栅介质

作品数：268被引量：261H指数：6
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高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)
《北京大学学报（自然科学版）》2014年第4期637-641,共5页李哲 吕垠轩 何燕冬 张钢刚 
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助
对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋...
关键词：正偏置温度不稳定性(PBTI) 高介电常数栅介质 绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(soI MOSFET) 退化 应力诱导漏电流(SILC) 
MOS器件栅介质层陷阱的表征方法
《微电子学》2011年第5期714-721,共8页许中广 霍宗亮 张满红 王琴 刘璟 朱晨昕 郑志威 王晨杰 刘明 
国家重点基础研究发展(973)计划基金资助项目(2010CB934200);国家自然科学基金资助项目(60825403)
随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠性的研究一直是学术界和工业界研究的重点。普遍认为,栅介质中的陷阱是引起栅介质退化乃至击穿的主要因素...
关键词：MOS器件 栅介质 可靠性 缺陷表征 界面陷阱 氧化层陷阱 
非晶Er2O3高k栅介质薄膜的制备及结构特性研究被引量：7
《无机材料学报》2008年第2期357-360,共4页方泽波 谭永胜 朱燕艳 陈圣 蒋最敏 
国家重点基础研究专项基金(G2001CB3095，10321003，60425411);绍兴市科技基金(2007A21015)
采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且...
关键词：高K栅介质 Er2O3薄膜 反应蒸发 
HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究
《电子显微学报》2006年第B08期81-82,共2页卓木金 马秀良 
国家杰出青年基金资助项目(No.50325101);国家重点基础研究发展规划(973)项目(2002CB613503)资助
关键词：SI(001) HFO2 TEM 界面层 高K栅介质 微电子技术 MOS器件 等效厚度 
恒压应力下超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质与SiO_2栅介质寿命比较
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1717-1721,共5页林钢 徐秋霞 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (批准号 :G2 0 0 0 3 65 0 4)~~
以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结...
关键词：恒压应力 超薄Si3N4/SiO2 叠层栅介质 超薄SiO2栅介质 栅介质寿命预测 
超薄SiO_2栅介质厚度提取与分析
《Journal of Semiconductors》2004年第10期1306-1310,共5页谭静荣 许晓燕 黄如 程行之 张兴 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :2 0 0 0 0 3 65 );国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4)资助项目~~
在分析半经典模型和量子模型的基础上 ,得到包括量子效应和多晶硅耗尽效应的栅氧厚度提取模型 .栅介质厚度模拟结果和椭偏仪所测实验结果吻合良好 .
关键词：超薄栅介质 量子效应 多晶硅耗尽效应 栅氧厚度 
恒电流应力引起HfO_2栅介质薄膜的击穿特性
《Journal of Semiconductors》2004年第8期1009-1012,共4页韩德栋 康晋锋 王成钢 刘晓彦 韩汝琦 王玮 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )~~
利用磁控溅射的方法在 p- Si上制备了高 k(高介电常数 )栅介质 Hf O2薄膜的 MOS电容 ,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究 .利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积 Hf O2 薄栅介质的击穿特性以及击穿对栅介质的 ...
关键词：恒电流应力 高κ HFO2 击穿 
HfO_2高k栅介质漏电流机制和SILC效应被引量：7
《Journal of Semiconductors》2004年第7期841-846,共6页王成刚 韩德栋 杨红 刘晓彦 王玮 王漪 康晋锋 韩汝琦 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )~~
利用室温下反应磁控溅射的方法在 p- Si(1 0 0 )衬底上制备了 Hf O2 栅介质层 ,研究了 Hf O2 高 k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流 (SIL C)效应 .对 Hf O2 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏...
关键词：HFO2栅介质 泄漏电流输运机制 Schottky发射 Frenkel—Poole发射 SILC PACC 7360 7755 EEACC 2550 2530 
多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质
《Journal of Semiconductors》2004年第2期227-231,共5页谭静荣 许晓燕 黄如 程行之 张兴 
国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 0 1);国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4)资助项目~~
为了改善深亚微米 CMOS器件 p+ - poly栅中硼扩散问题 ,通过选择合适的注氮能量和剂量 ,采用多晶硅栅注氮工艺 ,既降低了硼在多晶硅栅电极中的扩散系数 ,又在栅介质内引入浓度适宜的氮 ,有效地抑制了硼在栅介质内的扩散所引起的平带电...
关键词：注氮 应力诱生泄漏电流 电介质击穿 
超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1099-1102,共4页章宁琳 宋志棠 沈勤我 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (Nos .G2 0 0 0 0 36 5 ;0 0 1CB6 10 40 8)~~
采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空...
关键词：超高真空电子束蒸发法 全耗尽SOI MOSFET 高K栅介质 ZRO2 
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