单片集成电路

作品数：648被引量：789H指数：11
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：吴洪江彭龙新林金庭高学邦陈效建更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所南京电子器件研究所电子科技大学东南大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技重点实验室基金国家重点实验室开放基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=固体电子学研究与进展x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
截止频率1.2 THz的GaN肖特基二极管及其三倍频单片集成电路
《固体电子学研究与进展》2024年第5期384-389,F0002,共7页代鲲鹏 纪东峰 李俊锋 李传皓 张凯 吴少兵 章军云 
国家重点研发计划资助项目(2023YFB3609600)。
通过设计不同掺杂浓度和厚度的GaN低掺杂外延层,制造了两款SiC基GaN肖特基势垒二极管(Schott⁃ky barrier diode,SBD)。结果显示在低掺杂层厚度为80 nm,掺杂浓度为8×10^(17)cm^(−3)条件下制备的GaN SBD截止频率高达1.2 THz。基于该SBD...
关键词：GaN肖特基势垒二极管 三倍频 单片集成电路 太赫兹 梁式引线 
基于太赫兹单片集成电路的560 GHz次谐波混频器设计
《固体电子学研究与进展》2024年第5期390-395,共6页张宜明 张勇 牛斌 代鲲鹏 张凯 陈堂胜 
固态微波器件与电路全国重点实验室基金开放课题项目(61428032204)。
基于太赫兹单片集成技术,设计并加工了一款560 GHz次谐波混频器。建立了二极管的三维电磁模型进行全波仿真,并结合二极管SPICE参数模型,获得了包括寄生参数和本征参数的二极管完整模型。基于半分部−半整体设计法对电路进行了仿真优化,...
关键词：太赫兹单片集成电路 次谐波混频器 肖特基势垒二极管 
基于单片集成电路的180 GHz大功率倍频器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2023年第6期486-491,共6页郭艳敏 张立森 顾国栋 宋旭波 郝晓林 
随着工作频率的提升,太赫兹倍频链路对第一级倍频器的输出功率要求越来越高,提升其功率承受能力是解决该问题的主要途径之一。设计并制作出高击穿的氮化镓肖特基势垒二极管,并与砷化镓二极管进行了对比。氮化镓二极管大的电容调制能力...
关键词：氮化镓 肖特基二极管 倍频器 大功率 单片集成电路 
GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述被引量：4
《固体电子学研究与进展》2023年第2期121-135,共15页彭龙新 邹文静 孔令峥 张占龙 
综合论述了GaAs和GaN微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性,简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法,给...
关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 氮化镓高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 多功能芯片 低噪声放大器 功率放大器 数控衰减器 数控移相器 开关 GaAs数字电路 
基于InP DHBT的K波段高线性功率放大器
《固体电子学研究与进展》2022年第2期109-113,共5页许鑫东 郭润楠 张斌 
基于1.6μm InP DHBT工艺,研制了一款MMIC高线性功率放大器。功率放大器采用两级结构,两级管芯皆偏置在AB类状态。功率放大器末级采用RC等效模型进行非线性匹配降低损耗,管芯基极采用自适应线性偏置技术提高线性度和温度稳定性。该芯片...
关键词：INP 高线性功率放大器 微波单片集成电路 
26.5 GHz InP宽带梳谱单片
《固体电子学研究与进展》2021年第6期F0003-F0003,共1页张有涛 程伟 赵莹莹 
基于101.6mm(4英寸)0.7μm Inp DHBT工艺,南京电子器件研究所首次研制出26.5 GHz宽带梳谱单片集成电路。与常规雪崩二极管及非线性传输线方案不同,芯片采用有源电路实现,具有对外部输入功率不敏感、输出频谱高平坦度、低相噪等特点,芯...
关键词：单片集成电路 雪崩二极管 非线性传输线 输出频谱 高频特性 极窄脉冲 时域测试 平坦度 
最高振荡频率为620GHz的0.25μm InP DHBT器件被引量：1
《固体电子学研究与进展》2021年第3期F0003-F0003,共1页戴姜平 孙岩 李征 常龙 姚靖懿 程伟 
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压(相对Si/SiGe而言),适合于太赫兹单片集成电路的研制。图1和图2分别展示了南京电子器件研究所研制的101.6mm(4英寸)0.25 μm InP DHBT器件剖面图和高频性能...
关键词：单片集成电路 击穿电压 最高振荡频率 电流增益 高频性能 截止频率 磷化铟 DHBT 
Ku波段GaN MMIC高线性功率放大器设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2018年第2期85-89,共5页赵映红 钱峰 郑惟彬 
设计了一款Ku波段工作频率为13.0~15.5GHz的GaN MMIC高线性功率放大器,采用0.25μm GaN HEMT工艺,电路采用两级放大器的结构。通过两种不同的末级匹配网络的设计,对比分析匹配网络的设计对功率放大器效率与线性度的影响。一种是匹配到...
关键词：GAN 微波单片集成电路 高线性功率放大器 
K波段2.5 W GaN功率MMIC设计
《固体电子学研究与进展》2018年第1期6-11,共6页郭润楠 张斌 陶洪琪 
报道了一款采用0.15μm GaN功率MMIC工艺研制的功率放大器芯片。芯片工作在5G毫米波候选频段24.75~27.50GHz,采用三级放大结构。结合小信号参数和带有预匹配的Load-pull进行设计,末级匹配电路使用宽带匹配拓扑,在满足输出功率的条件下,...
关键词：K波段 微波单片集成电路 氮化镓功率放大器 
Ku波段12 W GaAs pHMET功率MMIC被引量：2
《固体电子学研究与进展》2017年第3期182-186,共5页叶显武 
报道了一款采用0.25μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ku波段功率放大器芯片。芯片采用三级放大拓扑结构,末级输出匹配电路按照高效率设计,同时优化前后级推动比控制前级电流。级间采用有耗匹配电路设计,提高大信号状态下的稳定性。在16~18GH...
关键词：GaAs功率放大器 KU波段 微波单片集成电路 
全选清除导出
共7页<1234567>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部