微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金

作品数：30被引量：42H指数：4
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相关作者：叶玉堂焦世龙陈堂胜韩平王荣华更多>>
相关机构：南京电子器件研究所电子科技大学微波毫米波单片集成和模块电路国家级 重点实验室南京大学更多>>
相关期刊：《功能材料与器件学报》《传感技术学报》《光学学报》《微电子学》更多>>
相关主题：光接收机前端化学气相淀积GAAS_PHEMT眼图光电集成电路更多>>
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光电集成光接收机前端及限幅放大器的研制被引量：3
《光学学报》2010年第3期777-781,共5页范超 陈堂胜 杨立杰 冯欧 焦世龙 吴云峰 叶玉堂 
单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(9140C1406020708)资助课题
基于国内的材料生产和半导体工艺条件,研制了10 Gb/s光电集成(OEIC)光接收机前端,并采用耗尽型赝配高电子迁移晶体管(PHEMT)设计并实现了限幅放大器。光接收机前端组成形式为金属-半导体-金属(MSM)光探测器和电流模跨阻放大器,借助模拟...
关键词：集成光学 金属-半导体-金属光探测器 电流模跨阻放大器 限幅放大器 
OEIC台面腐蚀工艺研究
《固体电子学研究与进展》2009年第2期241-244,共4页范超 栗锐 陈堂胜 杨立杰 冯欧 冯忠 陈辰 焦世龙 叶玉堂 
单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(No.9140C1406020708)
深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问...
关键词：腐蚀自停止 光电集成电路 台面工艺 
5Gb／s单片集成光接收机前端模拟仿真及研制
《光电工程》2008年第11期29-32,72,共5页范超 陈堂胜 陈辰 焦世龙 陈镇龙 刘霖 王昱琳 叶玉堂 
单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(9140C1406020708)
基于0.5μmGaAs PHEMT标准工艺研制了850nm单片集成光接收机前端,集成方式为PIN光探测器和跨阻放大器。论文依据已发表的文献数据为基础并借助SILVACO公司的模拟软件建立探测器模型,实验结果表明,模型和实测结果对比有较好的一致性。光...
关键词：光电集成电路 PHEMT PIN 跨阻放大器 ATLAS 
短波长OEIC光接收机前端设计及制作被引量：1
《微电子学》2008年第5期713-717,共5页范超 陈堂胜 陈辰 焦世龙 陈镇龙 刘霖 王昱琳 叶玉堂 
单片集成电路与模块国家级重点实验室基金资助项目(9140C1406020708)
基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带...
关键词：光电集成电路 光接收机前端 PIN 金属-半导体-金属 跨阻放大器 分布参数放大器 
单片集成GaAsPIN／PHEMT光接收机前端工艺研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第4期540-544,共5页冯忠 焦世龙 冯欧 杨立杰 蒋幼泉 陈堂胜 陈辰 叶玉堂 
国家自然科学基金(No.60277088);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(No.51491050105DZ0201)
利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结...
关键词：单片集成 光探测器 分布放大器 光接收机 眼图 
具有增益均衡功能的新型宽带MMIC放大器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第4期506-510,共5页汪珍胜 陈效建 郑惟彬 李辉 
单片集成电路与模块国家级重点实验室基金资助支持(项目号:51491010206502)
由于行波管"山丘状"功率增益特性需要补偿,提出了具有增益均衡功能的新型宽带单片放大器结构。利用FET作可调元件的嵌入式低损无源滤波网络实现了增益均衡功能。设计中采用了有别于传统的分布放大器形式,选择了高效率高增益级联型单级...
关键词：微波单片集成电路 频率均衡器 可调增益 级联型分布放大器 微波功率模块 
4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响被引量：2
《半导体技术》2008年第S1期247-249,共3页陈刚 陈雪兰 柏松 李哲洋 韩平 
国家"973"重点基础研究项目(2006CB604900);国家"863"高技术研究发展计划(2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(6039072;60421003;60676057);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金(BK2005210);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605)
研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3...
关键词：4H-SIC 缺陷 肖特基二极管 理想因子 势垒高度 测试 
生长参数对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜中元素分布的影响
《真空科学与技术学报》2008年第S1期52-55,共4页梅琴 韩平 王荣华 吴军 夏冬梅 葛瑞萍 赵红 谢自力 修向前 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(No.2006CB604900);国家高技术研究发展规划(No.2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(No.60421003);高等学校博士学科点专项科研基金(No.20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(No.9140C1404010605)
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGex∶C合...
关键词：Si1-xGex∶C合金薄膜 扩散 能量色散谱仪 化学气相淀积 
GaN/Al_2O_3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长
《真空科学与技术学报》2008年第S1期9-12,共4页王荣华 韩平 曹亮 梅琴 吴军 葛瑞萍 谢自力 陈鹏 陆海 顾书林 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(No.2006CB604900);国家高技术研究发展规划(No.2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(No.60421003);高等学校博士学科点专项科研基金(No.20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(No.9140C1404010605)
本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨。研究结果表明:直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光...
关键词：化学气相淀积 Ge薄膜 GAN 金属In 
Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3溅射靶材的烧制和性能分析
《功能材料与器件学报》2008年第2期358-361,共4页张龙 朱健 卓敏 
单片集成电路与模块国家级重点实验室基金资助(No.9140C1405020607)
介绍了BST压电陶瓷靶的烧制方法,使用添加剂改善了Ba0.6Sr0.4TiO3靶材的结构和性能,解决了BST靶材热稳定性差的问题,同时优化了BST靶材的晶化效果,提高介电性能。实验通过XRD衍射和P-E试验分析了所制BST溅射靶的微结构和铁电特性。
关键词：BST 压电陶瓷 热稳定性 XRD衍射 P—E试验分析 
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