发光研究

作品数：368被引量：958H指数：11
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有机染料在多孔铝中的发光研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第11期1406-1410,共5页袁淑娟 李清山 潘志锋 董艳锋 王清涛 冀会辉 
山东省自然科学基金资助项目( No.Y98A10 0 13)~~
用电化学方法制备的多孔阳极氧化铝具有孔径大小均匀、相互平行、排列规则的微孔结构 ,可作为多种发光材料的透明基底 .以多孔铝为载体 ,将有机染料嵌入多孔铝孔中 ,获得有机染料固体镶嵌膜 ,测量了镶嵌膜的吸收光谱、光致发光谱 .镶嵌...
关键词：多孔铝 阳极氧化 有机染料 镶嵌膜 
C_(60)/硅基介孔复合物的发光研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第10期1255-1257,共3页杨阳 邹建平 陈慧兰 鲍希茂 
国家自然科学基金资助项目 ( No.2 982 30 0 1;2 0 0 710 17;5 9832 10 0 )~~
用化学沉积法制备了 C6 0 /多孔硅以及 C6 0 /硅基多孔氧化铝两种硅基介孔复合物 ,并研究了它们的发光性质 .结果表明 C6 0 的毗联可以影响多孔硅的发光性质 ,但对硅基多孔氧化铝的发光基本不产生影响 .
关键词：硅基 介孔 复合材料 发光 
快速退火Mg∶GaN的光致发光研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第10期857-861,共5页毛祥军 杨志坚 金泗轩 童玉珍 王晶晶 李非 张国义 
国家自然科学基金
本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３ 衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ，在Ｎ２ 气氛下，经高温快速退火，然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ 和４５０ｎｍ 两个发光峰的叠加，本文对这两个峰的来源作了探讨...
关键词：快速退火 光致发光 镁 氮化镓 
InGaAs/GaAs量子阱双光束发光研究
《Journal of Semiconductors》1999年第8期656-661,共6页窦红飞 陆飞 陈效双 李宁 沈学础 
国家自然科学基金
本文报道采用双光束光致发光手段研究 Ｉｎ０．２ Ｇａ０．８ Ａｓ／ Ｇａ Ａｓ 本征样品及 ４ 种不同位置 δ掺杂样品．观察到了由 Ｈｅ Ｎｅ 激光导致的激光强度随附加的第二束激发光（白光）强度变化而演变的现象．实验结果显...
关键词：量子阱 双光束发光 砷化镓 砷镓铟化合物 
立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第8期723-727,共5页赵德刚 杨辉 徐大鹏 李建斌 王玉田 郑联喜 李顺峰 王启明 
本文通过光致发光（ Ｐ Ｌ）测试发现了 Ｎ Ｈ３ 流量的大小对以 Ｇａ Ａｓ（１００）为衬底生长立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体性质的影响的规律， Ｎ Ｈ３ 流量愈少，立方相 Ａｌ Ｇａ Ｎ 的纯度愈高，而且，其发光峰的位置...
关键词：光致发光 氮化镓 砷化镓 
Siδ-掺杂In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变单量子阱光致发光研究
《Journal of Semiconductors》1999年第7期573-577,共5页窦红飞 陈效双 陆卫 李志锋 沈学础 
国家自然科学基金;上海市启明星计划
研究了单层Ｓｉ分别δ－掺杂于Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱系统中的单边势垒与双边势垒的光致发光谱，并与未掺杂样品相比较，发现掺杂样品的发光峰红移，其中单边势垒掺杂样品红移约４ｍｅＶ，双边势垒掺杂样品红移的...
关键词：硅 掺杂 单量子阱 光致发光 
图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1999年第5期353-357,共5页司俊杰 杨沁清 高俊华 滕达 王启明 郭丽伟 周均铭 
本文研究了在Ｓｉ的图形衬底上生长应变ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格的结构和其光致发光性质．图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成．发现在组成倒金字塔结构的（１１１）面的交界处有富Ｇｅ的ＳｉＧｅ量子线出现．对相同条件下图形衬底和平...
关键词：锗化硅 硅 图形衬底 结构 光致发光 
掺碳SiO_2薄膜的室温可见光致发光研究被引量：8
《Journal of Semiconductors》1999年第2期157-161,共5页王印月 薛华 郭永平 甘润今 孙燕杰 张亚菲 杨映虎 陈光华 
国家自然科学基金;甘肃省自然科学基金
用射频共溅射技术和后退火工艺制备出了埋入ＳｉＯ２中的碳复合膜，在室温下测到了强的可见光致发光谱（峰位在２．２２ｅＶ）．研究了衬底温度、退火温度、薄膜厚度对发光谱的影响．通过喇曼散射谱、红外透射谱和Ｘ光衍射谱的测量，对...
关键词：二氧化硅 可见光致发光 掺杂 半导体纳米材料 
富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第10期740-744,共5页马书懿 秦国刚 马振昌 宗婉华 吴正龙 姚光庆 孟祥提 
国家自然科学基金
以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电...
关键词：富硅二氧化硅 氧化硅薄膜 光致发光 
SiC纳米粉的光致发光研究被引量：5
《Journal of Semiconductors》1998年第6期423-426,共4页杨修春 韩高荣 张孝彬 丁子上 
中国科学院北京电镜中心资助
首次发现ＳｉＣ纳米粉的光致发光效应，通过透射电镜、选区电子衍射、Ｘ射线衍射、高分辨电子显微镜和化学分析。
关键词：半导体 碳化硅 纳米粉 光致发光 
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