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国家自然科学基金(69806007): 作品数：16被引量：29H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：刘理天任天令李志坚张林涛张武全更多>>; 相关机构：清华大学更多>>; 相关期刊：《电子器件》《微细加工技术》《功能材料》《半导体技术》更多>>; 相关主题：PZT铁电薄膜硅基PZT硅基SOL-GEL法更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>

Surface Micromachining of Bulk Acoustic Wave Filters: 《Tsinghua Science and Technology》2003年第2期126-129,共4页赵宏锦任天令丛鹏刘建设刘理天李志坚; Supported by the National High-Technology Development Program of China(No.G1999033105);the National Natural Science Foundation of China (No.69806007); The most common typical bulk acoustic wave (BAW) filters are fabricated using bulk micromachining technology, but they have several disadvantages. This paper describes a structure for front end passband BAW filters ma...; 关键词：Acoustic waves ETCHING Porous silicon Resonators Wave filters

Optimization of PZT-Based Radio-Frequency Filters: 《Tsinghua Science and Technology》2003年第2期135-138,共4页任天令赵宏锦丛鹏刘燕翔刘建设刘理天李志坚; Supported by the National"973"Project(No.G1999033105);the National Natural Science Foundation of China(No.69806007); Analytical solutions are presented for the wave equation for the electrode-piezoelectric-electrode sandwich structure in film bulk acoustic resonators (FBAR). The impedance for lead-zirconate-titanate (PZT)-based FBAR...; 关键词：Acoustic surface wave filters Electric impedance MICROMACHINING Resonators

应用于DRAM的BST薄膜制备与性能研究被引量：3: 《压电与声光》2002年第6期459-462,共4页王小宁刘建设任天令赵宏锦邵天奇刘理天; 国家自然科学基金资助项目(69806007);"九七三"基金资助项目(G1999033105); BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料。用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了较高品质的BST薄膜。系统地研究了在不同退火条件下薄膜的结晶情况、微结构和电学性能。在室温10...; 关键词：DRAM BST薄膜制备溶胶-凝胶法刻蚀动态随机存取存储器复合钙钛矿钛酸锶钡

基于硅表面加工工艺的射频体声波滤波器研究被引量：3: 《压电与声光》2002年第1期1-3,共3页丛鹏刘燕翔任天令刘理天; "九七三"重大基金资助项目 (G19990 3 3 10 5 );国家自然科学基金资助项目 (6980 60 0 7); 计算并讨论了由电极 -压电薄膜 -电极的三明治结构组成的体声波谐振器在有衬底情况下的阻抗 ,特别说明了厚的支撑膜对滤波器性能的严重影响。同时比较了在制作体声波滤波器时硅的体加工工艺和表面加工工艺的优劣。; 关键词：滤波器揩振器微电子机械系统体声波射频硅表面加工

硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究被引量：6: 《压电与声光》2001年第4期290-292,共3页赵宏锦刘建设任天令刘燕翔刘理天李志坚; 国家自然科学基金资助项目 ( 6980 60 0 7) ;国家"九七三"计划资助项目 ( G19990 3310 5 ); 采用溶胶 -凝胶 ( Sol- Gel)法制备了 PZT薄膜 ,在 60 0°C的退火温度下即获得了晶化完善的钙钛矿铁电相结构。采用典型的半导体光刻工艺 ,利用 HCl/ HF刻蚀溶液成功地获得刻蚀线条分辨率达微米量级的 PZT薄膜微图形。较好的解决了有关 ...; 关键词：锆钛酸铅刻蚀工艺 PZT薄膜硅基

硅基铁电薄膜的电性能研究被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2001年第4期472-476,共5页任天令张林涛刘理天李志坚; 国家自然科学基金资助项目 (6 980 6 0 0 7);国家 973项目 (G19990 3310 5 ); 以 Sol- Gel方法制备了有 Pb Ti O3 (PT)过渡层的硅基 Pb(Zr0 .53 Ti0 .47) O3 (PZT)铁电薄膜 ,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属钛铂。测试了铁电薄膜的电性能。; 关键词：硅基铁电薄膜钛锆酸铅钛酸铅溶胶-凝胶法

Sol-Gel法硅基PZT铁电薄膜研究: 《功能材料》2001年第3期252-253,共2页张林涛任天令张武全刘理天李志坚; 国家自然科学基金资助项目(69806007); 介绍了以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法在硅衬底上制备Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺流程。对铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质进行了分析，结果...; 关键词：SOL-GEL法 PZT 铁电薄膜

硅基PZT铁电薄膜的制备与性能研究被引量：4: 《半导体技术》2001年第1期49-52,共4页张林涛任天令张武全刘理天李志坚; 国家自然科学基金(69806007); 用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）方法制备了硅基Ｐｂ（Ｚｒ＿０．５３Ｔｉ＿０．４７）０＿３（ＰＺＴ铁电薄膜。分析了ＰＺＴ铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质。基于上述分析结果提出并实现了低温退火处理制备有ＰＴ过渡...; 关键词：SOL-GEL法 PZT PT 铁电薄膜

Sol-Gel法硅基铁电薄膜研究被引量：1: 《真空科学与技术》2000年第6期394-396,共3页张林涛任天令张武全刘理天李志坚; 国家自然科学基金!资助项目 (6 980 6 0 0 7); 介绍了用溶胶凝胶方法制备Pb(Zr0 .53Ti0 .4 7)O3(PZT)铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料 ,在 90 0℃ ,30min退火条件下制备了硅基PZT铁电薄膜。实验分析结果显示 ,PZT铁电薄膜的晶化很完善。研究了PZT铁电薄...; 关键词：溶胶-凝胶法锆钛酸铅硅基铁电薄膜制备工艺

一种新型硅基PT/PZT/PT夹心结构的电性能研究被引量：5: 《压电与声光》2000年第6期407-409,共3页任天令张林涛张武全李春晓刘理天李志坚; 国家自然科学基金资助项目!(6 980 6 0 0 7); 以无机锆盐为原料 ,用溶胶 -凝胶 (Sol- Gel)法成功地在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si衬底上制备出一种新型Pb Ti O3/ Pb(Zr0 .5 3Ti0 .47) O3/ Pb Ti O3(PT/ PZT/ PT)夹心结构。这种新结构对于 PZT的晶化有很好的促进作用 ,其最终的退火温度为 7...; 关键词：PZT PT 夹心结构溶胶-凝胶法硅基电性能铁电

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