气相淀积

作品数：297被引量：495H指数：8
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一种石墨烯热电器件的圆片级制备工艺
《微纳电子技术》2014年第7期458-464,共7页赵琦 张扬熙 刘冠东 高成臣 郝一龙 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2012AA041201)
石墨烯器件的规模制备是石墨烯材料从实验室研究走向市场应用的关键技术。基于大面积化学气相淀积(CVD)石墨烯,结合微加工技术,对石墨烯圆片级制备工艺进行了初步研究。优化了光学光刻和反应离子刻蚀(RIE)等工艺参数,设计了一套适用于4...
关键词：石墨烯 化学气相淀积(CVD) 圆片级 微加工技术 热电器件 
Si基稀土Er_2O_3薄膜材料特性及制备研究进展
《微纳电子技术》2011年第6期370-375,共6页陈长春 刘江峰 余本海 王林 
河南省科技计划资助项目(082300410050)
Si基Er2O3薄膜材料具有带隙宽、k值高等特点,在微电子和光电子领域具有潜在的应用价值。首先,阐述了Si基Er2O3薄膜材料的晶体结构具有多态现象,而立方晶形的Er2O3具有方铁锰矿立方结构,易制成高度择优取向的薄膜甚至单晶膜。其次,介绍...
关键词：Si基Er2O3薄膜 能带带隙 X射线光电子谱(XPS) 光学常数 金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 
900nm三叠层隧道级联激光器的结构优化研究被引量：5
《微纳电子技术》2010年第7期397-400,共4页林琳 陈宏泰 安志民 车相辉 王晶 
采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900nm的三叠层隧道级联激光器。针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等问题,分别采用δ掺杂、扩展波导等技术对激光器结构进行了优化,并通过模拟计算对隧道结耗尽区宽度进行了...
关键词：三叠层 隧道结 半导体激光器 扩展波导 金属有机化合物气相淀积 结构优化 Δ掺杂 
1.06μm大功率连续半导体激光器被引量：1
《微纳电子技术》2009年第4期209-212,共4页任永晓 陈宏泰 张世祖 杨红伟 花吉珍 
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了InGaAs/AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构,通过对不同腔长单管激光器的LIV测试获得内部参数,对单、双阱两种材料结构器件参数进行对比分析,确定了单量子阱结构作为1.06μ...
关键词：半导体激光器 金属有机化学气相淀积 电光转换效率 加速老化 内部参数 
MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究被引量：1
《微纳电子技术》2008年第11期639-642,共4页刘波 袁凤坡 尹甲运 刘英斌 冯震 冯志宏 
报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高质量的AlN、AlGaN外延材料。AlN外延膜X射线双晶衍射ω(002)面...
关键词：ALGAN 金属有机化学气相淀积 X射线衍射 原子力显微镜 透射光谱 
808nm大功率连续半导体激光器研究被引量：4
《微纳电子技术》2008年第8期444-447,共4页杜伟华 杨红伟 陈宏泰 李雅静 王薇 陈国鹰 
国家自然科学基金项目(60676035);河北省自然科学基金资助项目(F2005000084)
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了AlGaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱材料,利用该材料制成3mm宽、填充因子20%的半导体激光器阵列(版型100μm/500μm,6个发光单元),通过腔面反射率设计确定了最佳反射率,采用CS载体标准...
关键词：金属有机物化学气相淀积 压应变 半导体激光器 腔面反射率 斜率效率 
GaN基材料及其外延生长技术研究被引量：7
《微纳电子技术》2008年第3期153-157,共5页刘一兵 黄新民 刘国华 
介绍了GaN基材料的基本特性、三种主要外延生长技术(MOCVD、MBE、HVPE)、衬底材料的选择及缓冲层技术;分析得出目前存在的GaN体单晶技术不完善、外延成本高、衬底缺陷及接触电阻大等主要问题制约了研究的进一步发展;指出今后的研究重点...
关键词：氮化镓 金属有机物化学气相淀积 分子束外延 氢化物气相外延 缓冲层 
AlGaN/GaN HEMT材料外延技术研究
《微纳电子技术》2007年第4期186-189,共4页杨红伟 刘英斌 
采用低压MOCVD技术在蓝宝石和SiC衬底上生长了本征GaN和AlGaN/GaN HEMT结构材料。生长过程中采用了EpiTUNEⅡ在位监测技术,对材料生长工艺进行了模型分析以及优化控制。在获得具有良好表面形貌、晶体质量以及光荧光谱的GaN本征材料基础...
关键词：金属有机物化学气相淀积 蓝宝石 碳化硅 高电子迁移率晶体管 在位监测 
气氛对硅中砷扩散的影响
《微纳电子技术》1975年第4期53-55,共3页川舸 
掺砷氧化物方法常常用于硅中的高浓度砷扩散。从掺砷氧化膜向硅中扩散砷,通常是在氧气氛中进行扩散的。本文叙述在扩散过程中气流由氮气变为氧气以代替过去始终使用纯氧气氛的情况下,在硅表面一定深度内硅中砷浓度的增加。表1列出了气...
关键词：砷浓度 TEOS 砷氧化 气相淀积 厚度 气相沉积 氯化物 三氯化砷 
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