国家杰出青年科学基金(60925017)

作品数：9被引量：22H指数：3
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相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
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AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响被引量：2
《发光学报》2014年第6期727-731,共5页陈翔 邢艳辉 韩军 霍文娟 钟林健 崔明 范亚明 张宝顺 
国家自然科学基金(61204011;61107026;61176126;61006084);国家杰出青年科学基金(60925017);北京市自然科学基金(4102003;4112006);北京市教委科研计划(KM201210005004)资助项目
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品,研究了AlN缓冲层厚度对GaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响。研究结果表明:厚度为15 nm的AlN缓冲层不仅可以有效抑制Si扩散,而且还给GaN外延层提...
关键词：ALN缓冲层 GAN SI衬底 张应力 MOCVD 
Al组分对MOCVD制备的Al_xGa_(1-x)N/AlN/GaNHEMT电学和结构性质的影响被引量：4
《发光学报》2013年第12期1646-1650,共5页陈翔 邢艳辉 韩军 霍文娟 钟林健 崔明 范亚明 朱建军 张宝顺 
国家自然科学基金(61204011;61107026;61176126;61006084);国家杰出青年科学基金(60925017);北京市自然科学基金(4102003;4112006);北京市教委科研计划(KM201210005004)资助项目
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分(x=0.19,0.22,0.25,0.32)的Al x Ga1-x N/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了Al x Ga1-x N势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表...
关键词：AL组分 ALGAN 高电子迁移率晶体管 电学性质 MOCVD 
退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响被引量：1
《物理学报》2013年第20期386-390,共5页李晓静 赵德刚 何晓光 吴亮亮 李亮 杨静 乐伶聪 陈平 刘宗顺 江德生 
国家杰出青年科学基金(批准号:60925017);国家自然科学基金(批准号:10990100,61176126);清华大学信息科学与技术国家实验室(筹)学科交叉基金资助的课题~~
研究了不同退火温度和气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响.采用圆形传输线模型方法得到不同退火温度和不同退火气氛下的比接触电阻率.结果表明,较适宜的退火温度为500 C左右,退火温度太高或太低都会导致比接触电阻率的增大;较适...
关键词：P-GAN 欧姆接触 圆形传输线模型 快速热退火 
AlN成核层厚度对Si上外延GaN的影响被引量：5
《光电子．激光》2013年第7期1338-1343,共6页邓旭光 韩军 邢艳辉 汪加兴 范亚明 陈翔 李影智 朱建军 
国家自然科学基金(61176126,61006084,61204011);国家杰出青年科学基金(60925017);北京市自然科学基金(4102003,4112006)资助项目
采用低温AlN成核层,在Si(111)衬底上,用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长了GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜(AFM)研究了AlN成核层的厚度对GaN外延层的影响。对AlN的测试表明,AlN的表面粗糙度(RMS)...
关键词：GAN AlN成核层 SI衬底 金属有机化合物气相沉积(MOCVD) 
H_2载气流量对AlN缓冲层生长的影响被引量：2
《发光学报》2013年第6期776-781,共6页邓旭光 韩军 邢艳辉 汪加兴 崔明 陈翔 范亚明 朱建军 张宝顺 
国家自然科学基金(N61176126;61006084;61204011);国家杰出青年科学基金(60925017);北京市自然科学基金(4102003;4112006)资助项目
在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对GaN外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明:相同生长时间内AlN的厚...
关键词：氮化镓(GaN) ALN缓冲层 H2载气 SI衬底 金属有机化学气相沉积 
AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaNHEMT材料电学性质的影响被引量：7
《中国激光》2013年第6期259-263,共5页陈翔 邢艳辉 韩军 李影智 邓旭光 范亚明 张晓东 张宝顺 
国家自然科学基金(61176126;61006084;61204011);国家杰出青年科学基金(60925017);北京市自然科学基金(4102003;4112006)资助课题
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响。AlN隔离层厚度约为1.5nm的HEMT材料,二维电子气浓度和迁移率分别达...
关键词：材料 A1N 高电子迁移率晶体管 电学性质 二维电子气 迁移率 
金属有机化学气相沉积法生长条件对AlN薄膜面内晶粒尺寸的影响被引量：1
《物理学报》2013年第8期386-390,共5页吴亮亮 赵德刚 李亮 乐伶聪 陈平 刘宗顺 江德生 
国家杰出青年科学基金(批准号:60925017);国家自然科学基金(批准号:10990100;60836003;60976045;61176126);清华信息科学与技术国家实验室(筹)学科交叉基金资助的课题~~
研究了金属有机化学气相沉积设备生长条件对AlN薄膜质量的影响.应用Williamson-Hall方法测试并分析了不同氮化时间、AlN缓冲层生长时间、载气流量生长参数对AlN薄膜的面内晶粒尺寸的影响.实验结果表明,随着氮化时间减小,缓冲层生长时间...
关键词：ALN Williamson-Hall 面内晶粒尺寸 
高阻GaN的MOCVD外延生长被引量：1
《发光学报》2013年第3期351-355,共5页邓旭光 韩军 邢艳辉 汪加兴 范亚明 张宝顺 陈翔 
国家自然科学基金(61176126;61006084;61204011);国家杰出青年科学基金(60925017);北京市自然科学基金(4102003;4112006)资助项目
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜。对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲层电学特性的影响进行了分析。实验结果表明,延长GaN成核层的生长时间,降低成核层生长时的反应室压力,...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 蓝宝石衬底 金属有机化合物气相沉积 
器件参数对GaN基n^+-GaN/i-Al_x Ga_(1-x)N/n^+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响被引量：1
《物理学报》2010年第12期8903-8909,共7页邓懿 赵德刚 吴亮亮 刘宗顺 朱建军 江德生 张书明 梁骏吾 
国家杰出青年科学基金(批准号:60925017);国家自然科学基金(批准号:10990100;60836003;60776047)资助的课题~~
研究了AlGaN层参数对GaN基n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响规律及物理机制.模拟计算发现:降低AlGaN层本底载流子浓度会增加器件的量子效率,当本底载流子浓度不能进一步降低时,可以通过减小AlGaN层...
关键词：GAN 紫外和红外探测器 量子效率 
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