云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(G20000683)

国家重点基础研究发展计划(G20000683): 作品数：91被引量：240H指数：8; 导出分析报告; 相关作者：郑有炓沈波张荣王占国施毅更多>>; 相关机构：中国科学院南京大学浙江大学北京大学更多>>; 相关期刊：《高技术通讯》《功能材料》《红外与毫米波学报》《真空科学与技术学报》更多>>; 相关主题：GANXGAX氮化镓MOCVD更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

GaSb/InGaAsSb量子阱的带间跃迁设计被引量：3: 《功能材料与器件学报》2008年第3期614-618,共5页刘盛张永刚; 国家"863"计划资助项目(No.2002AA313040);国家"973"计划资助项目(No.G20000683);国家自然科学基金重点资助项目(No.60136010); 采用一维方势阱模型对GaSb/InxGa1-xAs0.02Sb0.98m量子阱激光器结构的子带跃迁波长与阱宽间的关系进行了计算,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明GaSb/InGaAsSb是制作2-3μm中红外波段量子阱激光器的...; 关键词：量子阱结构半导体激光器带间跃迁

MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2006年第9期1521-1525,共5页王晓亮胡国新马志勇肖红领王翠梅罗卫军刘新宇陈晓娟李建平李晋闽钱鹤王占国; 中国科学院知识创新工程重要方向性项目(批准号:KGCX2-SW-107-1);国家自然科学基金(批准号:60136020);国家重点基础研究发展规划(批准号:513270505,G20000683,2002CB311903);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304)资助项目~~; AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor （HEMT） structures with a high-mobility GaN thin layer as a channel are grown on high resistive 6H-SiC substrates by metalorganic chemical vapor deposition. The HEMT st...; 关键词：A GaN/GaN HEMT MOCVD power device SiC substrates

蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2006年第8期1382-1385,共4页王保柱王晓亮王晓燕王新华郭伦春肖红领王军喜刘宏新曾一平李晋闽; 中国科学院知识创新工程;国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683;2002CB311903);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304);国家自然科学基金(批准号:60136020)资助项目~~; 利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜.在生长InAlGaN外延层时,获得了外延膜的二维生长.卢瑟福背散射测量结果表明,InAlGaN外延层中In,Al和Ga的组分分别为2%,22%和76%,并且元素的深度...; 关键词：RF-MBE 铟铝镓氮 RHEED XRD AFM

AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质: 《Journal of Semiconductors》2006年第7期1251-1254,共4页陶春旻陶亚奇陈诚孔月婵陈敦军沈波焦刚陈堂胜张荣郑有炓; 国家重点基础研究专项基金(批准号:G20000683);国家自然科学基金(批准号:60406002;60325413;60136020);江苏省自然科学基金(批准号:BK2003411);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304)资助项目~~; 采用高温Hall测量仪对一个全应变和一个部分应变弛豫的AlGaN/GaN异质结构中2DEG的高温输运特性进行了研究,温度变化范围从室温到680K.研究结果表明:在高温段2DEG的迁移率主要受LO声子散射限制;在室温,异质界面处的非均匀压电极化场对2DE...; 关键词：AlGaN/GaN异质结构二维电子气高温输运

ZnO薄膜的缺陷研究进展被引量：6: 《真空科学与技术学报》2006年第5期385-391,共7页林益梅叶志镇陈兰兰朱丽萍黄靖云; 国家重点基础研究专项经费"973"(No.G20000683); ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能,可望成为新一代光电材料。但由于ZnO存在许多缺陷从而对它的各种性能产生了不良影响。比如点缺陷会影响ZnO的p型制备,VO可能导致ZnO薄膜产生绿光;线缺陷可能成为载流子陷阱中心和...; 关键词：ZNO薄膜点缺陷位错堆垛层错

Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展被引量：9: 《物理学进展》2006年第2期127-145,共19页孔月婵郑有炓; 国家自然科学基金(批准号:601360206027603160290080);国家重点基础研究专项基金(批准号:G20000683);国家高技术研究与发展计划基金(批准号:2002AA305304); 本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二...; 关键词：Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气综述自发极化压电极化迁移率

Influence of Polarization-Induced Electric Fields on Optical Properties of Intersubband Transitions in Al_xGa_(1-x)N/GaN Double Quantum Wells被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2006年第3期403-408,共6页雷双英沈波许福军杨志坚徐柯张国义; 国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304) ;国家自然科学基金(批准号:60325413,60136020,60444007);国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683);教育部博士点基金(批准号:20020284023)资助项目~~; The influence of polarization-induced electric fields on the electron distribution and the optical properties of intersubband transitions （ISBT） in AlxGa（1-x）N/GaN coupled double quantum wells （DQWs） is investig...; 关键词：AlxGa（1-x）N／GaN DQWs intersubband transition polarization field discontinuity

Influence of Al Composition on Transport Properties of Two-Dimensional Electron Gas in Al_xGa_(1-x)N/GaN Heterostructures: 《Journal of Semiconductors》2006年第2期235-238,共4页唐宁沈波王茂俊杨志坚徐科张国义桂永胜朱博郭少令褚君浩; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683,G001CB3095);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304);国家自然科学基金(批准号:60444007,60136020,10374094);国家杰出青年基金(批准号:60325413);教育部博士点基金(批准号:20020284023)资助项目~~; Magnetotransport properties of two-dimensional electron gases （2DEG） in AlxGa1-x N/GaN heterostructures with different Al compositions are investigated by magnetotransport measurements at low temperatures and in hig...; 关键词：Alx Ga1-x N/GaN heterostructure two-dimensional electron gas transport property

表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性被引量：2: 《物理学报》2006年第3期1402-1406,共5页张开骁陈敦军沈波陶亚奇吴小山徐金张荣郑有炓; 国家重点基础研究专项基金(批准号:G20000683);国家自然科学基金(批准号:60406002;60325413;60136020);江苏省自然科学基金(批准号:BK2003411);国家高技术研究发展计划(863)项目(批准号:2002AA305304)资助的课题.~~; 用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)研究了表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性,温度变化范围从室温到813K.结果表明,对未钝化的异质结,当测试温度高于523K时,Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层开始出现应变弛豫;钝化后,在...; 关键词：Al0.22Ga0.78N/GaN异质结应变 Si3N4钝化高温XRD

短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制被引量：13: 《红外与毫米波学报》2006年第1期6-9,共4页张永刚顾溢朱诚郝国强李爱珍刘天东; 国家'973'项目基金(G20000683);国家'863'项目基金(2002AA313040); 采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征...; 关键词：光伏探测器短波红外 INGAAS 气态源分子束外延

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