陶瓷基板

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通孔基板与无通孔基板耐过载水平分析
《混合微电子技术》2020年第4期52-54,共3页侯育增 臧子昂 魏刚剑 
研究陶瓷基板组装技术能够承受的耐过载范围,对厚膜混合集成电路在不同武器装备中的适用性具有十分重要的意义。本文通过分组试验,汇总了含通孔陶瓷基板与无通孔陶瓷基板在不同基板尺寸、有无通孔等情况下的耐过载范围,分析了影响陶瓷...
关键词：过载水平 陶瓷基板 机械冲击 
一种用于陶瓷基板烧结的洁净车昆道炉的研制
《混合微电子技术》2018年第3期88-92,共5页汪训浪 周伟清 朱常奇 
通过电子陶瓷行业空气幌道炉的研制,该窑炉针对炉体结构、炉膛材料和结构、传动系统、气氛系统以及电气控制系统多个方面进行了优化和改进,从而满足高温度、高平稳、高洁净度的电子陶瓷行业烧结工艺要求。
关键词：电子陶瓷 高温棍道炉 洁净棍道炉 
高速超大规模集成电路的陶瓷基板设计
《混合微电子技术》2018年第1期51-57,共7页敖国军 张国华 杨兵 
随着集成电路向着高密度、高速方向发展，保证高速信号的可靠传输成为封装基板电学设计中的重要组成部分。本文完成了一款工作频率达到8GHz的高速超大规模集成电路的陶瓷基板设计，首先从频域角度来对基板电学性能进行评估，采用ansys公...
关键词：高速超大规模集成电路 陶瓷基板 传输特性 插入损耗 回波损耗 
AlN陶瓷基板化学镀金前处理工艺研究
《混合微电子技术》2016年第3期59-63,共5页胡玲 周波 杨磊 
描述了AlN陶瓷基板化学镀金工艺技术。对基板线条进行二次金属化，获得镍金膜层结构以满足键合、焊接等使用要求。研究了AlN陶瓷基板化学镀金过程中，前处理镀液对陶瓷基板表面形貌的影响并利用扫描电镜（SEM）手段进行表征。本文主要...
关键词：AlN陶瓷基板 前处理 过腐蚀 漏镀 渗镀 
高热导氮化铝陶瓷基板量产控制因素被引量：1
《混合微电子技术》2009年第4期52-54,60,共4页刘志辉 
本文讨论了氮化铝陶瓷基板获得高热导率的基本原理，介绍了批量生产氮化铝陶瓷基板的控制因素，包括原料选择、排胶、烧结气氛控制等。
关键词：氮化铝 热导率 烧结气氛 量产 
内埋置元件基板技术的发展趋势（日本相关专利分析）
《混合微电子技术》2009年第1期42-53,共12页杨邦朝 胡永达 卢云 徐蓓娜 
本文主要是依据日本近有关电子元件内埋置基板专利，进一步分析剖析日本在内埋置基本板技术方面的发展趋势，让读者对日本在元件内埋置基板的市场与技术趋势有进一步的了解，期望能对国内元件内埋置技术的建立与开发方向有所帮助。分析...
关键词：内埋置式 无源元件 电阻 电容 电感 印制电路板 陶瓷基板 
大功率LED陶瓷封装技术研究被引量：1
《混合微电子技术》2008年第2期2-5,44,共5页王多笑 沐方清 李佳 
本文通过使用AIN和Al2O3这两种陶瓷基板作为大功率LED的封装基板，主要研究了陶瓷基板作为封装基板在在改善散热方面的优势、基板工作时温度、光效和电流的关系，并和铝基覆铜板作为封装基板进行试验比较。
关键词：大功率LED 陶瓷基板 封装基板 铝基覆铜板 
一种在氮化铝陶瓷基板上的化学镀铜法
《混合微电子技术》2008年第2期45-50,共6页
氮化铝是一种性能优良的绝缘材料，热导率高，介电常数低（εr=8．9），能应用于微波和大功率电路中。本文介绍了一种简单有效的在氮化铝陶瓷上制作铜图形的两步工艺方法。第一步，通过一种紫外激光束照射氮化铝基板表面来选择性地制作...
关键词：氮化铝 两步工艺 激光照射 化学镀铜 
多层陶瓷基板产品研制与生产过程中的质量控制被引量：2
《混合微电子技术》2005年第4期60-64,共5页樊正亮 戴雷 程凯 涂传政 
本文主要介绍了在设计与生产多层陶瓷基板及管壳工艺过程中如何进行质量控制，并提出了出现问题时解决的方法。
关键词：多层陶瓷 基板 管壳 封装 
降低低温共烧多层陶瓷基板介电常数方法的研究被引量：1
《混合微电子技术》1999年第4期24-33,共10页章瑜 
本文主要探索一种在玻璃陶瓷基板材料中加入聚苯乙烯（PS）有机球（有机球在高温下分解），最终在基板中引入半合气孔，从而降低介电常数的新方法，着重讨论了孔隙率与介电常数的关系，以及与基板其他实用性能参数之间的关系（如抗折强...
关键词：多层陶瓷基板 聚苯乙烯 介电常数 微电子 低温共烧 
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