反应离子

作品数：373被引量：643H指数：11
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基于双面盲孔电镀的硅通孔工艺研究
《微电子学》2021年第2期265-269,共5页李明浩 王俊强 李孟委 
国家自然科学基金资助项目(61804137);"173计划"基金资助项目(2017JCJQZD00604)。
针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程。该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155μm、直径为41μm的...
关键词：硅通孔 微机电系统封装 双面盲孔电镀 深反应离子刻蚀 
MEMS开关中聚合物牺牲层去除方法研究被引量：1
《微电子学》2020年第6期890-893,共4页张翼 鲍景富 黄裕霖 李昕熠 张亭 张晓升 
国家自然科学基金资助项目(61804023);四川省科技计划项目(2018GZ0527)。
制作了一种以聚酰亚胺作为牺牲层的低下拉电压开关,聚酰亚胺牺牲层采用反应离子刻蚀(RIE)工艺进行刻蚀。研究了刻蚀功率对刻蚀时间的影响,检验了不同刻蚀功率与刻蚀时间组合条件下开关梁的结构完整性,优化了该RIE工艺。实验结果表明,聚...
关键词：MEMS开关 聚酰亚胺 反应离子刻蚀 牺牲层释放 
采用深阱结构的耐压技术被引量：2
《微电子学》2004年第2期203-206,共4页易坤 张波 罗小蓉 李肇基 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439080101DZ0202)
　讨论了基于深阱结构的提高器件击穿电压的技术。采用深阱结构的结终端技术,消除了平面工艺所产生的曲面结,从而使器件的击穿电压接近理想平行平面结的击穿电压。同时,该结终端技术还具有占用器件面积极小的优点;通过向阱中填充低介电...
关键词：深阱结构 击穿电压 结终端 反应离子刻蚀 峰值电场 功率三极管 横向二极管 LDMOS 
用于HBT的SiGe合金材料层的腐蚀工艺研究被引量：1
《微电子学》2000年第2期76-78,共3页欧益宏 刘道广 李开成 
探索利用反应离子刻蚀 ( RIE)和湿法腐蚀 Si1-x Gex 合金材料的工艺条件。对两种腐蚀方法的利弊进行了对比 ,找出腐蚀 Si1-x Gex 合金材料的实用化途径 ,并且解决了不同 Ge含量的 Si1-x Gex
关键词：硅-锗合金 反应离子刻蚀 异质结 双极晶体管 
用于MFIS的铁电薄膜刻蚀技术研究
《微电子学》2000年第1期8-10,共3页颜雷 黄维宁 姜国宝 汤庭鳌 程旭 钟琪 姚海平 汤祥云 
国家自然科学基金! ( 698760 0 8);AM基金;"863"资助项目
制备MFIS存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的SBT铁电薄膜,介质层一般选用ZrO2作为阻挡层,以克服电荷注入效应,改进器件的性能。在MFIS的研制中,SBT薄膜和ZrO2薄膜的刻蚀是关键工艺之一。研究了用SF6和Ar作为反应气体刻蚀SBT及ZrO2...
关键词：铁电存储器 反应离子刻蚀 铁电薄膜 
1μm宽硅深槽刻蚀技术被引量：3
《微电子学》1996年第1期35-39,共5页王清平 郭林 刘兴凤 蔡永才 黄正学 
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响对蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深糟刻蚀工艺条件。
关键词：反应离子刻蚀 硅深槽隔离 微电子器件 工艺 
HBr反应离子刻蚀硅深槽被引量：1
《微电子学》1995年第4期39-44,共6页刘家璐 张廷庆 刘华预 王清平 叶兴耀 
对ＨＢｒ反应离子刘蚀硅和ＳｉＯ＿２进行了实验研究。介绍了ＨＢｒ等离子体的刻蚀特性，讨论了ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的刻蚀机理，研究了ＨＢｒ中微量氧、碳对ＨＢｒＲＩＥ刻蚀过程的影响。实验表明，ＨＢｒ是一种刻蚀硅深槽理想的含原...
关键词：反应离子刻蚀 硅槽刻蚀 集成电路 
2～3μmAlSi的反应离子刻蚀及实用化技术研究
《微电子学》1994年第5期64-69,共6页郑闽 马宏 
在Ｔｅｇａｌ１５１２ｅ反应离子刻蚀（ＲＩＥ）设备上，利用Ｃｌ＿２、ＳｉＣｌ＿４为主要刻蚀气体进行了Ａｌ－Ｓｉ１．２％的反应离子刻蚀，研究了各参数对刻蚀结果的影响。在此基础上，本文着重围绕线宽控制和后处理等关键性问题进...
关键词：反应离子刻蚀 高聚物 各向异性 腐蚀 刻蚀 
深槽隔离技术中硅的反应离子刻蚀
《微电子学》1994年第4期36-40,共5页赵伟 李勇 
本文叙述了在反应离子刻蚀（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）系统中采用无碳含氟原子刻蚀气体（ＳＦ＿６，ＮＦ＿３）对硅的深槽刻蚀；分析了真空压力、射频功率、气体组合及其流量和电极温度对刻蚀速率、刻蚀剖面的影响；并根...
关键词：深槽隔离 反应离子刻蚀 硅 
AlSiCu反应离子刻蚀技术
《微电子学》1994年第3期34-40,共7页马宏 
在Ｔｅｇａｌ１５１２ｅ反应离子刻蚀（ＲＩＥ）设备上，利用Ｃｌ＿２和ＳｉＣｌ＿４为主要刻蚀气体，进行了ＡｌＳｉ０．８％－Ｃｕ２％的ＲＩＥ工艺研究，详细讨论了影响工艺的诸多因素，涉及ＡｌＳｉＣｕ材料本身结构的差异，ＲＩＥ...
关键词：反应离子刻蚀 各向异性 AlSiCu 
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