LDMOS

作品数：423被引量：340H指数：7
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一种具有高击穿电压和低导通电阻的新型鳍状栅极LDMOS
《电子器件》2022年第1期7-12,共6页蒋志林 王旭锋 于平平 姜岩峰 
国家自然科学基金委员会项目(61774078,51802124);江苏省自然科学基金项目(BK 20180626)。
设计了一种具有新型鳍状栅极结构的LDMOS功率开关器件(FG-LDMOS),该器件在导电沟道处纵向刻蚀一组浅沟槽,再经热氧化后填充作为场板的多晶硅。鳍状栅极结构在不改变器件尺寸情况下,增大了沟道的有效宽度,增强了场板效应。通过Silvaco T...
关键词：鳍状栅极 击穿电压 比导通电阻 Silvaco TCAD 
高k介质SOI LDMOS RTS噪声测试新方法
《电子器件》2020年第1期234-238,共5页侯爱霞 
国家自然科学基金项目(51275541)。
提出了一种基于智能温控的RTS噪声测试与分析新方法。该方法利用高k栅介质SOI LDMOS边界陷阱特性,首先建立了含有俘获时间常数、发射时间常数以及噪声幅度等参数的RTS噪声模型;然后设计了RTS噪声智能温控测试系统;最后对实测RTS噪声数...
关键词：RTS噪声 SOI LDMOS 噪声模型 氧化层陷阱 自动温控 
基于负载牵引的S波段40 W LDMOS功率放大器设计被引量：4
《电子器件》2018年第3期695-697,共3页杨文琪 钟世昌 
针对LDMOS功率放大器在S波段的设计难点,介绍了基于负载牵引测试技术的LDMOS功率放大器设计方法。阐述了负载牵引的测试系统和测试原理,并对LDMOS预匹配管进行了负载牵引测试,利用测试结果设计了一个工作频率为2.7GHz^3.1 GHz的LDMOS功...
关键词：LDMOS功率放大器 负载牵引 阻抗匹配 ADS优化 S波段 
基于0.18μm工艺SOI技术60V LDMOS的设计与分析被引量：1
《电子器件》2013年第2期139-142,共4页戚帆 檀柏梅 翁坤 宋雯 
天津市科技支撑计划项目(10ZCKFGX1300)
随着功率器件尺寸的不断缩小,绝缘体上硅技术所受的关注度日益增加。在0.18μm工艺条件下基于SOI技术,运用SILVACO公司的工艺仿真(Athena)和(Atlas)器件仿真模拟软件,完成了对60 V LDMOS的设计与分析,对不同沟道管宽度的器件进行研究,...
关键词：绝缘体上硅 LDMOS 器件流片测试 器件结构 直流特性 
LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计被引量：2
《电子器件》2011年第2期176-178,共3页马立宪 李民权 
针对LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计,提出了一种快速、有效的方法。采用多节并联导纳匹配法得出宽带匹配电路的初始值后,利用ADS软件对匹配网络的S参数进行优化。仿真结果为:在频率范围为1.3 GHz～2.3 GHz内,两端口的反射系数均小于-2...
关键词：LDMOS 宽带匹配 ADS优化 多节并联导纳匹配法 
基于RESURF理论的SOI LDMOS耐压模型研究(英文)被引量：2
《电子器件》2011年第1期17-20,共4页苗田乐 李文钧 王皇 郑伟 申屠旭丹 刘军 孙玲玲 
国家自然科学基金资助(60806011)
对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sen-taurus TCAD)中,并...
关键词：SOI LDMOS 模型 RESURF TCAD 
镜像法在计算LDMOS热模型中的运用
《电子器件》2010年第3期299-302,共4页杨烨 滑育楠 孙晓红 张晓东 高怀 
计算LDMOS器件的二维温度分布,采用镜像方法从计算单指条器件的温度出发,考虑实际问题中存在的表面绝热条件以及两层介质间的连续性条件,获得单指条器件纵向温度分布函数。将所有热源在表面上点的温度进行叠加,得到多指条并联时器件的...
关键词：横向扩散金属氧化物半导体 镜像法 边界条件 MATLAB 温度分布 
新型功率器件SON-LDMOS的设计和研究
《电子器件》2009年第2期291-295,共5页高正鑫 程秀兰 
本文提出了一种新型的对称式SON LDMOS功率器件。在对器件击穿电压进行解析分析的基础上,利用SilvacoTCAD仿真软件Atals验证了漂移区设计对器件击穿电压的影响,证明了峰值击穿电压的存在。并且对比分析了SON LD-MOS与SOI LDMOS击穿电压...
关键词：SOI SON LDMOS 击穿电压 
500V体硅N-LDMOS器件的研究
《电子器件》2008年第2期508-510,515,共4页李栋良 孙伟锋 
借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4和Medici,对耐压500V的体硅N-LDMOS器件进行详细模拟。在模拟过程中,综合考虑了内场限环和场极板技术来弱化表面栅场板边缘和漏端的峰值电场,分析了场限环的长度,注入剂量等参数对耐压的影响。优化后该...
关键词：N-LDMOS 内场限环 场极板 漂移区 击穿电压 体硅 
100V体硅N-LDMOS器件研究
《电子器件》2008年第2期469-471,475,共4页许坚 孙伟峰 李海松 
为了设计一款100V体硅N-LDMOS器件,通过借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件衬底浓度、漂移区参数、金属场极板长度等与击穿电压、开态电阻之间的关系,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的100V体硅N-LDMOS最佳结构...
关键词：功率器件 漂移区 金属场极板 击穿电压 体硅 
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