国家自然科学基金(69736020)

作品数：15被引量：21H指数：4
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相关作者：冯耀兰宋安飞张海鹏魏同立杨国勇更多>>
相关机构：东南大学中华人民共和国工业和信息化部中国科学院安徽大学更多>>
相关期刊：《材料科学与工艺》《电子器件》《功能材料与器件学报》《安徽大学学报（自然科学版）》更多>>
相关主题：SOIMOS器件绝缘层上硅MOSFET金属-氧化物-半导体场效应晶体管更多>>
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EM NMOST和AM PMOST组合TF SOI CMOS非门下降时间的温度模型
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期36-39,共4页张海鹏 魏同立 冯耀兰 汪沁 张正璠 
国家自然科学基金资助项目(批准号:69736020,60306003) Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos. 69736020,60306003)
详细介绍了EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门下降时间的温度电学模型建立过程.分别进行了27,100,150,250,250,300 ℃的非门瞬态特性实验.实验结果表明,EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门的下降时间随温度升高稍有增加,...
关键词：绝缘层上硅 CMOS 高温 模型 下降时间 
TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第1期18-22,共5页张海鹏 魏同立 宋安飞 
国家自然科学基金资助重点项目 (批准号 :6973 60 2 0 );模拟集成电路国家级重点实验室资助项目 (批准号 :2 0 0 0 JS0 9.8.1JW0 60 4)
从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFE...
关键词：SOI PMOSFET 导电机理 漏电流 二维解析模型 薄膜积累型 P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管 
薄膜SOI MOS器件阈值电压的解析模型分析被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第1期27-29,41,共4页冯耀兰 杨国勇 张海鹏 
国家自然科学基金资助重点项目 (批准号 :6973 60 2 0 );模拟集成电路国家级重点实验室资助项目 (批准号 :2 0 0 0 JS0 9.8.1JW0 60 4)
研究了薄膜全耗尽增强型 SOIMOS器件阈值电压的解析模型 ,并采用计算机模拟 ,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度及温度对阈值电压影响的三维分布曲线 ,所得到的模拟结果和理论研究结果相吻合。
关键词：SOI MOS器件 绝缘层上硅 金属-氧化物-半导体 阈值电压 解析模型 
薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究
《电子器件》2002年第1期18-21,共4页冯耀兰 樊路加 宋安飞 施雪捷 张正璠 
国家自然科学基金资助重点项目 (批准号:6973 60 2 0 );模拟集成电路国家级重点实验室资助项目(批准号 :2 0 0 0 JS 0 9.8.1JW0 60 4)
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7～ 3...
关键词：绝缘体上硅 金属-氧化物-半导体 薄膜 积累型 高温特性 MOS器件 
PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第10期1320-1324,共5页张海鹏 魏同立 冯耀兰 姚炜 宋安飞 
国家自然科学基金资助重点项目 (批准号 :6 9736 0 2 0 )~~
报道了一个部分耗尽 (PD) SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型 .该模型从 PD SOI NMOSFET器件的物理结构 ,即由顶部的 NMOSFET和底部的寄生 BJT构成这一特点出发 ,以一定温度下 PD SOI NMOSFET体-射结电流与漏 -体结电流的动态平衡为核...
关键词：PD SOI NMOSFET 翘曲效应 温度解析模型 场效应晶体管 
宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法被引量：4
《固体电子学研究与进展》2001年第4期448-452,共5页冯耀兰 宋安飞 张海鹏 樊路加 
国家自然科学基金重点项目 (批准号 :6 9736 0 2 0 )
首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流...
关键词：宽温区 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 载流子迁移率 
硅体费米势在(300～600K)宽温区温度特性的研究
《电子器件》2001年第4期314-317,共4页杨国勇 宋安飞 冯耀兰 
国家自然科学基金重点项目 (批准号 :6 9736 0 2 0 )
本文首先简要分析了 MOSFET阈值电压随温度的变化率 ,讨论了影响阈值电压温度特性的主要因素——体费米势的温度特性 ,最后给出了一种比较精确的线性拟合模型 。
关键词：体费米势 温度特性 硅 宽温区 
宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计被引量：5
《固体电子学研究与进展》2001年第3期258-264,共7页冯耀兰 魏同立 张海鹏 宋安飞 罗岚 
国家自然科学基金资助重点项目 (批准号 :6973 60 2 0 )
在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相...
关键词：集成电路 体硅 宽温区 互补金属-氧化物-半导体倒相器 优化设计 
Si(001)衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长
《材料科学与工艺》2001年第3期253-255,共3页孙国胜 罗木昌 王雷 朱世荣 李晋闽 林兰英 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家自然科学基金资助项目 ( 6 9736 0 2 0 )
Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注 ,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程 ,采用LPCVD方法在Si(0 0 1)衬底上生长出了方形 3C -SiC岛 ,利用Nomarski光学显微镜和扫描电子显微镜 (SEM )观察了SiC岛的形状、尺寸、密度和界面形貌 .结果...
关键词：方形3C-SiC LPCVD Si(001)衬底 半导体材料 碳化硅 硅衬底 异质外延生长 
一种自动体偏置多阈值电压高温SOI CMOS电路被引量：1
《功能材料与器件学报》2001年第2期175-178,共4页张海鹏 魏同立 杨国勇 冯耀兰 宋安飞 
国家自然科学基金重点项目(69736020)
提出了一种高温 SOI CMOS电路设计方法—自动体偏置多阈值电压 SOI CMOS(简称 ABB－MT－ SOI CMOS： Auto－ Bulk－ Biased Multi－ Threshold SOI CMOS)电路。文中主要讨论了 ABB－MT－ SOI CMOS电路的结构与工作原理 ,设计与布局等，...
关键词：自动体偏置 多阈值电压 高温 SOICMOS电路 
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