4H-SIC

作品数：647被引量：600H指数：8
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4H-SiC LDMOSFET沟道迁移率影响因素的研究
《电力电子技术》2022年第3期136-140,共5页高秀秀 邱乐山 戴小平 李诚瞻 
长株潭国家自主创新示范区专项(2018XK2202)。
为了研究4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道迁移率和界面态密度的影响因素,通过在N型4H-SiC(0001)外延片上制备不同沟道长度和宽度的横向扩散MOSFET(LDMOSFET),其干氧氧化的栅极氧化层在不同温度和时间的NO和/或N2气氛中...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 界面态密度 沟道迁移率 
抑制4H-SiC功率器件双极型退化的复合提高层设计被引量：1
《电力电子技术》2020年第10期75-76,79,共3页杨安丽 温正欣 宋华平 张新河 
广东省第三代半导体技术创新中心(2019B090-918006);广东省重点领域研发计划(2019B010127001)。
"双极型退化"是目前影响4H-碳化硅(SiC)双极型器件稳定工作的重要问题。针对此现象,以万伏级的超高压PiN二极管为例,详细介绍在衬底与外延层之间如何设计合适的"复合提高层"以抑制双极型退化。研究了器件工作电流密度和"复合提高层"少...
关键词：碳化硅 功率器件 双极型退化 复合提高层 
4H-SiC混合PiN/Schottky二极管电阻建模
《电力电子技术》2019年第9期117-120,共4页杜启雯 陶雪慧 
国家自然科学基金(51307113)~~
此处提出一种对碳化硅(SiC)混合PiN/Schottky(MPS)二极管导通电阻建模的方法。通过该模型可计算出MPS二极管在单极、小注入及大注入3种工作模式的导通电阻。在单极模式及小注入模式,该模型考虑了温度对迁移率的影响,而在大注入模式下电...
关键词：二极管 工作模式 导通电阻 
4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子效应加固研究被引量：2
《电力电子技术》2017年第9期64-67,共4页刘忠永 蔡理 刘保军 刘小强 
国家自然科学基金(11405270)~~
研究了"高K栅"介质HfO_2和电荷失配对4H-碳化硅(SiC)基半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET)单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)效应的影响,并给出了一种加固结构。研究结果表明,HfO_2介质的应用对器件SEB效应没有影...
关键词：垂直双扩散金属氧化物半导体效应管 单粒子效应 
超高压4H-SiC p-IGBT器件材料CVD外延生长被引量：1
《电力电子技术》2017年第8期30-33,共4页孙国胜 张新和 韩景瑞 刘丹 
国家重点研发计划(2016YFB0400402;2016YFB-0400901)~~
介绍偏晶向4H-SiC衬底上化学气相沉积(CVD)外延生长及其竞位掺杂方法,使用"热壁"CVD外延生长系统,在4英寸4°偏角n^+型4H-SiC衬底上进行了p型4H-SiC外延层及p型绝缘栅双极型晶体管(p-IGBT)器件用p^-n^+结构材料生长,利用Candela CS920...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 碳化硅 化学气相沉积 
1200 V 4H-SiC JBS二极管的研制被引量：1
《电力电子技术》2016年第9期100-102,共3页马骏 王曦 蒲红斌 封先锋 
陕西省科技统筹创新工程计划项目(2013KTCQ01-09);西安市科技计划项目(CXY1501)
通过理论分析与计算机仿真方法对1 200 V 4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管进行了设计与研究,实现了1 200 V/2 A,1 200 V/5 A及1 200 V/30 A三种等级管芯的研制。鉴于非均匀场限环(FLR)保护效率存在对工艺偏差敏感的问题,所设计...
关键词：二极管 结势垒肖特基 碳化硅 
650V/50A 4H-SiC JBS二极管的设计与验证被引量：1
《电力电子技术》2016年第8期101-102,108,共3页马骏 王曦 蒲红斌 陈治明 
陕西省科技统筹创新工程计划项目(2013KTCQ01-09)~~
对肖特基区宽度不同的4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管进行了仿真与实验研究。根据研究结果设计了一款兼具高功率处理能力与超低漏电流的4H-SiC JBS二极管并进行实验验证。实验结果显示所设计器件通态电阻为36 mΩ,反向耐压650 ...
关键词：二极管 结势垒肖特基 大功率 
CF4/ O2混合气体ICP刻蚀4H-SiC工艺研究
《电力电子技术》2016年第4期106-108,共3页吴文杰 梁琳 
国家自然科学基金(51377069);台达环境与教育基金会(DREG2013004);中国工程物理研究院脉冲功率科学与技术重点实验室基金(PPLF2013PZ02)~~
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀是宽禁带半导体材料4H-SiC加工工艺中的重要环节。采用CF_4/O_2作为刻蚀气体,首次用正交实验的方法系统研究了ICP功率、射频(RF)功率、CF_4流量、O_2流量等工艺参数对4H-SiC材料刻蚀速率的影响,结果表明刻蚀...
关键词：感应耦合等离子体刻蚀 刻蚀速率 混合气体 
A 2.7 kV 4H-SiC JBS Diode
《电力电子技术》2012年第12期72-73,共2页HUANG Run-hua LI Rui CHEN Gang LI Yun 
4H silicon carbide（4H-SiC） junction barrier Schottky（JBS） diode with breakdown voltage higher than 2.7 kV and active area of 2.8 mm2 has been successfully fabricated.The design,the fabrication,and the electrical c...
关键词：JBS 电力电子技术 MOSFET 晶体管 
大功率4H-SiC GTO晶闸管研究被引量：3
《电力电子技术》2011年第12期129-132,共4页雷海峰 金锐 温家良 刘明光 
国家电网公司科技项目(ZL71-09-001)~~
此处主要从SiC-GTO晶闸管设计的3个因素进行了研究,包括:击穿电压设计、两个等效晶体管共基极电流放大系数设计以及少子寿命取值设计。通过ATLAS器件仿真得到器件的击穿特性、内部电场分布及正向I-V曲线。最后通过Silvaco-TCAD提供的Mix...
关键词：晶闸管 击穿电压 少子寿命 开关特性 
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