气相淀积

作品数：297被引量：495H指数：8
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Si(111)衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长
《高技术通讯》2002年第11期65-66,11,共3页严飞 郑有炓 陈平 孙澜 顾书林 朱顺明 李雪飞 韩平 
973规划 (G2 0 0 0 0 683 );国家自然科学基金 (60 13 60 2 0 )资助项目
研究发展了一种Si衬底上低温外延生长 3C SiC的方法。采用LPCVD生长系统 ,以SiH4 和C2 H4 为气源 ,在超低压 (30Pa)、低温 (90 0℃ )的条件下 ,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的 3C SiC薄膜材料。采用俄歇能谱 (AES)、X射线衍射 (X...
关键词：SI(111)衬底 3C-SIC 超低压低温外延生长 碳化硅 异质外延生长 低压化学气相淀积 半导体材料 
光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
《高技术通讯》2000年第8期34-36,共3页周玉刚 李卫平 沈波 陈鹏 陈志忠 臧岚 张荣 顾书林 施毅 郑有翀 
863计划;国家自然科学基金资助项目
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对...
关键词：ALGAN GAN 金属有机化学气相淀积 气相寄生反应 光加热 
生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响被引量：2
《高技术通讯》2000年第4期34-37,共4页吴军 顾书林 施毅 江宁 朱顺明 郑有炓 王牧 刘晓勇 闵乃本 
国家自然科学基金资助项目!(69706004)
对利用超低压化学气相淀积 (VLP CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究 ,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延 (MBE)的结果 ,这种现象与VLP CVD表面控制反应模式有关。实验表明 。
关键词：GE量子点 化学气相淀积 自组织生长 锗 
氮原子在 CVD 低压金刚石制备过程中的作用
《高技术通讯》1998年第9期36-39,共4页刘志杰 张卫 万永中 张剑云 王季陶 曹传宝 朱鹤孙 
863计划;国家自然科学基金
根据理论计算得到了碳氢氮体系低压金刚石生长非平衡定态相图，结果与实验数据相当符合，并通过相图和热力学计算讨论了氮原子含量对金刚石生长条件的影响以及在ＣＶＤ金刚石制备过程中提高金刚石薄膜生长速率的原因。
关键词：氮 化学气相淀积 金刚石 薄膜生长 
卤素原子在化学气相淀积金刚石薄膜过程中的作用被引量：1
《高技术通讯》1998年第6期43-46,共4页刘志杰 张卫 万永中 王季陶 
863计划;国家自然科学基金
根据非平衡热力学耦合模型计算得到了碳氢氟和碳氢氯体系低压金刚石生长的非平衡定态相图，计算结果与大量实验事实符合良好，可以为实验研究提供理论指导。还详细讨论了卤素原子在金刚石薄膜淀积过程中的作用。
关键词：卤素 化学气相淀积 金刚石 薄膜 非平衡热力学 
α-Al_(2)O_(3)衬底上生长的GaN膜的光学性质
《高技术通讯》1996年第10期29-31,共3页杨凯 张荣 秦林洪 沈波 施洪涛 郑有炓 黄振春 Chen J C 
国家教委跨世纪人才专项基金;国家自然科学基金资助项目
采用金属有机化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）方法生长了α－Ａｌ２Ｏ３衬底上外延的高质量的单晶ＧａＮ薄膜。Ｘ射线衍射光谱与喇曼散射光谱表征了ＧａＮ外延薄膜的单晶结构和单晶质量。透射光谱和光调制反射光谱定出了六角单晶ＧａＮ薄膜...
关键词：α-Al_(2)O_(3)衬底 GAN薄膜 金属有机化学气相淀积 单晶 光学性质 
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