR)静电放电(Electrostatic discharge,ESD)保护器件,获取工作状态的I-V曲线。结果表明,随...
关键词：静电放电保护 静电放电鲁棒性 可控硅 闩锁 维持电压 失效电流 
千瓦级LDMOS大功率器件研制被引量：3
《固体电子学研究与进展》2014年第1期F0003-F0003,共1页王佃利 李相光 严德圣 应贤炜 丁晓明 梅海 刘洪军 蒋幼泉 
南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构，通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等，突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题，成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率...
关键词：大功率器件 LDMOS 千瓦级 南京电子器件研究所 器件结构 散热设计 横向结构 场板结构 
《固体电子学研究与进展》2012年(第32卷)第1～6期总目次
《固体电子学研究与进展》2012年第6期I0001-I0007,共7页
关键词：Design 固体电子学 GaAs LTCC GaN LDMOS MEMS Simulation SiC SIGE 锗硅异质结双极晶体管 HFET 钱文 梁海莲 目次 
硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势被引量：8
《固体电子学研究与进展》2011年第2期141-146,173,共7页王佃利 刘洪军 吕勇 严德圣 盛国兴 王因生 蒋幼泉 
从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠以及脉冲应用等方向发展。
关键词：硅 横向双扩散金属氧化物场效应晶体管 射频 功率 
P波段450W硅LDMOS脉冲功率器件的研制被引量：10
《固体电子学研究与进展》2011年第1期60-64,共5页王佃利 李相光 严德圣 丁小明 刘洪军 钱伟 蒋幼泉 王因生 
报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表明,在漏源工作电压36 V,脉宽20 ms,占空比35.7%的测试条件下,48...
关键词：硅 横向双扩散金属氧化物场效应晶体管 脉冲 背面源 场板 硅化钴 
基于电荷泵法的N-LDMOS界面态测试技术研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2009年第4期597-601,605,共6页刘斯扬 钱钦松 孙伟锋 李海松 时龙兴 
江苏省自然科学基金支持项目(项目编号:BK2008287)
详细研究了高压N-LDMOS器件的电荷泵(CP)测试技术,指出了高压N-LDMOS器件的特殊结构对其CP测试结果的影响,并解释了高压N-LDMOS器件的CP曲线不饱和的原因,同时对由于不同的源漏偏压造成的高压N-LDMOS器件CP曲线的变化进行了深入的理论...
关键词：N型横向双扩散金属氧化物晶体管 电荷泵测试 热载流子 
电阻场板LDMOS表面电场解析模型及优化设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第2期185-189,共5页李琦 李肇基 
提出具有电阻场板(Resistive field plate,RFP)硅基LDMOS表面电场和击穿电压解析模型。基于求解二维Poisson方程,此模型给出了二维表面电场和电势与器件结构参数和漏偏压关系的解析表达式;计算漂移区长度与击穿电压的关系,提出了一种优...
关键词：电阻场板 表面电场 击穿电压 模型 
薄外延层RESURF LDMOS完全耐压模型被引量：2
《固体电子学研究与进展》2007年第4期540-544,共5页李琦 张波 李肇基 
提出硅基薄外延RESURF LDMOS不全耗尽和完全耗尽的完全耐压模型。基于求解二维Poisson方程,获得该结构二维表面电场和击穿电压的完整解析表达式。借助此模型研究击穿电压与器件结构参数、外延层掺杂浓度和衬底掺杂浓度的关系;在满足最...
关键词：薄外延 完全 击穿电压 模型 
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