热载流子

作品数：305被引量：256H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郝跃孙伟锋章晓文刘斯扬陆生礼更多>>
相关机构：西安电子科技大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司东南大学电子科技大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=固体电子学研究与进展x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
LDD MOSFET热载流子退化分析及其寿命预测
《固体电子学研究与进展》2024年第4期351-356,共6页陈光前 刘伟景 刘先婷 李清华 
国家自然科学基金资助项目(52177185,62174055)。
集成电路器件密集化导致电场梯度增大和电流密度集中,加剧了热载流子效应,电热性能退化。本文聚焦热载流子注入(Hot carrier injection, HCI)效应对器件可靠性的影响问题,通过研究N型轻掺杂漏极金属氧化物半导体场效应晶体管(N-type lig...
关键词：可靠性 热载流子注入(HCI) 轻掺杂漏极(LDD) 器件退化 寿命预测 
22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第5期384-388,共5页王保顺 崔江维 郑齐文 席善学 魏莹 雷琪琪 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(11605282,11505282,11805268);中国科学青年创新促进会资助项目(2018473);中国科学院西部之光资助项目(2019-XBQNXZ-A-003)。
为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多。主要原因是鳍间的耦合作用降低了热载流子密度,使得多鳍器...
关键词：鳍式场效应晶体管 热载流子注入效应 总剂量效应 
VDMOS器件高温热载流子效应的研究
《固体电子学研究与进展》2016年第1期39-44,共6页储晓磊 高珊 李尚君 
国家核高基重大专项资助项目(2010ZX0103 0-001-001-004)
用二维器件仿真软件Silvaco-Atlas模拟了VDMOS器件工作时产热分布,观察到高温区集中分布在沟道末端及积累层区域。仿真了自加热效应情形下的输出特性曲线,图像显示曲线在达到饱和点后随漏电压增大有下降趋势。结合理论揭示了自加热效应...
关键词：垂直双扩散金属氧化物半导体 自加热效应 衬底电流 热载流子效应 
SOI NLIGBT热载流子效应研究
《固体电子学研究与进展》2012年第4期309-313,317,共6页张炜 张世峰 韩雁 吴焕挺 
SOI NLIGBT中热载流子效应分别通过直流电压的应力测试、TCAD仿真和电荷泵测试三种方法进行了研究。其中,不同直流电压应力条件下测得的衬底电流Isub和导通电阻Ron用来评估因热载流子效应引起的器件退化程度。为了进行理论分析,对器件...
关键词：绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管 热载流子效应 碰撞离化率 电荷泵 界面态 氧化层陷阱空穴 
基于电荷泵法的N-LDMOS界面态测试技术研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2009年第4期597-601,605,共6页刘斯扬 钱钦松 孙伟锋 李海松 时龙兴 
江苏省自然科学基金支持项目(项目编号:BK2008287)
详细研究了高压N-LDMOS器件的电荷泵(CP)测试技术,指出了高压N-LDMOS器件的特殊结构对其CP测试结果的影响,并解释了高压N-LDMOS器件的CP曲线不饱和的原因,同时对由于不同的源漏偏压造成的高压N-LDMOS器件CP曲线的变化进行了深入的理论...
关键词：N型横向双扩散金属氧化物晶体管 电荷泵测试 热载流子 
Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化被引量：2
《固体电子学研究与进展》2007年第1期130-133,共4页王兵冰 汪洋 黄如 张兴 
国家自然科学基金资助项目(90207004)
通过模拟和实验研究了不同的halo注入角度的NMOSFET,研究发现halo的注入角度越大,热载流子效应的退化越严重。考虑到由于热载流子的注入造成栅氧化层损伤,使器件可靠性变差,halo注入时应该采用小的倾角注入。
关键词：HALO 热载流子效应 短沟效应 漏感应势垒降低效应 N型金属-氧化物-半导体场效应晶体管 
MOSFET的热载流子损伤及其退火被引量：1
《固体电子学研究与进展》2006年第4期560-563,共4页余学峰 艾尔肯 任迪远 张国强 陆妩 郭旗 
对国内常规54HC工艺制作的PMOSFET进行了F-N热载流子注入损伤实验,研究了MOSFET跨导、阈电压等参数随热载流子注入的退化规律,特别是从微观氧化物电荷和界面态变化对阈电压影响角度,对国内外较少见报道的MOSFET热载流子损伤在室温和高温...
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 热载流子 损伤 退火 
热载流子应力下n-MOSFET线性漏电流的退化被引量：1
《固体电子学研究与进展》2006年第1期20-24,48,共6页赵要 许铭真 谭长华 
国家基础研究项目(G2000036503)资助
研究了不同沟道和栅氧化层厚度的n-M O S器件在衬底正偏压的VG=VD/2热载流子应力下,由于衬底正偏压的不同对器件线性漏电流退化的影响。实验发现衬底正偏压对沟长0.135μm,栅氧化层厚度2.5 nm器件的线性漏电流退化的影响比沟长0.25μm,...
关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管 可靠性 热载流子效应 衬底正向偏置 
深亚微米槽栅PMOS结构对抗热载流子效应的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2005年第1期23-28,113,共7页任红霞 张晓菊 郝跃 
预研项目 99J8.1.1.DZD13 2;博士点基金资助研究 80 70 110
基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 MEDICI对深亚微米槽栅 PMOS器件的结构参数 ,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响进行了研究 ,并从器件物理机制上对研究结果进行了解释。研究发现 ,随着...
关键词：深亚微米 槽栅PMOSFET 热载流子效应 结构参数 
新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究
《固体电子学研究与进展》2003年第4期400-405,共6页童建农 邹雪城 沈绪榜 
应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏...
关键词：槽栅结构 NMOSFET 热载流子效应 热载流子退化 器件特性 亚阈值特性 输出特性 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部