气相淀积

作品数：297被引量：495H指数：8
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铜箔上制备CoSb_3纳米颗粒薄膜在锂离子电池电极中的应用
《固体电子学研究与进展》2019年第2期150-154,共5页夏丽 刘宪云 方佳怡 
国家青年科学基金资助项目(11404039);国家自然科学基金资助项目(41875026)
锂离子电池性能研究和提高已成为化学电源领域热点,使用低压化学气相沉积(LPCVD)法在铜箔上制备CoSb_3纳米颗粒薄膜,该薄膜不添加任何粘合剂,直接用作锂离子电池电极。50次充放电测试数据表明:使用CoSb_3纳米颗粒薄膜的电极充放电性能良...
关键词：CoSb3纳米颗粒薄膜 锂离子电池 电荷存储容量 低压化学气相淀积 
低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究
《固体电子学研究与进展》2013年第3期280-283,共4页刘海琪 王泉慧 栗锐 任春江 陈堂胜 
介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD(ICPCVD)工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在电压加到200V时其电容漏电小于0.5μA。通过与传统的PECVD工...
关键词：高密度等离子体化学气相淀积 低漏电 高击穿电场 电容 
Mg掺杂Al_(0.5)Ga_(0.5)N薄膜的发光性质研究
《固体电子学研究与进展》2012年第3期211-214,共4页李亮 李忠辉 董逊 彭大青 张东国 许晓军 孙永强 周建军 孔月婵 姜文海 陈辰 
利用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上采用AlN缓冲层制备了Mg掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜。采用CL测试方法研究了Mg掺杂对Al0.5Ga0.5N薄膜光学特性的影响。测量表明,Mg掺杂导致在Al0.5Ga0.5N薄膜的发光谱中出现了3.9eV的发光带,其发光机理为束缚的施...
关键词：铝镓氮 镁掺杂 阴极射线发光 金属有机物化学气相淀积 
利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2011年第4期328-330,344,共4页张东国 李忠辉 孙永强 董逊 李亮 彭大青 倪金玉 章咏梅 
采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。...
关键词：金属有机物化学气相淀积 氮化镓 缓冲层 结晶 
GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系被引量：2
《固体电子学研究与进展》2011年第1期9-12,共4页倪金玉 李忠辉 李亮 董逊 章咏梅 许晓军 孔月婵 姜文海 
国家自然科学基金资助项目(61076120和60807038)
采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核...
关键词：氮化镓 金属有机物化学气相淀积 氮化铝成核层 
InGaN∶Mg薄膜的电学特性研究
《固体电子学研究与进展》2008年第1期4-7,共4页牛南辉 王怀兵 刘建平 邢燕辉 韩军 邓军 沈光地 
国家自然科学基金(批准号:60506012);北京市教委重点项目(批准号:KZ200510005003);北京工业大学科技基金项目(批准号:52002014200403)
利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增加,先升高后降低。通过对这两个生长条件的优化,在760°C、C...
关键词：铟镓氮 镁掺杂 霍尔测试 X射线双晶衍射 原子力显微镜 金属有机物化学气相淀积 
镁流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜特性的影响被引量：2
《固体电子学研究与进展》2006年第3期375-378,共4页牛南辉 王怀兵 刘建平 刘乃鑫 刑燕辉 韩军 邓军 沈光地 
国家"863"高技术计划资助项目(批准号:2004AA311030);北京科学技术委员会资助项目(批准号:D0404003040221);北京工业大学科技基金项目(批准号:52002014200403)
利用MOCVD生长了不同Mg流量的P型GaN样品。研究了Mg流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量的影响。结果表明利用MOCVD制备高质量的P型GaN薄膜,Mg流量应处于一个合适的范围,Mg流量过低,薄膜的空穴浓度低,电学特性不...
关键词：氮化镓 掺杂 金属有机物化学气相淀积 
用于HBT的AlGaAs/GaAs MOVPE材料
《固体电子学研究与进展》2005年第2期269-270,279,共3页王向武 黄子乾 潘彬 李肖 张岚 
通过LP-MOVPE研制了实用化的AlGaAs/GaAsHBT材料。采用CCl4作为P型掺杂剂进行基区重掺杂。所作HBT增益为20～35,截止频率fT>50GHz,最大振荡频率fmax>60GHz,X波段功率HBT输出功率大于5W。
关键词：异质结双极晶体管 金属有机化合物气相淀积 四氯化碳掺杂 
MOCVD AlGaAs/GaAs HBT材料生长中基区、发射区结偏位的分析与控制被引量：1
《固体电子学研究与进展》2004年第4期546-548,共3页王向武 李肖 张岚 黄子乾 潘彬 
分析了MOCVDAlGaAs/GaAsHBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P N结界面产生偏离的原因 ,计算了外延生长参数对结偏离的影响 ,得到了对于C、Mg及Zn作为P型掺杂剂时 ,使得结偏位为 0时所需生长的GaAsspace层厚度 ,它们分别为 1～ 1...
关键词：异质结双极晶体管 金属有机化合物气相淀积 结偏位 
连续波工作高功率应变单量子阱半导体激光器被引量：2
《固体电子学研究与进展》2003年第4期476-479,共4页辛国锋 陈国鹰 花吉珍 康志龙 赵卫青 安振峰 冯荣珠 牛健 
河北省科技攻关重点项目(编号0 3 2 13 540 D);河北省自然科学基金项目(编号 60 3 0 80)
利用金属有机化合物气相淀积 ( MOCVD)技术成功生长了 In Ga As/Ga As/Al Ga As分别限制应变单量子阱材料 ,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达 2 .36 W,中心激射波长为 94 4nm,斜率效率高达 0 .96 W/A,阈值电...
关键词：应变单量子阱 半导体激光器 金属有机化合物气相淀积 连续波 MOCVD 结构设计 材料结构 
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