L波段

作品数：1212被引量：2209H指数：20
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一款L波段隔离滤波组件的设计制作被引量：2
《固体电子学研究与进展》2020年第1期23-26,37,共5页徐昌文 王奇 孙建萍 李勇 陈刚 金明 唐思源 
介绍了一款L波段隔离滤波组件的设计方法,通过带线结型隔离器和低通LC滤波器进行组合设计实现对发射机二次和三次谐波杂散的有效抑制,同时采用耐功率设计,大幅提升了隔离滤波组件的功率容量。借助AWR和HFSS仿真软件,建立了隔离滤波组件...
关键词：隔离器 低通LC滤波器 杂散 
L波段1.1 kW GaN射频功率放大器设计被引量：4
《固体电子学研究与进展》2019年第5期324-328,共5页景少红 钟世昌 饶翰 曹建强 
基于南京电子器件研究所0.5μm GaN HEMT工艺平台,设计了一款SiC衬底的1.2~1.4 GHz 1.1 kW GaN功率放大器。以管芯S参数和负载牵引测试结果进行匹配电路设计,采用双胞55 mm GaN管芯实现大功率输出。功率放大器内部采用预匹配网络设计,...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 SIC衬底 负载牵引 L波段 高功率 高效率 
L波段载板式双平衡限幅低噪声放大器
《固体电子学研究与进展》2018年第4期257-261,共5页李建平 凌志健 
设计了L波段PIN限幅器芯片和低噪声放大器芯片,并将这两种芯片集成在载板上,组成小尺寸双平衡限幅低噪声放大器。低噪声放大器采用负反馈结构,降低噪声系数和改善增益平坦度。采用双平衡式结构,提高限幅器的功率容量,提高了1dB增益压缩...
关键词：L波段 载板式 双平衡 限幅低噪声放大器 
L波段GaN大功率高效率准单片功率放大器被引量：6
《固体电子学研究与进展》2017年第6期384-388,共5页蔺兰峰 周衍芳 黎明 陶洪琪 
研制了一款基于NEDI 0.25μm GaN功率MMIC工艺的L波段大功率高效率准单片功率放大器。采用两级拓扑结构,以准单片形式实现。输入采用有耗匹配网络提高芯片的稳定性,级间和末级匹配均采用无耗纯电抗网络,其中末级匹配电路通过低损耗陶瓷...
关键词：GAN L波段 高效率 大功率 准单片 
1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制被引量：4
《固体电子学研究与进展》2016年第3期207-212,共6页应贤炜 王建浩 王佃利 刘洪军 严德圣 顾晓春 
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%...
关键词：硅横向扩散金属-氧化物-半导体 L波段 微波功率晶体管 
L波段高增益功放模块设计
《固体电子学研究与进展》2015年第4期325-328,共4页杨斌 林川 高群 
设计了一种小型化L波段高效率高增益脉冲功率放大模块,该模块使用微波混合集成电路技术,其体积比同等性能传统L波段功率放大器大大减小。测试结果表明,在工作电压36V、脉宽200μs、占空比10%时,L波段1.2~1.4GHz带宽内模块输出功率能达到...
关键词：小型化 高增益 功放 混合集成 
超小型、高性能L波段LTCC滤波器设计
《固体电子学研究与进展》2015年第3期259-262,共4页祁高品 
设计了一款工作于L波段的LTCC滤波器。利用LTCC多层技术,设计双层耦合带状线谐振腔,采用电感反馈的三谐振腔结构,减小滤波器体积,设计时通过增加零点,提高滤波器带外阻带性能。在2.4~2.5GHz频段范围内,实测插入损耗小于1.2dB,在1.7~1.9...
关键词：低温共烧陶瓷 滤波器 零点 小型化 
1．2～1．4GHz370W硅双极型晶体管研制被引量：3
《固体电子学研究与进展》2014年第2期124-128,共5页刘洪军 王建浩 丁晓明 高群 冯忠 庸安明 严德圣 蒋幼泉 
通过进一步优化芯片设计与工艺设计，研制出L波段370W硅双极型功率晶体管。该器件在42V工作电压下，脉宽150μs，占空比10％，频率1．2～1．4GHz全带内，输出功率可达370W以上，增益达8．7dB，效率大于55％，具有良好的抗失配性能。
关键词：硅双极型晶体管 L波段 脉冲功率管 
L波段0.5mm SiC SIT被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第6期536-539,共4页陶永洪 柏松 陈刚 李理 李赟 尹志军 
作为测试小管芯,所研制的小栅宽(0.5mm)L波段SiC SIT器件,台面和栅凹槽线宽分别为1.0μm和1.5μm,源间距2.5μm,采用凹栅结构、Al注入形成PN结等优化手段,提高了器件的击穿特性和微波特性。0.5mm栅宽SiC SIT器件,输出功率通过负载牵引...
关键词：L波段 碳化硅 静态感应晶体管 负载牵引 
L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验被引量：7
《固体电子学研究与进展》2011年第5期473-477,共5页王因生 陶有迁 徐全胜 金毓铨 傅义珠 丁晓明 王志楠 
利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器...
关键词：硅微波脉冲功率管 可靠性 寿命试验 峰值结温 
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