高电子迁移率

作品数：658被引量：844H指数：9
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SiN钝化前的NF_3等离子体处理对AlGaN/GaN HEMT性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第12期2385-2388,共4页任春江 陈堂胜 焦刚 陈刚 薛舫时 陈辰 
研究了Si N钝化前利用感应耦合等离子体(ICP)对Al GaN/GaN HEMT表面进行NF3等离子体处理对器件性能的影响.结果表明,运用低能量的NF3等离子体处理钝化前的Al GaN/GaN HEMT表面能有效抑制器件电流崩塌,而器件直流及微波小信号特性则未受...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 NF3等离子体处理 
MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1557-1560,共4页王冲 岳远征 马晓华 郝跃 冯倩 张进城 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60736033)~~
研制出在蓝宝石衬底上制作的MOS AlGaN/GaN HEMT.器件栅长1μm,源漏间距4μm,采用电子束蒸发4nm的SiO2做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导为172mS/mm,ft和fmax分别为8.1和15.3GHz.MOS HEMT栅反向泄漏电流与未做介质...
关键词：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN 介质栅 
8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1354-1356,共3页刘果果 郑英奎 魏珂 李诚瞻 刘新宇 和致经 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2-SW-107)资助项目~~
报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMTX波段功率器件的研究进展.利用国产衬底以及外延材料,优化了器件栅场板的结构,研制成功栅长0.35μm,栅宽为1mm的微波功率器件.该器件输出电流密度达到0.83A/mm,击穿电压大于100V,跨导为2...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 微波功率 栅场板 
外加太赫兹场与磁场作用下的高电子迁移率晶体管电流特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1357-1359,共3页王立敏 曹俊诚 
国家自然科学基金(批准号:60425415;60721004);国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB310402);上海市基础研究重大项目(批准号:06dj14008)资助项目~~
外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移....
关键词：高电子迁移率晶体管 太赫兹场 磁场 响应率 
60GHz高增益宽带单片集成低噪声放大器被引量：5
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1373-1376,共4页侯阳 张健 李凌云 孙晓玮 
国家自然科学基金资助项目(批准号:07O7RGJA1001)~~
基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计和制作了一款宽带单片集成低噪声放大器.放大器设计采用四级级联的拓扑结构以获得高增益.芯片尺寸2mm×1mm.实测性能指标为：工作频段45-65GHz,增益18±1.5dB,输入驻波比小于3,输出驻波比小于2.3,直流功...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 低噪声放大器 60GHz 
单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第9期1424-1427,共4页徐静波 张海英 尹军舰 刘亮 李潇 叶甜春 黎明 
国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311901)资助项目~~
优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/In-GaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显...
关键词：单片集成 增强型 耗尽型 赝配高电子迁移率晶体管 阈值电压 
RTD/HEMT串联型RTT的设计与研制被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1107-1111,共5页齐海涛 李亚丽 张雄文 冯震 商耀辉 郭维廉 
国防科技重点实验室基金(批准号:9140C0602030603);中国博士后科学基金(批准号:20060400189)资助项目~~
依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结...
关键词：共振隧穿晶体管 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 电流峰谷比 
Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的制备及性能
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期394-397,共4页马志勇 王晓亮 胡国新 肖红领 王翠梅 冉军学 李建平 
中国科学院知识创新工程重要方向项目(批准号:KGCX2-SW-107-1),国家自然科学基金(批准号:60606002)以及国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903,2006CB604905,513270605)资助项目
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究.测试结果表明该...
关键词：ALGAN/ALN/GAN Pendell(o)sung条纹 金属有机物化学气相沉积 高电子迁移率晶体管 
凹槽栅场调制板结构AlGaN/GaN HEMT被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期398-401,共4页陈堂胜 王晓亮 焦刚 钟世昌 任春江 陈辰 李拂晓 
研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs,采用凹槽栅和场调制板结构有效抑制了器件的电流崩塌,提高了器件的击穿电压和器件的微波功率特性.研制的1mm栅宽器件在8GHz,34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB,功率附加...
关键词：宽禁带半导体 AlGaN/GaN)高电子迁移率晶体管 场板 凹槽栅 
凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期407-410,共4页陈辰 陈堂胜 任春江 薛舫时 
研究了无场调制板结构、有场调制板结构但无凹槽栅、结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaN HEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小电流崩塌现象,提高...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 场板 凹槽栅 动态测试 
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