上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)

作品数：12被引量：19H指数：3
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相关机构：上海交通大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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Al-Cu互连导线侧壁孔洞形成机理及改进方法
《半导体技术》2009年第6期569-572,共4页施海铭 汪辉 李化阳 林俊毅 
国家自然科学基金(NSFC60606015);上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一。此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性。缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗粒,并且在随后的有机溶液湿法清洗过程中原...
关键词：Al-Cu互连 侧壁孔洞缺陷 θ相Al2Cu光刻胶清洗 
Cu通孔诱导的应力对CMOS迁移率影响分析
《半导体技术》2009年第3期221-224,共4页许建华 汪辉 
国家自然科学基金资助项目(NSFC60606015);上海市浦江人才计划资助项目(05PJ14068);上海交通大学微电子学院科研基金资助项目
利用Si片中填充Cu通孔技术实现芯片间互连是目前最有前景的三维芯片技术。利用有限元模型仿真研究了Cu通孔在Si中引起的诱导应力对CMOS晶体管迁移率的影响。分析了键合力、键合温度、通孔直径和Si片厚度等因素的影响。研究发现,Si中诱...
关键词：通孔 键合 应力 迁移率 芯片互连 3D芯片技术 
高k栅介质的可靠性问题被引量：3
《半导体技术》2009年第1期6-9,87,共5页王楠 汪辉 
国家自然科学基金资助项目(NSFC60606015);上海市浦江人才计划资助项目(05PJ14068);上海交通大学微电子学院科研基金资助项目
随着集成电路特征尺寸的不断缩短,利用先进的高k/金属栅堆叠来取代传统的SiO2/多晶硅栅结构成为微电子技术发展的必然,确保这些新的栅极堆叠类型具有足够的可靠性是非常重要的。综述了高k栅介质可靠性的研究现状,阐明了瞬态充电效应导...
关键词：高介电常数 电荷捕获 金属栅 偏压温度不稳定性 
CMOS RFIC平面螺旋差分变压器参数化等效电路建模
《微电子学》2008年第2期206-210,214,共6页徐洁晶 多新中 汪辉 杨立吾 
国家自然科学基金资助项目(NSFC60606015);上海市浦江人才计划资助项目(05PJ14068);上海交通大学微电子学院科研基金资助项目
对现今常用的八边形CMOS RFIC平面螺旋差分变压器进行了参数化的2-π集总参数等效电路建模。所建模型包含随频率变化的各种损耗效应,各元件值均可根据工艺参数和器件几何尺寸以参数化的解析表达式得出。将电路仿真值与ADS Momentum器件...
关键词：CMOS 射频集成电路 变压器 平面螺旋差分变压器 参数化等效电路模型 
InP基谐振隧穿二极管的研究被引量：1
《半导体技术》2008年第2期141-143,共3页李亚丽 张雄文 冯震 周瑞 张志国 
国家自然科学基金(NSFC60606015);上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景。加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点。研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行...
关键词：谐振隧穿二极管 电流峰谷比 铟磷基外延材料 
深槽TVS研究被引量：4
《电子与封装》2008年第2期37-39,共3页倪凯彬 
国家自然科学基金(NSFC60606015);上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
以静电放电(ESD)以及其他一些电压浪涌形式随机出现的瞬态电压,通常存在于各种电子器件中。随着半导体器件日益趋向小型化、高密度和多功能,电子器件越来越容易受到电压浪涌的影响,甚至导致致命的伤害。从静电放电到闪电等各种电压浪涌...
关键词：静电放电(ESD) 瞬态电压抑制器(TVS) 深槽TVS 
高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(下)
《半导体技术》2008年第2期93-97,共5页翁妍 汪辉 
国家自然科学基金(NSFC60606015);上海市浦江人才计划资助项目(05PJ14068)
随着45 nm及32 nm技术节点的来临,高介电常数(high-k)材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的较好选择,但是大多数高k材料是离子金属氧化物,其基本物理性能和材料特性不仅导致了很多不可靠因素,还会造成电学性能的损失。简述了高k材料的...
关键词：栅介质薄层 高介电常数 电学结果 
高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(上)
《半导体技术》2008年第1期1-5,共5页翁妍 汪辉 
国家自然科学基金(NSFC60606015);上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
随着45 nm和32 nm技术节点的来临,传统的SiO2作为栅介质薄膜材料的厚度需缩小到1 nm之下,材料的绝缘性、可靠性等受到了极大的挑战,已不能满足技术发展的要求。高k材料成为代替SiO2作为栅介质薄层材料的不错选择,但是大多数高k材料是离...
关键词：栅介质薄层 高介电常数 可靠性 
一种多晶硅掩膜层湿法去除的改进研究被引量：1
《半导体技术》2007年第12期1045-1048,共4页张正荣 詹扬 汪辉 
国家自然科学基金(NSFC60606015);上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
在集成电路制造工艺中,附着在Si片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在栅极多晶硅刻蚀后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿法去除工艺中,所使用的热磷酸(H3PO4)湿法刻蚀尤其容易产生杂质颗粒。详细分析了热H3PO4湿法刻蚀中杂质...
关键词：半导体制造 氮氧化硅 热磷酸 湿法刻蚀 
亚65nm及以下节点的光刻技术被引量：1
《半导体技术》2007年第11期921-925,共5页徐晓东 汪辉 
上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光...
关键词：亚65nm 浸入式光刻 极紫外线 电子束直写 分辨率增强技术 
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