淀积

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CFD模拟RPCVD的正交法优化设计与分析被引量：3
《西安电子科技大学学报》2013年第4期72-78,共7页戴显英 郭静静 邵晨峰 郑若川 郝跃 
国家重点基础研究(973)资助项目(6139801-1)
采用正交法对减压化学气相淀积生长SiGe材料的多因素、多水平计算流体动力学模拟进行优化设计.采用FLUENT软件,对正交优化设计的试验进行了密度、速度及压强分布的模拟.对生长表面9点位置处的模拟结果进行了极差和方差分析,得到了最终...
关键词：正交法 计算流体动力学 减压化学气相淀积 锗硅 
InN的光致发光特性研究被引量：3
《物理学报》2013年第11期492-495,共4页王健 谢自力 张荣 张韵 刘斌 陈鹏 韩平 
国家重点基础研究发展计划(2011CB301900;2012CB619304);国家高技术研究发展计划(2011AA03A103);国家自然科学基金(60990311;60820106003;60906025;60936004;61176063);江苏省自然科学基金(BK2008019;BK2011010;BK2010385;BK2009255;BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金资助的课题~~
研究了利用金属有机化学气相淀积生长的氮化铟薄膜的光致发光特性.由于氮化铟本身具有很高的背景载流子浓度,费米能级在导带之上,通过能带关系图以及相关公式拟合光致发光图谱可以得到生长的氮化铟的带隙为0.67eV,并且可以计算出相应的...
关键词：氮化铟 金属有机化学气相淀积 光致发光 载流子浓度 
弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真被引量：1
《西安电子科技大学学报》2012年第5期186-191,共6页戴显英 郑若川 郭静静 张鹤鸣 郝跃 邵晨峰 吉瑶 杨程 
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(6139801-1)
基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了...
关键词：弛豫锗硅 减压化学气相淀积 计算流体动力学模型 密度分布 
梯度掺杂生长绒面结构ZnO:B-TCO薄膜及其特性研究被引量：2
《光电子．激光》2012年第2期280-285,共6页闫聪博 陈新亮 耿新华 张德坤 魏长春 张晓丹 赵颖 
国家"973"重点基础研究(2011CBA00705;2011CBA00706;2011CBA00707);国家高技术研究发展计划(2009AA050602);科技部国际合作(2009DFA62580);天津市应用基础及前沿技术研究计划(09JCYBJC06900);中央高校基本科研业务费专项资金(65010341)资助项目
采用新的金属有机化学气相淀积(MOCVD)-ZnO镀膜工艺技术-梯度掺杂技术生长绒面结构。研究ZnO:B-TCO薄膜。结果表明,梯度掺杂技术可有效增加薄膜晶粒尺寸和提高光散射作用。并且,梯度掺杂技术有效地提高了薄膜在近红外区域的光学透过率,...
关键词：金属有机化学气相淀积(MOCVD) 绒面结构ZnO:B薄膜 TCO 梯度掺杂技术 薄膜太阳电池 
CVD制备MB_2(M=Ti,Zr,Hf)研究进展被引量：1
《化学工程与装备》2010年第10期119-125,共7页张涛 何国球 蔡仁涛 赵小跟 
国家"九七三"重点基础研究发展规划资助项目(2007CB714705);国家自然科学基金资助项目(50771073);新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-05-0388)
MB2(M=Ti,Zr,Hf)是ⅣB族过渡金属的硼化物,化学气相淀积(CVD)是制备MB2类薄膜材料和保护涂层的最有效技术之一。对MB2类材料CVD制备的热力学进行了简要分析。阐述了反应前驱体的选择和应用。对近年来MB2类材料的CVD合成制备的最新研究...
关键词：化学气相淀积(CVD) 硼化钛(TiB2) 硼化锆(ZrB2) 硼化铪(HfB2) 
GaN核辐射探测器材料与器件研究进展被引量：6
《原子能科学技术》2010年第6期750-756,共7页陆敏 于国浩 张国光 
国家自然科学基金资助项目(10875084);江苏省自然科学基金资助项目(BK2008174);苏州市应用基础研究计划资助项目(SYJG0915);国家重点基础研究发展计划资助项目(G2009CB929300)
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况,并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算,总结了使用GaN制备核探测器对材料的基本要求。同时,根据目前的研究现状,提出了在GaN材料生长和器件制作...
关键词：GAN 核探测器 金属有机化学气相淀积 氢化物气相外延 
氮化铝薄膜的原子层淀积制备及应用被引量：1
《华中科技大学学报（自然科学版）》2009年第7期35-37,41,共4页陈曜 冯俊波 周治平 于军 
国家重点基础研究发展计划预研项目(2006CB708310);国家自然科学基金资助项目(60578048)
以三甲基铝(TMA)和氨气(NH3)为源,在原子层淀积设备上实现了氮化铝薄膜的制备.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪和原子力显微镜对氮化铝薄膜的生长速率、成分和粗糙度进行了分析,优化了薄膜淀积工艺.以每周期单分子层的生长模式进行氮...
关键词：氮化铝 原子层淀积 保型性 粗糙度 环形光子晶体器件 
Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响
《中国激光》2009年第5期1205-1208,共4页葛瑞萍 韩平 吴军 王荣华 俞斐 赵红 俞慧强 谢自力 张荣 郑有炓 
国家自然科学基金(60721063);国家973计划(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004)资助课题
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C缓冲层生长温度对样品...
关键词：Ge薄膜 Si1-xGex:C缓冲层 化学气相淀积 生长温度 
AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延
《中国激光》2009年第5期1209-1213,共5页吴军 王荣华 韩平 葛瑞萍 梅琴 俞斐 赵红 谢自力 张荣 郑有炓 
国家973计划(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);国家自然科学基金(60721063)资助课题
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到...
关键词：化学气相淀积 4H—SiC薄膜 AlN/Si(111)复合衬底 异质外延 阴极荧光 
超薄Al_2O_3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件研究
《中国科学（E辑）》2009年第2期239-243,共5页岳远征 郝跃 冯倩 张进城 马晓华 倪金玉 
国家重点基础研究发展计划("973"计划)(批准号:51327020301);国家自然科学基金项目(批准号:60736033)资助
采用原子层淀积(ALD),实现超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件栅长0.8μm,栅宽60μm,栅压为+3.0V时最大饱和输出电流达到800mA/mm,最大跨导达到150ms/...
关键词：原子层淀积 超薄Al2O3 ALGAN/GAN MOS-HEMT器件 
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