气相淀积

作品数：297被引量：495H指数：8
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：张荣韩平郑有炓谢自力王荣华更多>>
相关机构：南京大学西安电子科技大学中国科学院复旦大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 基金=国家重点基础研究发展计划x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
CFD模拟RPCVD的正交法优化设计与分析被引量：3
《西安电子科技大学学报》2013年第4期72-78,共7页戴显英 郭静静 邵晨峰 郑若川 郝跃 
国家重点基础研究(973)资助项目(6139801-1)
采用正交法对减压化学气相淀积生长SiGe材料的多因素、多水平计算流体动力学模拟进行优化设计.采用FLUENT软件,对正交优化设计的试验进行了密度、速度及压强分布的模拟.对生长表面9点位置处的模拟结果进行了极差和方差分析,得到了最终...
关键词：正交法 计算流体动力学 减压化学气相淀积 锗硅 
InN的光致发光特性研究被引量：3
《物理学报》2013年第11期492-495,共4页王健 谢自力 张荣 张韵 刘斌 陈鹏 韩平 
国家重点基础研究发展计划(2011CB301900;2012CB619304);国家高技术研究发展计划(2011AA03A103);国家自然科学基金(60990311;60820106003;60906025;60936004;61176063);江苏省自然科学基金(BK2008019;BK2011010;BK2010385;BK2009255;BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金资助的课题~~
研究了利用金属有机化学气相淀积生长的氮化铟薄膜的光致发光特性.由于氮化铟本身具有很高的背景载流子浓度,费米能级在导带之上,通过能带关系图以及相关公式拟合光致发光图谱可以得到生长的氮化铟的带隙为0.67eV,并且可以计算出相应的...
关键词：氮化铟 金属有机化学气相淀积 光致发光 载流子浓度 
弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真被引量：1
《西安电子科技大学学报》2012年第5期186-191,共6页戴显英 郑若川 郭静静 张鹤鸣 郝跃 邵晨峰 吉瑶 杨程 
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(6139801-1)
基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了...
关键词：弛豫锗硅 减压化学气相淀积 计算流体动力学模型 密度分布 
梯度掺杂生长绒面结构ZnO:B-TCO薄膜及其特性研究被引量：2
《光电子．激光》2012年第2期280-285,共6页闫聪博 陈新亮 耿新华 张德坤 魏长春 张晓丹 赵颖 
国家"973"重点基础研究(2011CBA00705;2011CBA00706;2011CBA00707);国家高技术研究发展计划(2009AA050602);科技部国际合作(2009DFA62580);天津市应用基础及前沿技术研究计划(09JCYBJC06900);中央高校基本科研业务费专项资金(65010341)资助项目
采用新的金属有机化学气相淀积(MOCVD)-ZnO镀膜工艺技术-梯度掺杂技术生长绒面结构。研究ZnO:B-TCO薄膜。结果表明,梯度掺杂技术可有效增加薄膜晶粒尺寸和提高光散射作用。并且,梯度掺杂技术有效地提高了薄膜在近红外区域的光学透过率,...
关键词：金属有机化学气相淀积(MOCVD) 绒面结构ZnO:B薄膜 TCO 梯度掺杂技术 薄膜太阳电池 
CVD制备MB_2(M=Ti,Zr,Hf)研究进展被引量：1
《化学工程与装备》2010年第10期119-125,共7页张涛 何国球 蔡仁涛 赵小跟 
国家"九七三"重点基础研究发展规划资助项目(2007CB714705);国家自然科学基金资助项目(50771073);新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-05-0388)
MB2(M=Ti,Zr,Hf)是ⅣB族过渡金属的硼化物,化学气相淀积(CVD)是制备MB2类薄膜材料和保护涂层的最有效技术之一。对MB2类材料CVD制备的热力学进行了简要分析。阐述了反应前驱体的选择和应用。对近年来MB2类材料的CVD合成制备的最新研究...
关键词：化学气相淀积(CVD) 硼化钛(TiB2) 硼化锆(ZrB2) 硼化铪(HfB2) 
GaN核辐射探测器材料与器件研究进展被引量：6
《原子能科学技术》2010年第6期750-756,共7页陆敏 于国浩 张国光 
国家自然科学基金资助项目(10875084);江苏省自然科学基金资助项目(BK2008174);苏州市应用基础研究计划资助项目(SYJG0915);国家重点基础研究发展计划资助项目(G2009CB929300)
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况,并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算,总结了使用GaN制备核探测器对材料的基本要求。同时,根据目前的研究现状,提出了在GaN材料生长和器件制作...
关键词：GAN 核探测器 金属有机化学气相淀积 氢化物气相外延 
Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响
《中国激光》2009年第5期1205-1208,共4页葛瑞萍 韩平 吴军 王荣华 俞斐 赵红 俞慧强 谢自力 张荣 郑有炓 
国家自然科学基金(60721063);国家973计划(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004)资助课题
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C缓冲层生长温度对样品...
关键词：Ge薄膜 Si1-xGex:C缓冲层 化学气相淀积 生长温度 
AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延
《中国激光》2009年第5期1209-1213,共5页吴军 王荣华 韩平 葛瑞萍 梅琴 俞斐 赵红 谢自力 张荣 郑有炓 
国家973计划(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);国家自然科学基金(60721063)资助课题
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到...
关键词：化学气相淀积 4H—SiC薄膜 AlN/Si(111)复合衬底 异质外延 阴极荧光 
采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
《半导体技术》2008年第S1期175-178,共4页宋黎红 谢自力 张荣 刘斌 李弋 傅德颐 张曾 崔影超 修向前 韩平 施毅 郑有炓 
国家"973"重点基础研究项目(2006CB6049);国家"863"高技术研究发展计划(2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03Z411);国家自然科学基金(60721063;60676057;60731160628);江苏省创新学者攀登项目(BK2008019)
利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度...
关键词：GAN 位错 X射线衍射 有机化学气相淀积 各向异性 
MOCVD ZnO缓冲层生长与退火研究
《半导体技术》2008年第S1期337-340,共4页朱光耀 顾书林 朱顺明 
国家自然科学基金(60776013;60576017;50532100);国家"973"重点基础研究项目(2006CB92183);国家"863"高技术研究发展计划(2007AA032404)
采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的影响。结果表明,低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,从三维岛状...
关键词：氧化锌 金属有机物化学气相淀积 缓冲层 表面形貌 晶体质量 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部