国家教育部博士点基金(20050284004)

作品数：34被引量：47H指数：3
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相关作者：谢自力韩平张荣郑有炓刘斌更多>>
相关机构：南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室中国科学院南京电子器件研究所更多>>
相关期刊：《半导体技术》《真空科学与技术学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究被引量：4
《中国科学（G辑）》2010年第1期82-85,共4页赵传阵 修向前 张荣 谢自力 刘斌 刘占辉 颜怀跃 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063;60676057;60731160628);高等学校博士学科点专项科研基金(编号:20050284004);江苏省创新学者攀登项目(编号:BK2008019)资助
利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好.在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5cm.在此基础上,模拟...
关键词：GAN 氢化物气相外延 流体动力学 
Simulation of growing GaN in vertical HVPE reactor被引量：3
《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》2010年第1期72-75,共4页ZHAO ChuanZhen, XIU XiangQian , ZHANG Rong , XIE ZiLi, LIU Bin, LIU ZhanHui, YAN HuaiYue & ZHENG YouDou Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China 
supported by the Special Funds for Major State Basic Research Project (Grant No. 2006CB6049);the Hi-tech Research Project (Grant Nos.2006AA03A103, 2006AA03A118, and 2006AA03A-142);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60721063, 60676057, and 60731160628);the Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (Grant No. 20050284004);the Natural Science Foundation of Jiangsu Province of China (Grant No. BK2008019)
The paper reports the setting up of a model of fluid dynamic for GaN HVPE system and the simulation. It is found that when the direction of gravity is opposite to the direction of GaCl flow inlet,there exits a distanc...
关键词：GAN HVPE FLUID dynamic 
Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响
《中国激光》2009年第5期1205-1208,共4页葛瑞萍 韩平 吴军 王荣华 俞斐 赵红 俞慧强 谢自力 张荣 郑有炓 
国家自然科学基金(60721063);国家973计划(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004)资助课题
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C缓冲层生长温度对样品...
关键词：Ge薄膜 Si1-xGex:C缓冲层 化学气相淀积 生长温度 
AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延
《中国激光》2009年第5期1209-1213,共5页吴军 王荣华 韩平 葛瑞萍 梅琴 俞斐 赵红 谢自力 张荣 郑有炓 
国家973计划(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);国家自然科学基金(60721063)资助课题
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到...
关键词：化学气相淀积 4H—SiC薄膜 AlN/Si(111)复合衬底 异质外延 阴极荧光 
MOCVD生长的全组分InGaN材料被引量：2
《微纳电子技术》2009年第5期274-278,300,共6页徐峰 吴真龙 邵勇 徐洲 刘启佳 刘斌 谢自力 陈鹏 
南京大学扬州光电研究院研发基金(2008003);国家重点基础研究发展规划973(2006CB6049);国家自然科学基金(6039072;60776001;60421003;60676057);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金项目(BK2005210)
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在C面蓝宝石衬底上制备了全组分InGaN薄膜,通过改变生长温度和In/Ga比例成功调控了InGaN合金组分和带隙宽度。利用不同的物理表征手段系统研究了InGaN薄膜的晶体结构和光电学性质,XRD和Hall等测...
关键词：INGAN X射线衍射 原子力显微镜 X射线光电子能谱 喇曼散射 
Structural and optical characteristics of Al_xGa_(1-x)N/AlN superlattice被引量：2
《Science China(Technological Sciences)》2009年第2期332-335,共4页XIE ZiLi1, ZHANG Rong1, JIANG RuoLian1, LIU Bin1, GONG HaiMei2, XIU XiangQian1, CHEN Peng1, LU Hai1, HAN Ping1, SHI Yi1 & ZHENG YouDou1 1 Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Physical Department of Nanjing University, Nanjing 210093, China 2 Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Science, Shanghai 200083, China 
Supported by the Special Funds for Major State Basic Research Project (973 Project) (Grant No.2006CB6049);the Hi-tech Research Project (Grant Nos.2006AA03A103,2006AA03A118,and 2006AA03A142);the National Natural Science Foundation of China (Grant No.60676057);the Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (Grant No.20050284004)
AlN/Al0.3Ga0.7N superlattices were grown on (0001) sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). The superlattice period varies from 6 to 30. The layer thickness of different period stack was ...
关键词：MOCVD SUPERLATTICES AlxGa1-xN/AlN 
n型GaN薄膜输运性质与发光研究被引量：2
《中国科学（G辑）》2008年第9期1221-1227,共7页张曾 张荣 谢自力 刘斌 修向前 江若琏 韩平 顾书林 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展计划(编号:2006CB6049);国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03A142);国家自然科学基金(批准号:60721063,60731160628,60676057);教育部重大项目(编号:10416);高等学校博士学科点专项科研基金(编号:20050284004);江苏省自然科学基金(编号:BK2005210)资助项目
系统研究了掺Si的n型GaN的表面形貌、电学性质和光学性质.GaN薄膜采用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)制备,通过选择不同掺杂流量的SiH4,使n型载流子浓度变化范围为3×1016~5.4×1018cm-3.原子力显微镜研究发现随掺杂浓度的增加样品表...
关键词：N型GAN 表面形貌 霍尔效应 光致发光 
Mg掺杂AlGaN的特性研究被引量：1
《微纳电子技术》2008年第9期512-515,541,共5页吴超 谢自力 张荣 张曾 刘斌 刘启佳 聂超 李弋 韩平 陈鹏 陆海 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划973资助项目(2006CB6049);国家高技术研究发展规划资助项目(2006AA03A103,2006AA03A11,2006AA03A142);国家自然科学基金资助项目(60721063,60676057,60731160628,60776001);国家基础科学人才培养基金资助项目(J0630316);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050284004)
采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活。用X射线衍射ω-2θ扫描计算确定样品的Al组分,发现Mg摩尔掺杂浓度和退火对Al组分均未产生明显影响。X射...
关键词：AlGaN薄膜 Mg掺杂 热退火 表面形貌 阴极射线发光 
Carrier transport and luminescence properties of n-type GaN
《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》2008年第8期1046-1052,共7页ZHANG Zeng ZHANG Rong XIE ZiLi LIU Bin XIU XiangQian JIANG RuoLian HAN Ping GU ShuLin SHI Yi ZHENG YouDou 
the National Basic Research Program of China (Grant No. 2006CB6049);the National Hi-Tech Research and Development Program of China (Grant No. 2006AA03A142);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60721063, 60731160628 and 60676057);the Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (Grant No. 20050284004) ;the Natural Science Foundation of Jiangsu Province of China (Grant No. BK2005210)
The surface morphology,electrical properties and optical properties of Si doped n-type GaN were investigated. The intentional SiH4 doped GaN films were grown by metal organic chemical vapor deposition with the electro...
关键词：N-TYPE GAN MORPHOLOGY HALL-EFFECT LUMINESCENCE 
高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度被引量：2
《功能材料》2008年第8期1259-1260,1263,共3页李弋 刘斌 谢自力 张荣 修向前 江若琏 韩平 顾书林 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(973计划)资助项目(2006CB6049);国家高技熙研究发展计划(863计划)资助项目(2006AA03A103．2006AA03A118，2006AA03A142);国家自然科学基金(6039072．60776001，60421003．60676057);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金(BK2005210)
应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构。测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的应变状态。由(002)面三轴衍射0级卫星峰峰位结合应变状况计算获得InGaN层中In含量,从(002)面的ω/2θ衍...
关键词：INGAN/GAN 多量子阱 In组分 X射线衍射 
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