栅介质

作品数：268被引量：261H指数：6
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基于微孔SiO_2栅介质的透明氧化物薄膜晶体管
《材料导报》2013年第6期33-36,共4页颜钟惠 王瑶 吴国栋 轩瑞杰 李想 
国家自然科学基金(11104288);宁波市自然科学基金(2011A610202)
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备微孔SiO2薄膜并将其作为栅介质,制作了基于微孔SiO2栅介质层的透明氧化物薄膜晶体管。利用场发射扫描电镜、阻抗分析仪以及半导体分析仪对样品进行表征。结果表明,微孔SiO2栅介质具有双电层效应...
关键词：微孔SiO2 双电层效应 透明氧化物 薄膜晶体管 
高K栅介质材料的研究现状与前景被引量：1
《材料导报》2010年第21期25-29,共5页余涛 吴雪梅 诸葛兰剑 葛水兵 
国家自然科学基金(10975106);信息功能材料国家重点实验室开放课题资助
论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性...
关键词：高K栅介质 HFO2 Hf基高K栅介质材料 MOSFET器件 
反应溅射SiO_xN_y栅介质薄膜的成分及C-V特性研究
《材料导报》2009年第20期11-12,16,共3页徐文彬 王德苗 
集美大学预研基金(4411-C60825);国家自然科学基金(50172042)
在前期工作基础上,研究了不同反应气体组合条件下SiOxNy栅介质薄膜的反应溅射制备。反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积速率的不同,并进一步导致薄膜电学性能的差异。对薄膜电容-电压特性的分析表明,沉积速率降低会使薄膜体...
关键词：氮氧化硅 氮氧比 C-V特性 栅介质 
多元高k氧化物材料的研究进展
《材料导报》2009年第15期35-39,共5页苏伟涛 王锦程 
浙江省教育厅科研项目(Y20080481)
近年来,多元高k氧化物材料一直是高k材料研究的热点。从材料结构以及物理性能研究方面对多元高k氧化物如多元稀土氧化物、多元过渡金属氧化物、稀土氧化物-过渡金属化合物的最新研究进行了总结。并对高k材料中最有应用潜力的氮氧化物和...
关键词：栅介质薄膜 高K材料 多元稀土氧化物 氮氧化物 
高k值HfO_2栅介质材料电学特性的研究进展被引量：9
《材料导报》2007年第1期22-26,共5页田书凤 彭英才 范志东 张弘 
河北省自然科学基金(编号:503125)资助项目
随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料。介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐...
关键词：高介电常数 HFO2栅介质 等效SiO2介电层厚度 电学特性 
新一代栅介质材料——高K材料被引量：5
《材料导报》2006年第2期17-20,25,共5页李驰平 王波 宋雪梅 严辉 
北京市教育委员会科技发展计划(Km200310005011);北京市优秀人才培养专项经费资助项目(20041D0501513);北京市"中青年骨干教师培养计划"项目
介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解...
关键词：高K材料 SiO2栅介质减薄 等效SiO2厚度 介质材料 高介电常数材料 一代 发展趋势 微电子工业 CMOS SIO2 
Hf基高K栅介质材料研究进展被引量：4
《材料导报》2005年第11期20-23,共4页王韧 陈勇 
随着微电子技术的不断发展,MOSFET 的特征尺寸已缩小至100nm 以下,SiO_2作为栅介质材料已不能满足技术发展的需求,因此必须寻求一种新型高 K 的介质材料来取代 SiO_2。当今普遍认为 Hf 基栅介质材料是最有希望取代 SiO_2而成为下一代 MO...
关键词：高介电常数 栅介质材料 HFO2 HFSION 层叠结构 高K栅介质 Hf 材料研究 MOSFET 微电子技术 
高介电常数栅极电介质材料的研究进展被引量：4
《材料导报》2005年第3期37-39,51,共4页张化福 祁康成 吴健 
电子科技大学青年基金(基金编号 YF020503)
随着半导体技术的飞速发展,作为硅基集成电路核心器件的 MOSFET 的特征尺寸正以摩尔定律的速度缩小。然而,当传统栅介质层 SiO_2的厚度减小到原子尺寸时,由于量子隧穿效应的影响,SiO_2将失去介电性能,致使器件无法正常工作。因此,必须...
关键词：栅介质 栅极 高介电常数材料 特征尺寸 栅电介质材料 MOSFET 集成电路 正常 研究进展 层厚 
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