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国家自然科学基金(60976068): 作品数：21被引量：27H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：刘红侠袁博曹磊匡潜玮李劲更多>>; 相关机构：西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《数据采集与处理》《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》《西安电子科技大学学报》更多>>; 相关主题：HFO乘法器高K栅介质阈值电压解析模型逻辑单元更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

定点小数乘法器的低功耗算法与实现技术: 《中南大学学报（自然科学版）》2014年第1期132-141,共10页袁博刘红侠; 国家自然科学基金资助项目(60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708083);教育部博士点基金资助项目(200807010010); 针对集成电路前端设计中的定点小数乘法器,提出一种既能够优化其内部加法器数量又能优化各级加法结果位宽的低功耗算法,而且在算法的实现技术上,解决目前低功耗设计中算法自身逻辑单元引入被优化系统从而降低系统优化效果的问题。在介...; 关键词：定点小数乘法加法器数量位宽缺省逻辑单元功耗面积

针对定点小数乘法器位宽的优化算法: 《西安电子科技大学学报》2013年第5期113-118,共6页袁博刘红侠; 国家自然科学基金资助项目(60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708083);教育部博士点基金资助项目(200807010010); 提出了一种针对定点小数乘法器位宽的低功耗优化算法,阐述了其基本原理及实现方案,并通过现场可编程门阵列(FPGA)测试,验证了该算法的低功耗优化效果.在算法上,其优化指标为小数乘法器内部寄存中间运算结果的寄存器位宽;而在实现技术上...; 关键词：小数乘法位宽缺省逻辑单元功耗

针对乘法器内部加法运算次数的优化算法被引量：2: 《西安电子科技大学学报》2013年第3期102-108,共7页袁博刘红侠; 国家自然科学基金资助项目(60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708083);教育部博士点基金资助项目(200807010010); 提出一种针对乘法器的低功耗设计算法,其优化指标为乘法器内部加法运算次数.在实现技术上,解决了目前低功耗设计中算法自身逻辑单元被引入系统从而降低系统优化效果的问题.该算法能够在不降低系统工作效率、不损失系统运算精度、不增加...; 关键词：乘法系数加法运算数量优化逻辑单元功耗分析

小数乘法器的低功耗设计与实现被引量：1: 《数据采集与处理》2013年第3期376-381,共6页袁博刘红侠; 国家自然科学基金(60976068)资助项目;教育部科技创新工程重大项目培育资金(708083)资助项目;教育部博士点基金(200807010010)资助项目; 提出一种针对小数乘法器的低功耗设计算法,其优化指标为综合后小数乘法器内部寄存中间运算结果的寄存器位宽,解决了目前低功耗设计中算法自身逻辑单元被引入系统从而降低系统优化效果的问题。该算法能够在不降低系统工作效率、不损失系...; 关键词：小数乘法器低功耗设计数据宽度优化逻辑

单Halo全耗尽应变Si绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型被引量：1: 《物理学报》2013年第10期428-433,共6页辛艳辉刘红侠范小娇卓青青; 国家自然科学基金(批准号:60976068;61076097);教育部博士点基金资助项目(批准号:20110203110012)资助的课题~~; 为了改善金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的短沟道效应(SCE)、漏致势垒降低(DIBL)效应,提高电流的驱动能力,提出了单Halo全耗尽应变硅绝缘体(SOI)MOSFET结构,该结构结合了应变Si,峰值掺杂Halo结构,SOI三者的优点.通过求解二维泊松方程...; 关键词：应变SI 阈值电压短沟道效应漏致势垒降低

Fabrication of 150-nm Al_(0.48)In_(0.52)As/Ga_(0.47)In_(0.53)As mHEMTs on GaAs substrates被引量：3: 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》2012年第12期2389-2391,共3页WU XiaoFeng LIU HongXia LI HaiOu LI Qi HU ShiGang XI ZaiFang ZHAO Jin; supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61274026,60274077 and 60976068);the Scientific Research Fund of Hunan Provincial Education Department(Grant No. 10C0709);the Science and Technology Plan Foundation of Hunan Province(Grant No.2011GK3058); High performance 150-nm gate-length metamorphic Al0.48In0.52As/Ga0.47In0.53 As high electron mobility transistors(mHEMTs) with very good device performance have been successfully fabricated.A T-shaped gate is fabricat...; 关键词：AlInAs/GaInAs mHEMTs GaAs substrate T-GATE

新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应研究被引量：3: 《物理学报》2012年第17期470-475,共6页曹磊刘红侠; 国家自然科学基金(批准号:60976068;60936005);教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(批准号:708083);教育部博士点基金(批准号:200807010010)资助的课题~~; 本文提出了一个新型的SOI埋层结构SOANN(silicon on aluminum nitride with nothing),用AIN代替传统的SiO2材料,并在SOI埋氧化层中引入空洞散热通道.分析了新结构SOI器件的自加热效应.研究结果表明:用AIN做为SOI埋氧化层的材料,降低了...; 关键词：自加热效应漏致势垒降低 ALN 空洞

Luminescence of a GaN grain with a nonpolar and semipolar plane in relation to microstructural characterization: 《Chinese Physics B》2012年第6期520-524,共5页周小伟许晟瑞张进成党纪源吕玲郝跃郭立新; Project supported by the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China (Grant No. K50511250002);the National Key Science and Technology Special Project,China (Grant No. 2008ZX01002-002);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60736033,60976068,and 61076097); We report on the growth of the high-quality GaN grain on a r-plane sapphire substrate by using a self-organized SiN interlayer as a selective growth mask. Transmission electron microscopy, scanning electron microscopy...; 关键词：NONPOLAR SEMIPOLAR GAN yellow luminescence

ALD淀积温度对HfO_2高k栅介质材料特性的影响被引量：3: 《西安电子科技大学学报》2012年第2期164-167,共4页匡潜玮刘红侠樊继斌马飞张言雷; 国家自然科学基金资助项目(60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金资助项目(708083);教育部博士点基金资助项目(200807010010); 采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分...; 关键词：高K栅介质二氧化铪原子层淀积生长温度氧化层缺陷

极化效应对AlGaN/GaN异质结p-i-n光探测器的影响: 《物理学报》2012年第5期452-458,共7页刘红侠高博卓青青王勇淮; 国家自然科学基金(批准号:61076097,60976068);教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(批准号:708083);微电子预研资助项目(批准号:513080401)资助的课题~~; 基于等效薄层电荷近似模拟表征极化电荷的作用,通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程以及求解载流子连续性方程,计算并且讨论了p-AlGaN层掺杂浓度和界面极化电荷对AlGaN/GaN异质结p-i-n紫外探测器能带结构和电场分布以及光电响应的影响...; 关键词：ALGAN/GAN异质结光探测器 p-i-n结构极化效应

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