INGAAS/INP

作品数：210被引量：371H指数：9
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As/P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面的影响研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第2期145-148,158,共5页王伟 高汉超 于海龙 马奔 尹志军 李忠辉 
采用分子束外延(MBE)方法,在半绝缘InP(100)衬底上外延InGaAs/InP超晶格结构。通过优化As、P转换时间,研究了As、P气氛转换对InGaAs/InP异质结界面特性的影响。经原子力显微镜测试和X射线衍射谱分析,样品在关P阀5 s、开As阀5 s的生长条...
关键词：分子束外延 双异质结双极型晶体管 INGAAS/INP 界面 
SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管热稳定性的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2016年第5期424-428,共5页谢俊领 程伟 王元 常龙 牛斌 陈堂胜 
报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件...
关键词：可靠性 热应力 存储加速寿命试验 磷化铟 双异质结双极性晶体管 
SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管直流性能的影响被引量：2
《固体电子学研究与进展》2015年第6期597-601,共5页谢俊领 程伟 王元 常龙 牛斌 陈堂胜 
研究了SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)直流性能的影响。在不同温度和不同气体组分条件下淀积了SiN薄膜,并对钝化器件的性能进行了测量和比较。结果表明,低的淀积温度有利于减小淀积过程对器件的损伤;采用氮气(N_2)和硅...
关键词：氮化硅 钝化 磷化铟 双异质结双极性晶体管 
最高振荡频率416GHz的太赫兹InGaAs/InP DHBT被引量：2
《固体电子学研究与进展》2013年第6期F0003-F0003,共1页程伟 王元 赵岩 陆海燕 牛斌 高汉超 
太赫兹技术（300GHz～3THz）在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l／f噪声等优点，非常适合于太赫兹单片集成功率放大器...
关键词：InGaAs InP 最高振荡频率 太赫兹 DHBT GHz 异质结双极型晶体管 集成功率放大器 l f噪声 
带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第1期138-141,148,共5页艾立鹍 徐安怀 孙浩 朱福英 齐鸣 
国家重点基础研究规划(973)项目(批准号:2002CB311902);国家自然科学基金项目(批准号:60676062)
设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)...
关键词：双异质结双极晶体管 气态源分子束外延 磷化铟 阶梯缓变集电区 
InAlAs/InGaAs/InP HEMT欧姆接触研究被引量：6
《固体电子学研究与进展》2008年第1期145-148,共4页康耀辉 林罡 李拂晓 
应用Au/Ge/Ni系金属在InAlAs/InGaAs/InP HEMT上成功制作了良好的合金欧姆接触。采用WN和Ti双扩散阻挡层工艺优化欧姆接触,在样品上获得了最低9.01×10-8Ω.cm2的比接触电阻,对应的欧姆接触电阻为0.029Ω.mm。同时,在模拟后续工艺环境的...
关键词：磷化铟 欧姆接触 温度稳定性 
InGaAs/InP量子线的子带结构和光学增益
《固体电子学研究与进展》2001年第1期50-56,共7页何国敏 郑永梅 王仁智 刘宝林 
福建省自然科学基金!资助课题 (No.E9910 0 0 5 )
采用有效质量理论 6带模型 ,计算了 In0 .53Ga0 .4 7As/ In P量子线的光学性质 ,具体计算了In0 .53Ga0 .4 7As/ In P量子线的能带结构、态密度、载流子浓度、光学跃迁矩阵元和光学增益谱 ,并把量子线的光学增益谱和量子阱的光学增益谱...
关键词：有效质量理论 量子线 光学增益 子带结构 
MOCVD生长InGaAs/InP体材料研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》1997年第3期262-267,共6页陈龙海 刘宝林 陈松岩 陈朝 黄美纯 王本忠 赵方海 刘式墉 
福建省自然科学基金;国家自然科学基金;集成光电子学国家重点实验室资助
首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件，而后分别给出了InP／InP的生长特性，InGaAs／InP的组份控制和生长特性及生长温度对InGaAs特性的影响。
关键词：MOCVD 化合物半导体 外延生长 Ⅲ-Ⅴ族 
LP－MOCVD生长伸张应变InGaAs／InP多量子阱的研究
《固体电子学研究与进展》1995年第3期239-243,共5页刘宝林 杨树人 陈佰军 刘式墉 
首先从理论上研究了在应变情况下量子阱中能级的计算，然后利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ组份的控制及生长条件，最后生长伸张应变为０．５％的四个量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ结构材料，利用ＰＬ光谱测量得最小阶宽...
关键词：伸张应变 量子阱 半导体 生长 
新型InGaAs/InP多量子阱异质结构掺杂超晶格光波导调制器
《固体电子学研究与进展》1993年第3期210-215,共6页林洪榕 
提出一种新型的InGaAs/InP多量子阱异质结构掺杂超晶格光波导调制器。这种结构的器件结合了多量子阱大的光吸收非线性和掺杂超晶格低激发强度的优点,因此具有低驱动偏压差、高通断比率和高的调制响应速率。低的驱动偏压差、小的器件尺...
关键词：多量子阱 掺杂超晶格 光波导调制器 
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