长波

作品数：1459被引量：3265H指数：22
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基于低温缓冲层的单片集成长波长可调谐光探测器
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1807-1810,共4页吕吉贺 黄辉 任晓敏 苗昂 李轶群 王睿 黄永清 王琦 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB314901);国家自然科学基金(批准号:60576018;90601002);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z416)资助项目~~
实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的InP基材料.基于此低温缓冲层,在GaAs衬底上首先生长GaAs/AlAs材料的F-P腔滤波器,然后异质外...
关键词：异质外延 可调谐 光电探测器 
键合方法制备长波长面发射的实验和分析被引量：5
《Journal of Semiconductors》2007年第3期444-447,共4页何国荣 郑婉华 渠红伟 杨国华 王青 吴旭明 曹玉莲 陈良惠 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2003CB314902)
通过疏水键合方法实现了InGaAsP/InP有源区与GaAs/AlAs DBR的单面和双面键合,并通过SEM,I-V曲线和反射谱、光致发光谱等手段研究了GaAs/InP键合界面的机械、光学和电学性质,良好的界面性质为使用键合技术制备长波长面发射激光器提供了...
关键词：键合 面发射激光器 光致发光谱 
基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期520-524,共5页李献杰 赵永林 蔡道民 曾庆明 蒲运章 郭亚娜 王志功 王蓉 齐鸣 陈晓杰 徐安怀 
国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312040,2002AA312040),重点实验室基金(批准号:51432070104ZK3401)和国家重大基础研究发展规划(批准号:2003CB314901)资助项目
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm...
关键词：InP INGAAS HBT PIN 光接收 OEIC 
一种长波长MOEMS可调谐滤波器的结构设计和分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第1期117-121,共5页吴旭明 王小东 何国荣 王青 曹玉莲 谭满清 
提出了一种微光机电系统(MOEMS)可调谐滤波器结构,该结构采用GaAs/AlGaAs作为下分布布拉格反射镜(DBR),GaAs和SiO2/Si介质膜作为上DBR,空气作为腔.按照波分复用系统的性能要求对MOEMS可调谐滤波器各项参数,如带宽、峰值透射率、挠度和...
关键词：微光机电系统 调谐 滤波器 
甚长波量子阱红外探测器光耦合性能被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1109-1114,共6页郭方敏 李宁 于绍欣 熊大元 林剑锋 侯颖 何瑜环 朱自强 陆卫 黄绮 周均铭 
国家自然科学基金(批准号:10374095);上海应用材料研究与发展基金(批准号:0306);上海市自然科学基金(批准号:04ZR14038);中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室资助项目~~
从实验、测试和计算结果出发,运用有限时域差分法(FDTD)和传统的模式扩展(MEM)理论,研究甚长波量子阱红外探测器(QWIP)几种衍射光耦合的表面近场效应和光耦合效率,重点考察QWIP45°面边耦合、光栅耦合QWIP结构、光栅尺寸、工艺条件的变...
关键词：量子阱红外探测器 光耦合 2D光栅 响应率 探测率 
掩埋隧道结在长波长VCSEL结构中的应用被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期309-313,共5页刘成 吴惠桢 劳燕锋 黄占超 曹萌 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2003CB314903)
采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p+-AlIn-As-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-AlInAs-n+-InP隧道结性能优于p+-InP-n+-InP隧道结.在InP(1...
关键词：隧道结 垂直腔面发射激光器 光电特性 
电流冲击对长波光导MCT探测器的影响
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期314-317,共4页刘大福 吴礼刚 徐国森 章连妹 靳秀芳 龚海梅 
对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命.实验结果显示:短时间(42mA,70h)的电流冲击对探测...
关键词：电流冲击 MCT 光导探测器 响应光谱 少子寿命 
128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面阵列被引量：13
《Journal of Semiconductors》2005年第10期2044-2047,共4页苏艳梅 种明 张艳冰 胡小燕 孙永伟 赵伟 陈良惠 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA313100)~~
研制了128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面阵列,它是目前国内报道的最大像元数的量子阱红外焦平面阵列.77K时,器件的平均黑体响应率Rv=2.81×107V/W,平均峰值探测率Dλ=1.28×1010cm·W-1·Hz1/2,峰值波长λp=8.1μm,器件的盲元率...
关键词：红外探测器 量子阱 焦平面阵列 
基于InP/空气隙布拉格反射镜的长波长谐振腔光电探测器被引量：6
《Journal of Semiconductors》2004年第2期170-173,共4页黄辉 王兴妍 王琦 黄永清 任晓敏 高俊华 张胜利 刘宇 祝宁华 马骁宇 杨晓红 吴荣汉 
国家高技术研究发展计划 (编号 :2 0 0 2 AA3 12 2 9Z);国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 10 3 5 )资助项目~~
报道了一种长波长的 In P基谐振腔 (RCE)光电探测器 .采用选择性湿法刻蚀 ,制备出基于 In P/空气隙的分布布拉格反射镜 ,并将该结构的反射镜引入 RCE光电探测器 .制备的器件在波长 1.5 10 μm处获得了约 5 9%的峰值量子效率 ,以及 8GHz...
关键词：谐振腔增强型光电探测器 长波长 空气隙 选择性湿法刻蚀 
梯度Si_(1-c)Ge_c混晶太阳电池长波光谱响应及其短路电流的理论计算与分析
《Journal of Semiconductors》2000年第11期1122-1128,共7页李成虎 赵玉文 黎雪梅 王福永 王玉亭 阎晓彬 陆炜 
提出了一种新型 Si/Si1- c Gec太阳电池结构 .对长波波段的响应区域—Si基区 Si1- c Gec梯度区光生少子分布进行了求解 .根据电流连续性原理计算了光谱响应 SR,讨论了电池结构和梯度区最大锗浓度 c对光生电流 JI的影响 .结果表明 :在一...
关键词：梯度 太阳电池 锗化硅 混晶 光谱响应 短路电流 
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