光学光刻

作品数：103被引量：209H指数：8
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：谢常青刘明陈大鹏童志义陈宝钦更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院信越化学工业株式会社四川大学更多>>
相关期刊：《微细加工技术》《中国集成电路》《电子科技文摘》《电子显微学报》更多>>
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计算光刻研究及进展被引量：9
《激光与光电子学进展》2022年第9期112-160,共49页马旭 张胜恩 潘毅华 张钧碧 余成臻 董立松 韦亚一 
国家科技重大专项(2017ZX02315001-003);国家自然科学基金(61675021)。
光刻是将集成电路器件的结构图形从掩模转移到硅片或其他半导体基片表面上的工艺过程,是实现高端芯片量产的关键技术。在摩尔定律的推动下,光刻技术跨越了90~7 nm及以下的多个工艺节点,逐步逼近其分辨率的物理极限。同时,光刻系统的衍...
关键词：计算光刻 分辨率增强技术 先进半导体制造工艺 光学光刻 计算光学 光电图像处理 
工业界即将迎来光刻技术转变
《集成电路应用》2009年第11期20-20,共1页Ken Rygler 
世导体产业历史上最大的一次转变已经开始了。传统的光学光刻一直都是半导体产业和摩尔定律的核心，但这项技术的统治即将终结。对替代技术的权衡正如火如荼地进行着——常常也是无声无息地——其结果也正逐渐显现，看起来似乎不只是单...
关键词：光刻技术 工业界 半导体产业 摩尔定律 光学光刻 制造商 存储器 
《半导体国际》第三届光刻技术研讨会
《集成电路应用》2007年第7期20-20,共1页
光刻作为推动半导体制造技术的关键工艺一直以来备受业界的关注。近年来，随着器件尺寸的不断缩小，作为现有光学光刻技术的延伸，浸没式光刻因其能获得更高的数值孔径而实现更高的分辨率为业界所追捧，然而在以0.15微米以上技术为主流...
关键词：光学光刻技术 技术研讨会 《半导体国际》 半导体制造业 半导体制造技术 关键工艺 器件尺寸 数值孔径 
纳米压印模板需要高质量的检测技术被引量：1
《集成电路应用》2006年第3期13-13,共1页Aaron Hand 
纳米压印光刻经学术和行业团体近十年的研究之后，已逐渐开始对半导体行业产生引导作用。简单地讲，纳米压印是把一个1×的模板压进一个柔性层，从而在衬底上制作图形。斯坦福大学的电子工程教授Fabian Pease说：“它引人注意之处是具...
关键词：纳米压印 压印模板 检测技术 半导体行业 质量 压印光刻 斯坦福大学 电子工程 光学光刻 柔性层 
高能电子束纳米曝光系统的研制
《电子显微学报》2003年第6期641-642,共2页田丰 韩立 顾文琪 
关键词：高能电子束纳米曝光系统 微电子产业 半导体器件 光学光刻技术 电子束曝光技术 高分辨 
光刻技术能否突破极限?
《中国军转民》2001年第12期39-40,共2页天易 
芯片制造业巨头联手攻关 国家实险室担任主角 半导体制造厂商目前在光学光刻技术能力上都在逼近极限,很多厂商争相探寻下一代光刻技术(NGL)系统。由于电子设备业今后健康发展和生命力的关键就在于下一代光刻技术,所以工业上用于研制NGL...
关键词：光学光刻技术 下一代光刻技术 极限 国家实验室 光致抗蚀剂 远紫外光源 半导体工业 芯片制造业 反射光栅 半导体制造 
365～193nm曝光的亚半微米多晶硅栅控制
《电子工业专用设备》2000年第4期50-56,共7页Brian Martin Graham Arthur 万力 
综述了测量越过典型有源区形貌的多晶硅栅线宽偏差 ,采用光刻模拟程序计算。采用顶层和底层抗反射涂层与否 ,对从 36 5nm曝光的 0 .40 μm到 193nm曝光的 0 .2 2 5 μm范围抗蚀剂成像中所有线宽进行了计算。
关键词：半导体 光学光刻 模拟 多晶硅 亚半微米 曝光 
光学光刻新设备与技术介绍
《电子工业专用设备》2000年第1期61-62,共2页
关键词：光学光刻设备 半导体 光刻技术 
迈向新世纪的光学光刻被引量：2
《电子工业专用设备》1999年第3期2-9,12,共9页童志义 
根据光学光刻所面临的挑战，介绍了１９３ ｎ ｍ 和１５７ ｎ ｍ 光学光刻技术现状及发展趋势，并给出了波前工程技术在光学光刻中的应用对于拓展光学光刻分辨率极限的潜力所在。
关键词：光学光刻 半导体器件 制造工艺 OPC OAI PSM 
光学光刻的现状及未来被引量：4
《电子工业专用设备》1999年第2期2-4,共3页周崇喜 胡松 
简要概述了光学光刻的现状、目前典型光刻机的技术水平、以及即将推出的新一代光刻机，并总结光学光刻的发展趋势。
关键词：光学光刻 光刻机 掩模 半导体设备 
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