亚微米

作品数：1399被引量：2347H指数：14
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DC~170GHz InP DHBT超宽带双模混频器
《固体电子学研究与进展》2025年第2期F0003-F0003,共1页项萍 杨昆明 王维波 程伟 陈膺昊 苗鹤瑜 陈莹梅 
南京电子器件研究所基于自主101.6 mm(4英寸)250 nm InP DHBT工艺平台,设计制备了DC-170GHZ超宽带双模混频器芯片(如图1所示,单只芯片尺寸835μm*650μm)研究了亚微米难熔发射极制备,高质量基极欧姆接触等核心工艺,突破了微带耦合反馈、...
关键词：亚微米 难熔发射极 工艺平台 基极欧姆接触 
一款全定制深亚微米抗辐照LDO的版图设计
《固体电子学研究与进展》2024年第5期445-449,460,共6页邹文英 张宇涵 李小强 杨沛 
为了提高低压差线性稳压器(Low dropout regulator,LDO)在辐射环境下的功能稳定性,本文提出了一种适用于深亚微米LDO的抗辐照版图加固技术。通过使用大头条形栅和P+保护环等结构,并结合工艺加固和版图设计技术来提高电路的抗辐照性能。...
关键词：低压差线性稳压器 大头条形栅 P+保护环 版图设计技术 辐射效应 
光刻胶流淌实现深亚微米栅工艺被引量：3
《固体电子学研究与进展》2018年第4期305-309,共5页朱赤 王溯源 章军云 林罡 黄念宁 
基于0.15μm分辨率扫描式光刻机实现0.1μm栅光刻的光刻胶流淌工艺。通过合理选择光刻胶烘烤温度、烘烤时间和圆片表面处理工艺,实现线宽均匀性好、工艺窗口满足要求的0.1μm线条。实验结果表明,圆片表面状态对光刻胶流淌工艺有重要影...
关键词：分辨率 光刻胶流淌 特征尺寸 线宽收缩 表面状态 
深亚微米SOC电源网络设计与优化
《固体电子学研究与进展》2015年第2期171-175,共5页王成龙 张万荣 林平分 万培元 祝雪菲 
国家自然科学基金资助项目(60776051;61006044;61006059);北京市自然基金资助项目(4142007;4143059);北京市科技计划项目(Z141100006014032);北京市教委科技发展计划项目(KM200910005001);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301)
针对传统电源网络设计对芯片会产生大量冗余的情况,提出一种采取模块限定布局确定优化范围,应用电源网络线宽优化释放绕线空间的非均匀阶梯型电源网络。与传统相比,此方法不但可以有效减小芯片面积与信号线总长度,而且对芯片功耗也具有...
关键词：电源网络 面积优化 功耗优化 物理设计 
常关型亚微米沟道1200V SiC MOSFET被引量：2
《固体电子学研究与进展》2014年第5期F0003-F0003,共1页黄润华 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 
南京电子器件研究所基于自主12μm外延和76．2mm（3英寸）SiC圆片加工工艺，通过介质刻蚀沟道自对准技术，在国内率先实现了导通电流大于5A的SiCDMOSFET，阻断电压大于1200V，阈值电压5V。
关键词：MOSFET 沟道 亚微米 SIC 南京电子器件研究所 自对准技术 加工工艺 导通电流 
深亚微米工艺中场氧器件静电防护能力的研究
《固体电子学研究与进展》2009年第1期106-111,共6页朱科翰 杜晓阳 于宗光 韩雁 崔强 霍明旭 董树荣 
浙江省自然科学基金资助(Y107055)
研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其...
关键词：场氧器件 静电防护 深亚微米 传输线脉冲 
深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究
《固体电子学研究与进展》2008年第1期133-137,共5页高勇 冯松 杨媛 
西安-应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200514)
基于BSIMSOI对深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法进行了研究,提出一种借助ISE器件模拟软件进行参数提取的方法。该方法计算量小,参数提取效率高,不需要进行繁琐的器件数学建模,易于推广。将该方法提出的模型参数代入HSPICE进行仿真...
关键词：深亚微米 绝缘体上硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 参数提取 
深亚微米Sigma-Delta ADC设计方法研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2007年第1期63-68,共6页詹陈长 王勇 周晓方 闵昊 周电 
国家863项目(2003AA1Z1120)资助
通过一个0.18μm CMOS工艺、低功耗Sigma-Delta ADC调制器(SDM)部分的设计研究,提出了一种深亚微米下混合信号处理系统的设计方法,论述了从系统级行为验证到电路级验证的设计流程,与传统流程相比,在行为级验证中采用了SIMULINK建模方法...
关键词：深亚微米 Sigma—Delta 模数转换器 混合信号 宏模型 设计方法 
超深亚微米高速互连的信号串扰研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2006年第4期540-544,559,共6页史江一 马晓华 郝跃 方建平 朱志炜 
国家自然科学基金(60506020/F040208)
探讨了超深亚微米设计中的高速互连线串扰产生机制,提出了一种描述高速互连串扰的电容、电感耦合模型,通过频域变换方法对模型的有效性进行了理论分析。针对0.18μm工艺条件提出了该模型的测试结构,进行了流片和测量。实测结果表明,该...
关键词：串扰 互连 超深亚微米 信号完整性 
BARC工艺在亚微米光刻中的应用被引量：2
《固体电子学研究与进展》2005年第4期545-548,558,共5页顾志光 孙钧 郑国祥 龚大卫 
在表面强反射膜-多晶硅上进行亚微米光刻时,采用有机BARC(BottomAnti-ReflectiveCoating)工艺,降低了晶片表面的台阶高度,并有效地抑制了驻波效应,获得良好的光刻图形,从而使产品良率提高了6%～7%。
关键词：驻波效应 抗反射膜 亚微米 深亚微米光刻 
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