淀积

作品数：765被引量：1095H指数：13
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降低高k介质层微粒污染的工艺研究
《微电子学》2019年第6期878-882,共5页强毅博 明安杰 陈彦伯 何崇敏 王玮冰 
国家自然科学基金资助项目(61874137)
随着集成电路制造技术节点进一步缩减,高k介质层金属栅工艺得到广泛应用。该工艺中,减少高k介质层淀积的微粒污染对后续膜层的生长质量至关重要。采用原子层淀积法生长了高k的HfO2层。针对高k层表面容易引入微粒污染的问题,采取了改变H...
关键词：高k金属栅 原子层淀积 微粒污染 
SONOS存储器中隧穿氧化层淀积预清洗工艺研究
《微电子学》2014年第6期822-824,832,共4页张顺斌 张可钢 石艳玲 陈华伦 
国家自然科学基金青年基金资助项目(61204038)
介绍了当今业界流行的两种隧穿氧化层淀积预清洗工艺:改进的RCA预清洗工艺以及HF-last预清洗工艺。通过实验对比各自优缺点,分析差异产生的根本原因。相对于改进的RCA预清洗工艺,HF-last预清洗工艺使SONOS存储器阈值电压窗口增大约600m...
关键词：SONOS RCA HF-last 可靠性 界面态 
双层金属布线中隔离介质淀积工艺研究
《微电子学》2009年第2期272-275,共4页方圆 
隔离介质淀积是微波硅功率器件双层金属布线工艺中的核心工序。从隔离介质结构层次的选取入手,通过理论分析,选取SiO2-Si3N4两层介质为最佳隔离介质结构;着重对隔离介质淀积工艺进行深入研究。通过实验对比分析,确定芯片的隔离介质淀积...
关键词：微波功率器件 双层金属布线 隔离介质 淀积工艺 
SiC器件与电路的若干关键技术被引量：3
《微电子学》2001年第4期233-238,251,共7页詹永玲 杨银堂 
国家自然科学基金 ( 697760 2 3 ) ;教育部"跨世纪优秀人才培养基金"资助项目 ;国防科技预研基金资助项目
Si C器件可以稳定工作于高温、高频、强辐射条件下的能力已经得到证实。在许多应用领域和系统中 ,Si C已经成为进一步提高性能的理想材料。但是 ,在 Si C器件及其电路的数量按比例增长并被融入电子系统之前 ,晶体生长和器件制造等技术...
关键词：碳化硅 化学气相淀积 半导体器件 集成电路 
集成电路片内铜互连技术的发展被引量：14
《微电子学》2001年第4期239-241,共3页陈智涛 李瑞伟 
论述了铜互连取代铝互连的主要考虑 ,介绍了铜及其合金的淀积、铜图形化方法、以及铜与低介电常数材料的集成等。综述了 ULSI片内铜互连技术的发展现状。
关键词：集成电路 铜互连 铜淀积 铜图形化 
用PECVD制备掺氟氧化硅低介电常数薄膜被引量：6
《微电子学》2000年第5期347-350,共4页王鹏飞 丁士进 张卫 张剑云 王季陶 
国家自然科学基金资助!(项目编号 :6 9776 0 2 6 )
用 PECVD淀积了低介电常数的掺氟氧化硅介质薄膜 ,Si F4 的流量达到 60 sccm时 ,薄膜的相对介电常数可以降低到 3.2。对试样的 FTIR分析表明 ,薄膜中大部分的氟以 Si- F键形式存在。C- V特性测试表明 ,薄膜介电常数随氟含量的增加而减...
关键词：化学气相淀积 掺氟氧化硅 低介电常数薄膜 
先进的等离子增强化学汽相淀积系统被引量：1
《微电子学》1995年第4期52-56,共5页戴永红 
随着集成电路的制造向着高可靠和微细化方向发展，能低温生长优质薄膜的等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺越来越受到重视。它不仅能满足硅集成电路亚微米级线宽工艺的要求，而且能满足其它电子产品薄膜淀积的要求。本文着重介...
关键词：PECVD IC工艺 等离子 增强 化学汽相淀积 刻蚀 
CVD工艺尾气处理系统
《微电子学》1995年第3期35-39,共5页李晓峰 
本文就ＣＶＤ工艺尾气处理进行了详细的介绍，并着重对ＣＶＤ工艺尾气处理ＣＤＯ系统的反应机理、构造及使用进行了分析和讨论。
关键词：半导体 工艺 化学气相淀积 尾气处理 
制作硅－锗器件的超高真空化学汽相淀积工艺
《微电子学》1994年第5期70-72,共3页潘骅 
长期的研究表明，低温外延技术带来许多独特的好处，该技术能克服诸如采用常规ＣＶＤ作硅外延或离子注入所产生的随意的、不连续的掺杂剖面等缺陷。而低温外延技术的实现得益于ＵＨＶ／ＣＶＤ技术的应用，工业用的ＵＨＶ／ＣＶＤ系统已...
关键词：UHV CVD 化学汽相淀积 硅 锗 半导体器件 
高质量介质膜的淀积
《微电子学》1991年第1期75-77,共3页Peter H.Singer 刘永光 
打开一块当今集成电路的封帽,一层层剥去,就会在几个不同膜层发现CVD淀积的介质材料。首先,在钝化层,有保护芯片不受潮湿、不受灰尘影响、不被划伤的氮化硅或氮氧化合物薄膜。 再往下一点的芯片中,金属互连线之间,是二氧化硅和/或硼磷...
关键词：集成电路 介质膜 CVD淀积 
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