势垒

作品数：1290被引量：1701H指数：12
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外加磁场对含双δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋输运和散粒噪声的影响被引量：3
《Journal of Semiconductors》2008年第6期1147-1151,共5页杜坚 李志文 张鹏 
研究了外磁场存在时,含双δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关的透射概率和散粒噪声,讨论了量子尺寸效应和Rashba自旋轨道耦合效应.研究结果表明:不同自旋取向的电子隧穿异质结时,透射概率和散粒噪声随半导体长度的变化特性是作...
关键词：势垒 铁磁/半导体/铁磁异质结 Rashba自旋轨道耦合效应 透射概率 散粒噪声 
双势垒量子阱薄膜力电耦合特性实验被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第8期1211-1215,共5页谢斌 薛晨阳 张文栋 熊继军 张斌珍 
国家自然科学基金资助项目(批准号:50375050)~~
用分子束外延方法在(001)GaAs衬底上生长了AlAs/InGaAs双势垒量子阱薄膜结构.介绍了量子阱薄膜在(110)与(110)方向单轴压应力作用下的力电耦合实验,测试出量子阱薄膜在室温下随着外加压力变化的I-V曲线.测试结果表明:量子阱薄膜I-V曲线...
关键词：纳机电器件 力电耦合 单轴压力 双势垒量子阱 
高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第4期592-596,共5页刘宗顺 赵德刚 朱建军 张书明 段俐宏 王海 史永生 刘文宝 张爽 江德生 杨辉 
制作了反向饱和电流为5.5×10-14A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm...
关键词：肖特基势垒 紫外探测器 GaN 开路电压 禁带边 表面态 
Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管的研制被引量：3
《Journal of Semiconductors》2007年第3期435-438,共4页张发生 李欣然 
高校青年教师科研基金资助项目
采用微电子平面工艺，射频溅射Mo作肖特基接触，电子束热蒸发金属Ni作欧姆接触，三级场限环终端表面保护．并通过对Mo接触进行合理的高温退火，不降低理想因子和反向耐压特性情况下，有效控制肖特基势垒高度在1．2～1．3eV范围内，成功...
关键词：SIC MO 肖特基二极管 
Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的制备及性能
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期394-397,共4页马志勇 王晓亮 胡国新 肖红领 王翠梅 冉军学 李建平 
中国科学院知识创新工程重要方向项目(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002)以及国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究.测试结果表明该...
关键词：ALGAN/ALN/GAN Pendell(o)sung条纹 金属有机物化学气相沉积 高电子迁移率晶体管 
AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期388-390,共3页王新华 王晓亮 肖红领 王翠梅 冉军学 罗卫军 王保柱 冯春 杨翠柏 马志勇 胡国新 曾一平 李晋闽 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60576046)
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti/Al/Ti/Au,均采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω/cm2...
关键词：AlGaN/AlN/GaN异质结 肖特基二极管 势垒高度 
GaAs-Al_xGa_(1-x)As双势垒结构中电子共振隧穿寿命被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第10期1929-1933,共5页宫箭 梁希侠 班士良 
国家自然科学基金(批准号:10164003);内蒙古大学青年科技基金(批准号:ND0206)资助项目~~
采用转移矩阵和数值计算相结合的方法求解含时Schrdinger方程,计算了电子在双势垒结构中的构建时间和隧穿寿命.结果表明:构建时间和隧穿寿命对于描述电子隧穿时间特性同等重要.通过研究隧穿时间对结构参数的依赖情况发现,隧穿寿命随阱...
关键词：双势垒 共振隧穿 寿命 
SiGe HBT发射极延迟时间模型
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1384-1389,共6页胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 朱永刚 王顺祥 王伟 崔晓英 王青 王喜媛 
国家部委预研基金资助项目(批准号:41308060108;51408010301DZ0131)~~
在对SiGeHBT(异质结双极晶体管)载流子输运的研究基础上,建立了包括基区扩展效应SiGeHBT发射极延迟时间τe模型.发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关.在正偏情况下,通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用,此时需要考...
关键词：SIGE HBT 势垒电容 发射极延迟时间 
CF_4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1434-1436,共3页刘倜 欧文 
国家重点基础研究专项经费(批准号:G20000365);国家自然科学基金(批准号:60276023)资助项目~~
嵌入式FlashMemory要求低的工作电压.采用反应离子刻蚀技术,用CF4气体在低功率下对硅片做预处理,再热生长薄氧化层,从而在氧化层中引入F,降低氧化层势垒:势垒高度从3.05eV降低到2.5eV,隧穿电流增加,从而可以在低压下提高FlashMemory的...
关键词：FLASH MEMORY 漏电流 电子势垒 F化隧穿氧化层 
Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1197-1202,共6页黄伟 卢建政 张利春 高玉芝 金海岩 
提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变...
关键词：Ni(Zr)Si 热稳定性 X射线衍射 RAMAN光谱 肖特基二极管 
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