云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(2002CB311903)

国家重点基础研究发展计划(2002CB311903): 作品数：35被引量：39H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：刘新宇和致经王晓亮陈晓娟刘键更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院四川龙瑞微电子有限公司更多>>; 相关期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《电子器件》《功能材料与器件学报》更多>>; 相关主题：HEMTALGAN/GANALGAN/GAN_HEMTGANALGAN/GAN_HEMTS更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

Improvements to the extraction of an AlGaN/GaN HEMT small-signal model: 《Journal of Semiconductors》2009年第12期25-29,共5页蒲颜庞磊王亮陈晓娟李诚瞻刘新宇; supported by the National Basic Research Program of China(No.2002CB311903);the Key Program of the Chinese Academy of Sciences(No.KGCX2-SW-107); The accurate extraction of AlGaN/GaN HEMT small-signal models, which is an important step in largesignal modeling, can exactly reflect the microwave performance of the physical structure of the device. A new method of...; 关键词：AlGaN/GaN HEMT small-signal model Schottky resistor drain delay

AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术被引量：1: 《功能材料与器件学报》2009年第2期193-196,共4页黄俊魏珂刘新宇; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2-SW-107)资助项目; 对AlGaN/GaNHEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4,对Cl2/Ar/C2H4的工艺条件进行了优化,有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化,同时防止反应生成物淀积在栅槽表面,改善了肖特基结特性...; 关键词：ALGAN/GAN HEMT 凹栅槽低损伤刻蚀 C2H4

一个8GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路被引量：1: 《电子器件》2009年第1期24-27,共4页张辉陈晓娟刘果果曾轩袁婷婷陈中子王亮刘新宇; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新工程(批准号:KGCX2-SW-107); 论述了一个在8 GHz下基于AlGaN/GaN HEMT功率放大器HMIC的设计、制备与测试。该电路包含了1个10×100μm的AlGaN/GaN HEMT和输入输出匹配电路。在偏置条件为VDS=40 V、IDS=0.16 A时输出连续波饱和功率在8GHz达到36.5 dBm(4.5 W),PAE为6...; 关键词：ALGAN/GANHEMT 内匹配混合集成电路功率放大器

Post-Gate Process Annealing Effects of Recessed AlGaN/GaN HEMTs被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第12期2326-2330,共5页刘果果黄俊魏珂刘新宇和致经; supported by the State Key Development Programfor Basic Research of China(No.2002CB311903);the Key Innovation Program of the Chinese Academy of Sciences(No.KGCX2-S W-107)~~; This paper focuses on how to reduce the gate leakage current caused by plasma dry etching. X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） is employed to measure the AlGaN surface before and after etching. N vacancies are in...; 关键词：GAN dry etching gate leakage ANNEALING N vacancy

AlGaN/GaN HEMTs器件布局对器件性能影响分析被引量：2: 《电子器件》2008年第6期1769-1771,1775,共4页刘果果魏珂郑英奎刘新宇和致经; 国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB311903);中国科学院重点创新资助项目(KGCX2-SW-107); 比较了空气桥跨细栅和空气桥跨栅总线两种源连接结构的1 mm AlGaN/GaN HEMTs器件的特性,对两种结构的管芯进行了等效电路参数提取。测试了两种布局方式下的不同源场板结构器件的射频以及功率性能,比较分析表明,空气桥跨细栅的源连接方...; 关键词：ALGAN/GAN HEMT 器件布局寄生参数空气桥

AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2008年第7期1387-1390,共4页冯春王晓亮王新华肖红领王翠梅胡国新冉军学王军喜; 中国科学院知识创新工程(批准号:YYYJ-0701-02);国家自然科学基金(批准号:60576046;60606002);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903;2006CB604905;513270505)资助项目~~; 研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于CO的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的CO的响应情况;测试并分析了1%CO在50和100℃下响应度的差异,计算了通入1...; 关键词：ALGAN/GAN CO 传感器

Characterization and Reliability of Thin Film Resistors for MMICs Application Based on AlGaN/GaN HEMTs: 《Journal of Semiconductors》2008年第7期1246-1248,共3页姚小江蒲颜刘新宇吴伟超; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2-S W-107)资助项目~~; Tantalum nitride （TAN） and nichrome （NiCr） are the two most common materials used as thin film resistors （TFR） for monolithic microwave integrated circuits （MMIC） based on AlGaN/GaN high electron mobility tran...; 关键词：TAN NICR TFR RELIABILITY MMIC

8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第7期1354-1356,共3页刘果果郑英奎魏珂李诚瞻刘新宇和致经; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2-SW-107)资助项目~~; 报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMTX波段功率器件的研究进展.利用国产衬底以及外延材料,优化了器件栅场板的结构,研制成功栅长0.35μm,栅宽为1mm的微波功率器件.该器件输出电流密度达到0.83A/mm,击穿电压大于100V,跨导为2...; 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管微波功率栅场板

Carbon-Induced Deep Traps Responsible for Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs: 《Journal of Semiconductors》2008年第6期1066-1069,共4页庞磊李诚瞻王冬冬黄俊曾轩刘新宇刘键郑英奎和致经; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号: KGCX2-SW-107)资助项目~~; Although outstanding microwave power performance of AlGaN/GaN HEMTs has been reported,drain current collapse is still a problem. In this paper,an experiment was carried out to demonstrate one factor causing the collap...; 关键词：AlGaN/GaN HEMT current collapse carbon impurity deep trap

具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性: 《Journal of Semiconductors》2008年第3期554-558,共5页魏珂刘新宇和致经吴德馨; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903;G20000683);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2-SW-107)资助项目~~; 研制成功具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT器件,对源场板、栅场板器件的性能进行了分析.场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电,提高了肖特基反向击穿电压.源漏间距4μm的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上,肖特基反向漏电由37...; 关键词：ALGAN/GAN 高迁移率晶体管肖特基特性击穿电压场板结构

国家重点基础研究发展计划(2002CB311903)