多晶硅发射极

作品数：49被引量：23H指数：2
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一种高增益纵向PNP晶体管器件设计
《微电子学》2024年第4期547-550,共4页欧宏旗 龙翠平 朱梦蝶 陆泽灼 张羽翔 安宁 梁康弟 龚榜华 裴颖 税国华 刘建 张扬波 刘青 
兼顾纵向PNP晶体管高电流增益和高击穿特性,设计了一种基于绝缘体上硅(SOI)全介质隔离的P外延互补双极工艺,通过优化纵向PNP晶体管的基区掺杂浓度和有效基区宽度,获得一种高电流增益的纵向PNP晶体管,器件增益β≥500,耐压大于等于30 V。
关键词：P外延 高电流增益 多晶硅发射极 纵向PNP 
多晶硅发射极晶体管电流增益工艺稳定性研究被引量：1
《微电子学》2020年第4期589-592,共4页阚玲 刘建 
针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流Ib存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/硅界...
关键词：多晶硅发射极晶体管 电流增益 界面氧化层 自然氧化层 
基于Matlab的基极电流理想因子提取方法研究
《微电子学》2020年第2期267-271,共5页冯筱佳 邱盛 张静 崔伟 张培健 
采用Matlab数字分析方法,结合多晶硅发射极双极器件基极电流的构成情况,阐述了不同理想因子电流成分分离的基本原理和数学方法。利用该方法分析了多晶硅发射极双极器件在正向大电流激励下的电参数退化过程中不同理想因子基极电流的变化...
关键词：多晶硅发射极 MATLAB 基极电流 理想因子 
双极晶体管发射极电阻的提取方法及应用研究
《微电子学》2019年第2期164-167,共4页邱盛 王文捷 王健安 张培健 
以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏离理想电流是发射极串联电阻效应引起的。该提取方法综合考虑了辐照过程中NPN管的电流增益退化特性,分析...
关键词：多晶硅发射极 发射极电阻 总剂量辐照 电流增益退化 
多晶硅发射极NPN管的辐射效应研究被引量：3
《微电子学》2018年第4期520-523,528,共5页陈光炳 张培健 谭开洲 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1503)
为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下^(60)Coγ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验。试验结果表明,辐射后,基极电流I_B显著增大,而集电极电流I_C变化不大;反偏偏置条件下,I_B的辐...
关键词：多晶硅发射极 NPN管 辐照偏置 60Coγ射线 辐射损伤 
一种具有高电流增益的平面集成SiGe HBT
《微电子学》2006年第5期576-579,583,共5页赵安邦 谭开洲 吴国增 李荣强 张静 钟怡 刘道广 
研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT。经测量,在室温下电流增益β大于1 500,最大达到2 800,其Vceo为5 V,厄利(Early)电压VA大于10 V,βVA乘积达到15 000以上。这种器件对多晶硅发射极砷杂质浓度分布十分敏感。
关键词：SIGE 异质结双极晶体管 平面集成 多晶硅发射极 
一种快速电压变换器的研制
《微电子学》2003年第2期160-162,共3页羊庆龄 孟华群 
　介绍了一种快速电压变换器的电路、版图及工艺设计。该电路采用多晶硅发射极自对准工艺制作,获得了小于50ns的输入输出延迟时间。该电路可广泛应用于GaAsFET功率放大器的控制电路中。
关键词：电压变换器 工艺设计 多晶硅发射极 自对准工艺 输入输出延迟时间 模拟集成电路 GaAs-FET功率放大器 
一种单层多晶硅BiCMOS工艺研究
《微电子学》1999年第1期10-14,共5页周均 
介绍了一种单层多晶硅ＣＭＯＳ工艺。该工艺采用Ｐ型衬底、Ｎ型Ｐ型双埋层、Ｎ型薄外延结构，掺杂多晶硅作为ＣＭＯＳ晶体管栅极和双极ＮＰＮ晶体管的发射极。ＣＭＯＳ晶体管采用源漏自对准结构，钛和铝双层金属作为元件互连线，ＰＥＣ...
关键词：半导体工艺 BICMOS 自对准结构 多晶硅发射极 
一种高速高压NPN管的研制被引量：1
《微电子学》1997年第5期350-353,共4页张正元 龙绍周 刘建华 张庆中 
把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０Ｖ，ＢＶＣＢＯ＝...
关键词：半导体器件 半导体工艺 多晶硅发射极 NPN晶体管 
双注入多晶硅发射极高性能BiCMOS技术研究
《微电子学》1997年第1期14-16,共3页何林 
研究了一种ＢｉＣＭＯＳ新技术，基区和发射区均通过发射极多晶注入，使形成的基区更浅、更窄；通过等平面氧化形成的鸟嘴，将版图设计为３．０μｍ的发射极条宽“挤”为２．０μｍ左右，提高了器件性能。在器件结构及工艺设计中，尽可...
关键词：多晶硅发射极 双注入 双极型 集成电路 
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