全耗尽

作品数：92被引量：86H指数：5
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双栅双应变沟道全耗尽SOI CMOS的瞬态特性分析
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1566-1569,共4页孙立伟 高勇 杨媛 刘静 
西安-应用材料创新基金资助项目(批准号:XA-AM-200514)~~
在提出双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFET新结构的基础上,模拟了沟道长度为25nm时基于新结构的CMOS瞬态特性.结果表明,单栅工作模式下,传统应变SiGe(或应变Si)器件的CMOS电路只能实现上升(或下降)时间的改善,而基于新结构的CMOS电路能同...
关键词：双栅 双应变沟道 CMOS 
隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响
《Journal of Semiconductors》2008年第3期559-562,共4页许剑 丁磊 韩郑生 钟传杰 
在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上,对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论.通过与一维模型的比较,说明在深亚微米SOI MOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应.新模型结果与二维数...
关键词：阈值电压 二维效应 全耗尽SOI HALO结构 
双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs的特性分析被引量：3
《Journal of Semiconductors》2008年第2期338-343,共6页高勇 孙立伟 杨媛 刘静 
西安市应用材料创新基金资助项目(批准号:XA-AM-200514)~~
提出了一种全新的器件结构——双栅双应变沟道全耗尽SOIMOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)驱动能力与体Si沟道相比,nMOS提高了43%,pMOS提高了67%;工作在双栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)与...
关键词：双栅 双应变沟道 短沟道效应 
不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第5期750-754,共5页王宁娟 刘忠立 李宁 于芳 李国花 
研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的...
关键词：SOI 全耗尽 总剂量辐射 器件模拟 
薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1120-1124,共5页刘梦新 高勇 张新 王彩琳 杨媛 
在300～600K温度范围内,利用ISETCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOICMOS倒相器静态特性和瞬态特性,并提出了一种改进的AlN DSOI结构.结果显示,SOICMOS电路的阈值电压对温度较为敏感,随着温度的升高...
关键词：全耗尽 自加热效应 高温 瞬态特性 DSOI 互补金属-氧化物-半导体倒相器 
超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能
《Journal of Semiconductors》2003年第10期1099-1102,共4页章宁琳 宋志棠 沈勤我 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (Nos .G2 0 0 0 0 36 5 ;0 0 1CB6 10 40 8)~~
采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管 (MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜 .X射线光电子能谱 (XPS)分析结果显示 :ZrO2 薄膜成分均一 ,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空...
关键词：超高真空电子束蒸发法 全耗尽SOI MOSFET 高K栅介质 ZRO2 
全耗尽CMOS/SOI工艺被引量：11
《Journal of Semiconductors》2003年第1期104-108,共5页刘新宇 孙海峰 刘洪民 陈焕章 扈焕章 海潮和 和致经 吴德馨 
对全耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :氮化 H2 - O2 合成薄栅氧、双栅和注 Ge硅化物等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级...
关键词：全耗尽 CMOS SOI工艺 氮化H2-O2合成薄栅氧 双栅 注Ge硅化物 注锗 
薄膜全耗尽SOICMOS器件和电路被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第7期947-950,共4页孙海锋 刘新宇 海潮和 
对全耗尽 SOI(FD SOI) CMOS器件和电路进行了研究 ,硅膜厚度为 70 nm.器件采用双多晶硅栅结构 ,即NMOS器件采用 P+多晶硅栅 ,PMOS器件采用 N+多晶硅栅 ,在轻沟道掺杂条件下 ,得到器件的阈值电压接近0 .7V.为了减小源漏电阻以及防止在沟...
关键词：SOI CMOS器件 半导体器件 
45ps的超高速全耗尽CMOS/SOI环振
《Journal of Semiconductors》2000年第8期830-832,共3页刘新宇 孙海峰 海潮和 吴德馨 
亚微米全耗尽 SOI( FDSOI) CMOS器件和电路经过工艺投片 ,取得良好的结果 ,其中工作电压为 5V时 ,0 .8μm全耗尽 CMOS/ SOI1 0 1级环振的单级延迟仅为 45ps;随着硅层厚度的减薄和沟道长度的缩小 ,电路速度得以提高 ,0 .8μm全耗尽 CMOS/...
关键词：CMOS/SOI器件 环振 集成电路 
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