X射线光刻技术

作品数：17被引量：21H指数：3
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基于特殊X射线光刻技术的空心微针制备技术
《上海应用技术学院学报（自然科学版）》2015年第4期384-386,共3页李以贵 颜平 黄远 祝宁 
上海应用技术学院人才引进基金资助项目(YJ2014-03);上海应用技术学院重点学科平台资助项目(10210Q140005)
介绍了2种基于特殊X射线光刻技术的空心微针制备方法.一种为基于2次不同X射线光刻技术的制备方法,即第1次为通常意义的带掩膜板光刻,第2次为无掩膜板光刻;另一种为基于2次移动掩膜板光刻加1次通常意义的带掩膜板光刻技术的制备空心微针...
关键词：空心微针 X射线光刻 对准 
下一代光刻技术的设备被引量：7
《电子工业专用设备》2004年第10期35-38,共4页翁寿松 
下一代光刻技术是指≤32nm工艺节点的光刻技术。介绍了下一代光刻技术与设备,包括X射线光刻技术、极紫外线光刻技术和纳米压印光刻技术等。
关键词：下一代光刻技术 X射线光刻技术 极紫外线光刻技术 纳米压印光刻技术 
现代光刻技术被引量：6
《核技术》2004年第2期81-86,共6页陈大鹏 叶甜春 
作为当前集成电路制造的主流技术,光学光刻在趋近其分辨力极限的同时,面临着越来越大的挑战,即便在波前工程和分辨力增强技术的帮助下,光学光刻的分辨力也难以满足快速发展的半导体产业的技术需求。接近式 X 射线光刻技术(XRL)、散射角...
关键词：光刻 分辨力 X射线光刻技术 电子束直写 极紫外线投影光刻 离子束投影光刻 
同步辐射X射线光刻技术被引量：3
《应用光学》2001年第4期40-44,48,共6页张东平 乐德芬 胡一贯 
国家自然科学基金资助项目 (No:6 9876 0 2 6 )
同步辐射 X射线光刻 (SRXL)是本世纪超大规模集成电路 (VLSI)发展中最有希望的深亚微米图形加工技术 ,本文综述了 SRXL技术研究的现状及存在的问题 。
关键词：同步辐射 X射线 光刻技术 集成电路 
同步辐射——科技发展的有力工具
《物理通报》2000年第12期40-42,共3页梁岫如 
1 同步辐射的产生及特性同步辐射是存在于高能电子同步加速器和电子储存环中的电磁辐射现象。科学家在50年代的理论研究中描述了宇宙线中的高能电子在进入地球磁场后所产生的辐射性质,给出了辐射强度、角分布、波谱、极化等特性分析。...
关键词：同步辐射 电磁辐射现象 高能电子同步加速器 电子储存环 偏振性 同步辐射光源 X射线光刻技术 光脉冲宽度 
0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用
《功能材料与器件学报》2000年第3期182-185,共4页叶甜春 谢常青 李兵 陈大鹏 陈朝晖 赵玲莉 胥兴才 刘训春 张绵 赵静 
对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管。研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止GaAs合...
关键词：X射线光刻 PHEMT T型栅 GaAs器件制作 
深亚微米同步辐射x射线光刻技术被引量：1
《半导体情报》2000年第6期35-37,42,共4页谢常青 叶甜春 陈大鹏 赵玲莉 胥兴才 
"九五"国家科技攻关资助项目
报道了我们制作深亚微米 x射线掩模的工艺和同步辐射 x射线曝光工艺 ,并报道了我们在北京同步辐射装置 (BSRF) 3B1 A光刻束线所获得的深亚微米
关键词：X射线光刻 同步辐射 深亚微米 
X射线光刻技术的现状
《光机电信息》2000年第4期18-20,共3页徐晓峰 李雅洁 
X射线光刻技术(XRL)是刻制130nm,100nm和70nm最小尺寸图形的可行方案之一.其它候选技术还有193nmArF准分子激光光刻、电子束投影、电子束直接写入、极紫外(EUV)及离子束投影光刻等.然而,在各种技术之中,由于XRL具有良好的临界尺寸控制...
关键词：X射线光刻技术 X射线掩模 X射线步进机 
0.5μm分辨率同步辐射X射线光刻技术被引量：2
《微细加工技术》1999年第3期32-34,5,共4页谢常青 叶甜春 孙宝银 伊福廷 
报道了用 Ｘ 射线母掩模复制子掩模的工艺和用北京同步辐射装置（ Ｂ Ｓ Ｒ Ｆ）３ Ｂ Ｉ Ａ 光刻束线获得的 ０５μｍ 光刻分辨率的实验结果。
关键词：X射线光刻 分辨率 同步辐射 氮化硅薄膜 
X射线光刻技术的研究与开发进展
《电子材料与电子技术》1999年第1期67-68,共2页
关键词：光刻 X射线光刻技术 半导体器件 掩模 
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