微波毫米波单片集成和模块电路国家级 重点实验室

作品数：18被引量：18H指数：2
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发文作者：李肖李忠辉焦刚孔月婵李辉更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文主题：光接收机前端单片集成光电集成电路眼图5GB/S更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《激光与光电子学进展》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
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新型电极材料石墨烯在LED中的应用被引量：2
《激光与光电子学进展》2013年第8期169-176,共8页吴才川 刘斌 谢自力 修向前 陈鹏 韩平 张荣 孔月婵 陈辰 
国家973计划(2011CB301900;2012CB619304;2010CB327504);国家863计划(2011AA03A103);国家自然科学基金(60990311;61274003;60936004;61176063);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-11-0229);江苏省自然科学基金(BK2011010);江苏高校优势学科建设工程资助项目;南京大学扬州光电研究院研发基金
石墨烯具有独特的力学、热学和光电学性能,良好的热稳定性与化学稳定性,是制备高性能导电薄膜的理想材料之一。主要介绍了石墨烯薄膜的制备和表征技术以及石墨烯导电薄膜作为电极应用在GaN基LED中的研究进展和存在的问题,并对石墨烯电...
关键词：光电子学 石墨烯 氧化铟锡 发光二极管 
基于表面势的HEMT模型分析被引量：1
《半导体技术》2010年第4期320-324,共5页吕彬义 孙玲玲 孔月婵 陈辰 刘军 陈磊 
国家自然科学基金(60706002);CETC55所砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防重点实验室基金(9140C1402030803)
将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件...
关键词：高电子迁移率管晶体管 表面势 泊松方程 Pao-sah模型 
S波段20W单片功率PIN限幅器
《固体电子学研究与进展》2009年第3期F0003-F0003,共1页彭龙新 蒋幼泉 黄子乾 杨立杰 李建平 
关键词：PIN限幅器 耐功率 S波段 PIN二极管 单片 低噪声放大器 GAAS 非线性模型 
毫米波硅基微机械屏蔽膜微带线和滤波器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2009年第2期202-205,275,共5页戴新峰 郁元卫 贾世星 朱健 於晓峰 丁玉宁 
介绍了一种屏蔽膜微带线,该型传输线为介质薄膜所支撑,周围为空气,并为金属面所屏蔽,具有可忽略不计的衬底损耗及色散效应,以及很小的辐射损耗。运用HFSS三维电磁场仿真软件对毫米波屏蔽膜微带线与滤波器进行了仿真设计,运用MEMS工艺在...
关键词：毫米波 硅基微机械 屏蔽膜微带线 滤波器 
OEIC台面腐蚀工艺研究
《固体电子学研究与进展》2009年第2期241-244,共4页范超 栗锐 陈堂胜 杨立杰 冯欧 冯忠 陈辰 焦世龙 叶玉堂 
单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(No.9140C1406020708)
深入研究了牺牲层腐蚀机制,摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题。从实验现象着手分析,并由此对工艺进行了改进,采用了新的腐蚀剂和工艺步骤。改进后的工艺解决了上述问...
关键词：腐蚀自停止 光电集成电路 台面工艺 
5Gb／s单片集成光接收机前端模拟仿真及研制
《光电工程》2008年第11期29-32,72,共5页范超 陈堂胜 陈辰 焦世龙 陈镇龙 刘霖 王昱琳 叶玉堂 
单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(9140C1406020708)
基于0.5μmGaAs PHEMT标准工艺研制了850nm单片集成光接收机前端,集成方式为PIN光探测器和跨阻放大器。论文依据已发表的文献数据为基础并借助SILVACO公司的模拟软件建立探测器模型,实验结果表明,模型和实测结果对比有较好的一致性。光...
关键词：光电集成电路 PHEMT PIN 跨阻放大器 ATLAS 
短波长OEIC光接收机前端设计及制作被引量：1
《微电子学》2008年第5期713-717,共5页范超 陈堂胜 陈辰 焦世龙 陈镇龙 刘霖 王昱琳 叶玉堂 
单片集成电路与模块国家级重点实验室基金资助项目(9140C1406020708)
基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带...
关键词：光电集成电路 光接收机前端 PIN 金属-半导体-金属 跨阻放大器 分布参数放大器 
单片集成GaAsPIN／PHEMT光接收机前端工艺研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第4期540-544,共5页冯忠 焦世龙 冯欧 杨立杰 蒋幼泉 陈堂胜 陈辰 叶玉堂 
国家自然科学基金(No.60277088);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(No.51491050105DZ0201)
利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结...
关键词：单片集成 光探测器 分布放大器 光接收机 眼图 
级联型单级分布式宽带单片功率放大器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第4期501-505,共5页曹海勇 陈效建 钱峰 
单片集成电路与模块国家重点实验室基金项目支持(项目号:51491010205DZ6502)
报道了一个采用级联型单级分布式结构的宽带单片功率放大器的设计方法和研制结果。文中通过拓扑比较和人工传输线理论研究,分析出该功放设计的难点,并基于仿真实验,给出解决方案。最终研制的两级单片功放在6～18GHz频率范围内线性增益13...
关键词：微波单片集成电路 级联型单级分布式放大器 宽带功率放大器 
具有增益均衡功能的新型宽带MMIC放大器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第4期506-510,共5页汪珍胜 陈效建 郑惟彬 李辉 
单片集成电路与模块国家级重点实验室基金资助支持(项目号:51491010206502)
由于行波管"山丘状"功率增益特性需要补偿,提出了具有增益均衡功能的新型宽带单片放大器结构。利用FET作可调元件的嵌入式低损无源滤波网络实现了增益均衡功能。设计中采用了有别于传统的分布放大器形式,选择了高效率高增益级联型单级...
关键词：微波单片集成电路 频率均衡器 可调增益 级联型分布放大器 微波功率模块 
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