SI衬底

作品数：231被引量：424H指数：10
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利用MOCVD在Si衬底上制备立方相Mg_(0.25)Zn_(0.75)O薄膜及日盲探测器
《河北科技师范学院学报》2014年第4期36-39,共4页王立昆 单崇新 申德振 张振中 
"973"项目Nos.2008CB317105和2006CB604906;中国科学院自然科学知识创新基金项目No.KJCX3.SYW.W01
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上实现了立方结构的Mg0.25Zn0.75O薄膜生长。在此基础上,实现了Mg0.25Zn0.75O/n-Si异质结型日盲紫外探测器。该探测器在-5 V偏压下,器件暗电流为0.02 m A。在0 V偏压下的峰值响应位于大约28...
关键词：立方相Mg0.25Zn0.75O 日盲探测器 金属有机气相沉积 
采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜被引量：7
《光电子．激光》2011年第7期1030-1033,共4页周志文 贺敬凯 李成 余金中 
国家重点基础发展研究计划资助项目(2007CB613404)
采用低温缓冲层技术,在Si衬底上生长了质量优良的Ge薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、双晶X射线衍射(XRD)和拉曼散射等研究了薄膜的晶体质量。结果表明,由于无法抑制三维岛状生长,低温Ge缓冲层的表面是起伏的。然而,Ge与Si间的压应变几乎...
关键词：Ge薄膜 低温缓冲层技术 表面形貌 超高真空化学气相沉积(UHV-CVD) 
Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长被引量：3
《材料科学与工程学报》2009年第1期118-120,共3页成步文 薛春来 罗丽萍 韩根全 曾玉刚 薛海韵 王启明 
"973"基金资助项目(2007CB613404);国家自然科学基金资助项目(60676005);"863计划"基金资助项目(2006AA03Z415)
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105cm-2。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si...
关键词：硅基 Ge 外延 
(001)Si衬底上La_(0·9)Sr_(0·1)MnO_3/SrTiO_3外延生长薄膜的界面电子显微学研究被引量：1
《电子显微学报》2006年第3期214-220,共7页田焕芳 杨槐馨 虞红春 张怀若 李莹 周玉清 吕惠宾 李建奇 
国家973重点基础研究发展规划项目资助
本文利用高分辨电子显微术、电子能量损失谱和电子全息技术对Si基体上生长的SrTiO3(STO)和La0.9Sr0.1MnO3(LSMO)薄膜及其STO层和Si基体之间的界面结构进行了深入研究,结果表明在Si和STO层之间由于氧扩散会形成一层过渡的SiOx无序层,且...
关键词：高分辨电子显微学 薄膜 界面 电子能量损失谱 电子全息 
500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si_(0.5)Ge_(0.5)层(英文)
《功能材料与器件学报》2006年第1期5-9,共5页赵雷 左玉华 李传波 成步文 罗丽萍 余金中 王启明 
NationalScienceFoundationofChina(No.60336010,No.90401001)and973Programs(No.TG2000036603)
利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态。并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱。拉曼谱、高分辨显...
关键词：UHV/CVD 拉曼测量 光荧光 Si0.5Ge0.5 
用激光分子束外延在Si衬底上外延生长La_(1-x)Sr_xMnO_3单晶薄膜被引量：1
《中国科学（G辑）》2005年第6期625-630,共6页何萌 吕惠宾 黄延红 赵昆 田焕芳 相文峰 陈正豪 周岳亮 金奎娟 李建奇 杨国桢 
国家自然科学基金重点项目(批准号:10334070);国家重点基础研究发展规划项目(批准号:2004CB619004)资助
采用SrO和SrTiO3作为缓冲层,用激光分子束外延在Si(100)衬底上成功地外延生长出La1-xSrxMnO3(x=0.1,0.2,0.3)(LSMO)单晶薄膜.锐而清晰的反射式高能电子衍射仪(RHEED)的衍射条纹和持久的RHEED强度振荡,表明LSMO薄膜是很好的二维层状外延...
关键词：激光分子束外延 外延生长 SI衬底 La1-xSrXMnO3薄膜 
硅衬底GaN基LED研究进展被引量：2
《材料导报》2005年第1期97-100,共4页洪炜 朱丽萍 叶志镇 唐海平 倪贤锋 赵浙 
国家重点基础研究专项经费"973"资助(G20000683-06);教育部留学回国人员启动基金;教外司留[2003]406号;浙江省自然科学基金(M503183)
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si 基器件成为一个研究热点。然而,GaN 与 Si 之间的热失配容易引起薄膜开裂,这是限制 LED 及其它电子器件结构生长的一个关键问题。近年来...
关键词：LED 硅衬底 光电集成 GAN薄膜 电子器件 SI衬底 失配 研究进展 成方 近期 
Si衬底和Si-SiO_2-Si柔性衬底上的GaN生长被引量：4
《Journal of Semiconductors》2004年第6期678-681,共4页王军喜 王晓亮 刘宏新 胡国新 李建平 李晋闽 曾一平 
国家自然科学基金 (批准号 :60 13 60 2 0 );国家重点基础研究发展规划(批准号 :G2 0 0 0 0 683 );国家高技术研究发展计划及中国科学院资助项目~~
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si SiO2 Si柔性衬底上生长了GaN外延层 ,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析 .在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层 ,其表面粗糙度为 0 6nm .研究了GaN外延层中的应力及其光学性质 ,光致发光测试结果...
关键词：分子束外延 GaN 柔性衬底 光致发光 
Al、N共掺杂实现ZnO的p型转变及其掺杂机理探讨被引量：4
《真空科学与技术学报》2004年第5期347-349,共3页钱庆 叶志镇 袁国栋 朱丽萍 赵炳辉 
国家重点基础研究专项经费"973"(No G2 0 0 0 0 683 ) ;国家自然科学基金重点项目 (No 90 2 0 10 3 8)资助
利用直流反应磁控溅射以Al、N共掺杂的方法生长p -ZnO薄膜。ZnO薄膜沉积于具有不同衬底温度的玻璃或Si衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来源于AlxZn1-x(x =0 0 8% )靶材。利用XRD、XPS、Hall测试对其性能进行了分析。结果表明 ,...
关键词：ZNO薄膜 共掺杂 SI衬底 迁移率 载流子浓度 直流反应磁控溅射 衬底温度 XPS 原子 图谱 
在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展被引量：3
《物理》2003年第8期528-532,共5页黄昌俊 王启明 
国家自然科学基金重大项目 (批准号 :698962 60 );国家重点基础研究发展计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 660 3 )资助项目
在Si衬底上自组装生长纳米尺度的Ge量子点 ,由于三维量子限制效应的贡献 ,能够在能带结构上对Si、Ge天然材料的间接带特性实施准直接带结构的改性 ,使激子行为和带间复合跃迁得到大幅度增强 ,同时Ge量子点的可控有序相关排列还有助于发...
关键词：自组装生长 GE量子点 SI衬底 Si基电子波量子器件 生长动力学 能带结构 量子阱 纳米结构 
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