热载流子

作品数：305被引量：256H指数：7
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JLNT-FET和IMNT-FET中传导机制对电热特性影响研究
《微电子学》2023年第5期910-916,共7页刘先婷 刘伟景 李清华 
国家自然科学基金资助项目(52177185,62174055)
无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力而被关注,自热效应(SHE)作为影响其电热性能的关键问题而被广泛研究。文章基于TCAD数值仿真,通过对环...
关键词：无结纳米管场效应晶体管 反转模式纳米管场效应晶体管 电热特性 自热效应 热载流子注入 
混合模式电应力损伤对SiGe HBT器件1/f噪声特性的影响研究
《微电子学》2022年第5期905-909,共5页马羽 唐新悦 罗婷 易孝辉 张培健 
国防科技工业抗辐照应用技术创新中心创新基金资助项目(KFZC2020020702)。
研究了混合模式应力损伤对SiGe HBT器件直流电性能的影响,对比了混合模式损伤前后器件1/f噪声特性的变化。结果表明,在SiGe HBT器件中,混合模式损伤在Si/SiO_(2)界面产生界面态缺陷P_(b),导致小注入下基极电流增加;H原子对多晶硅晶界悬...
关键词：1/f噪声 SiGe HBT 热载流子 界面态 混合模式损伤 
先进MOSFET中1/f噪声研究进展被引量：1
《微电子学》2021年第3期390-398,共9页马婷 任芳 夏世琴 廖希异 张培健 
国防科技工业抗辐照应用技术创新中心创新基金资助项目(KFZC2020020702)。
全面综述了先进金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的1/f噪声研究进展。界面态、器件结构、材料缺陷、量子效应等诸多因素均会影响1/f噪声。随着工艺尺寸的持续缩小和高k介质材料的应用,以及热载流子效应、辐照损伤等因素的影响,MOS...
关键词：1/f噪声 MOSFET 高k介质 热载流子 辐照损伤 
AlGaN/GaN HEMT的恒压电应力退化研究被引量：1
《微电子学》2020年第2期276-280,共5页张璐 宁静 王东 沈雪 董建国 张进成 
国家自然科学基金资助项目(61334002);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2016ZDJC-09);陕西省重点研发项目(2017ZDCXL-GY-11-03)。
研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同持续恒压电应力条件下的退化机制,制作了一种AlGaN/GaN HEMT。对该器件分别采用恒压开态应力和恒压关态应力,研究了与直流特性相关的重要参数的陷阱产生规律。实验结果表明,在开态应力下...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 电应力退化 热载流子效应 逆压电效应 
总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响被引量：3
《微电子学》2018年第1期126-130,共5页苏丹丹 周航 郑齐文 崔江维 孙静 马腾 魏莹 余学峰 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(11475255);中国科学院西部之光资助项目(2015XBQNB15;XBBS201321);青年科学基金资助项目(11505282)
为了研究总剂量辐射对纳米MOS晶体管热载流子效应的影响,对65nm体硅工艺的NMOS器件进行了总剂量辐射和热载流子试验,对比了辐射前后不同宽长比器件的跨导、栅极泄漏电流、线性饱和电流等电参数。结果表明,MOS器件的沟道宽度越窄,热载流...
关键词：65 NM NMOSFET 总剂量效应 热载流子效应 
交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响被引量：1
《微电子学》2015年第1期145-148,共4页黄炜 付晓君 刘凡 刘伦才 
介绍了交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响,重点分析了亚微米CMOS集成电路中交流应力下的热载流子效应、电迁移、栅氧化层介质击穿效应。通过与直流应力下器件可靠性的对比,分析交流信号与直流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性影...
关键词：可靠性 热载流子效应 电迁移 氧化层击穿 交流影响 
热载流子注入效应的可靠性评价技术研究被引量：1
《微电子学》2013年第6期876-880,共5页章晓文 陈鹏 恩云飞 张晓雯 
研究了热载流子注入效应的可靠性评价方法,利用对数正态拟合的中位失效时间,提取加速寿命试验的模型参数。利用这些模型参数,分别评价了0.18μm CMOS工艺薄栅和厚栅器件的可靠性。结果表明,HCI效应仍然制约着0.18μm CMOS工艺的可靠性...
关键词：CMOS工艺 加速寿命试验 热载流子注入效应 可靠性评价 
集成电路圆片级可靠性测试被引量：4
《微电子学》2013年第1期143-147,共5页秦国林 许斌 罗俊 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C090406120C09037);民用航空预先研究资助项目(YG0901-3)
在集成电路制造厂的工艺监控体系中引入可靠性监控对于控制产品的可靠性十分重要。圆片级可靠性测试技术通过对集成电路产品的工艺过程进行可靠性检测,能够为集成电路制造工艺提供及时的可靠性信息反馈。圆片级可靠性测试通常是采用高...
关键词：圆片级可靠性 集成电路制造 热载流子注入 电迁移 
0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子可靠性研究被引量：2
《微电子学》2012年第2期293-296,共4页洪根深 肖志强 王栩 周淼 
对0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子的可靠性进行了研究。在Vds=5V,Vgs=2.1V的条件下,加电1 000s后,宽长比为4/0.5的部分耗尽SOI H型栅NMOSFET的前栅阈值电压的漂移(ΔVt/Vt)和跨导的退化(Δgm/gm)分别为0.23%和2.98%。以器件最大跨...
关键词：SOI 部分耗尽 NMOSFET 热载流子效应 可靠性 
深亚微米抗辐照PDSOI nMOSFET的热载流子效应
《微电子学》2010年第3期461-463,共3页卜建辉 毕津顺 宋李梅 韩郑生 
基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μm SOI工艺,制备了深亚微米抗辐照PD-SOI H型栅nMOSFET。选取不同沟道宽度进行加速应力实验。实验结果表明,热载流子效应使最大跨导变化最大,饱和电流变化最小,阈值电压变化居中。以饱和电流退化...
关键词：PDSOI NMOSFET 热载流子效应 
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