HFET

作品数：103被引量：100H指数：5
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凹栅AlGaN/GaN HFET被引量：4
《Journal of Semiconductors》2007年第9期1420-1423,共4页张志国 冯震 杨梦丽 冯志红 默江辉 蔡树军 杨克武 
研究了总栅宽为100μm栅凹槽结构的AlGaN/GaN HFET,采用相同的外延材料,凹槽栅结构器件与平面栅结构器件比较其饱和电流变化小,跨导由260.3mS/mm增加到314.8mS/mm,n由2.3减小到1.7,栅极漏电减小一个数量级.在频率为8GHz时,负载牵引系统...
关键词：ALGAN/GAN HFET 凹栅 高电压 高功率密度 
13.7～14.5GHz内匹配型GaAs大功率器件
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1104-1106,共3页吴小帅 杨瑞霞 阎德立 刘岳巍 贾科进 何大伟 杨克武 
河北省自然科学基金资助项目(批准号:F2007000098)~~
经过对器件结构、钝化等工艺的改进,成功研制出总栅宽为19.2mm的GaAs功率HFET.两管芯合成的内匹配器件,当Vds=9V,输入功率Pin=35dBm时,在f=13.7~14.5GHz频段内,输出功率Po〉42dBm（15.8W）,功率增益Gp〉7dB,功率附加效率PAE〉35%,两管...
关键词：器件 内匹配 HFET 功率合成 
GaAs HFET/PHEMT大信号建模分析被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第3期439-443,共5页张书敬 杨瑞霞 高学邦 杨克武 
在分析GaAs HFET/PHEMT建模设计、在片校准和测试方法的基础上,提出了电荷守恒的EEHEMT1模型,通过Cold FET测量技术,采用在片测试技术,结合窄脉冲测试技术,提出了GaAs HFET/PHEMT器件EE-HEMT1大信号模型,实验说明提出的大信号模型模拟...
关键词：砷化镓场效应晶体管 微波集成电路 功率器件模型 测试结构 精确建模 
AlGaN/GaN HFET中的陷阱位置和激活能
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期418-421,共4页薛舫时 
自洽求解薛定谔方程和泊松方程求出了异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数.研究了表面陷阱位置及其激活能.发现表面高密度缺陷减薄了势垒层,显著增强了热电子隧穿过程.从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型出...
关键词：AlGaN/GaN场效应管 陷阱 二维表面态 表面缺陷 热电子隧穿 
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的阈值电压
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期422-425,共4页林兆军 赵建芝 张敏 
利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到的AlGaN/GaN HFET电流-电压(I-V)特性曲线与测试得到的AlGaN/GaN HFET曲线比较分析,证实了依据AlGaN/GaN ...
关键词：ALGAN/GAN HFET 阈值电压 C-V曲线 
蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1255-1258,共4页张志国 杨瑞霞 李丽 冯震 王勇 杨克武 
国家重点基础研究发展规划(批准号:51327030201);国家基础科研基金(批准号:A1120060954)资助项目~~
通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二极管特性,理想因子和势垒高度分别优化到1.5和0.87eV.通过改进AlGaN/GaN...
关键词：ALGAN/GAN HFET 隔离 整流特性 退火 输出功率 
GaN HFET沟道热电子隧穿电流崩塌模型被引量：7
《Journal of Semiconductors》2005年第11期2143-2148,共6页薛舫时 
研究了GaNHFET中沟道热电子隧穿到表面态及表面态电子跃迁到表面导带两种跃迁过程及其激活能.从沟道热电子隧穿过程出发,提出了新的电流崩塌微观模型.用该微观模型解释了光离化谱、DLTS、瞬态电流及电流崩塌等各类实验现象.研究了各种...
关键词：电流崩塌 瞬态电流 热电子隧穿 GAN HFET 
Ku波段源极调谐HFET MMIC VCO被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第11期2191-2195,共5页王绍东 高学邦 吴洪江 吴阿惠 
利用S参数分析和负阻分析设计了一个源端调谐的Ku波段HFET单片集成VCO，并获得了一次设计投片成功．提取了GaAs HFET的大信号模型，利用栅源终端阻抗的二维扫描确定了漏极负阻，以此为依据进行输出匹配网络的优化设计．给出了电路制作...
关键词：微波单片集成电路 压控振荡器 异质结场效应晶体管 砷化镓 
跨导为325mS/mm的AlGaN/GaNHFET器件被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1789-1792,共4页张志国 杨瑞霞 王勇 冯震 杨克武 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:51327030201)~~
报道了使用国产GaN外延材料(蓝宝石衬底)的AlGaN/GaNHFET器件的制备以及室温下器件的性能.器件栅采用场板结构,其中栅长为0.3μm,场板长为0.37μm,源漏间距为3μm.器件的饱和电流密度为0.572A/mm,最大漏电流密度为0.921A/mm,最大跨导为3...
关键词：ALGAN/GAN HFET 跨导 直流特性 场板 
三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期155-157,共3页吕长志 冯士维 王东凤 张小玲 谢雪松 何焱 张浩 徐立国 袁明文 李效白 曾庆明 
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.
关键词：ALGAN/GAN HFET 倒置结构 双异质结 
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