云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- FD-SOI

FD-SOI: 作品数：44被引量：21H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：曾传滨高林春罗家俊李晓静韩郑生更多>>; 相关机构：上海功成半导体科技有限公司中国科学院中国科学院大学中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：《中国科学：信息科学》《新电脑》《今日电子》《电子产品世界》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家部委预研基金更多>>

FD-SOI器件中PMOS源漏区外延层形貌改善研究: 《集成电路应用》2024年第2期60-62,共3页方精训吕健; 阐述FD-SOI器件中SiGe-RSD形貌不规则是导致Si Cap层被金属扎穿的原因。针对这一问题,对SiGe-RSD的制备工艺进行逐层(L1/L2/L3)优化,最终制备出形貌规则、表面平整的样品。随后的接触通孔工艺环节Si Cap层未被扎穿,形成良好的合金,器件P...; 关键词：集成电路制造 FD-SOI 外延凸起源漏结构

28nm超薄体FD-SOI高温输出电流特性研究被引量：4: 《微电子学与计算机》2021年第12期75-79,共5页张颢译曾传滨李晓静闫薇薇倪涛高林春罗家俊赵发展韩郑生; 针对高温引起MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件饱和输出电流值发生退化的问题,开展了对SOI(绝缘体上硅)工艺器件的高温特性分析.结果表明FDSOI的饱和输出电流随温度变化值ΔI/I=1.9%,远小于PDSOI的ΔI/I=24.1%.其原因是超薄体...; 关键词：高温器件超薄体FDSOI 输出电流载流子迁移率

28 nm超薄体FD-SOI高温特性研究被引量：2: 《微电子学》2021年第4期577-581,共5页张颢译曾传滨李晓静高林春罗家俊韩郑生; 国家自然基金青年基金项目(61804168)。; 研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性。在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分耗尽(PD)SOI进行参数对比。结合理论分析,证明了高温下超薄体FD-SOI具有比PD-SOI更低的阈值电压漂移率和...; 关键词：高温器件阈值电压亚阈值摆幅超薄体FD-SOI

Device physics and design of FD-SOI JLFET with step-gate-oxide structure to suppress GIDL effect: 《Chinese Physics B》2021年第4期497-501,共5页Bin Wang Xin-Long Shi Yun-Feng Zhang Yi Chen Hui-Yong Hu Li-Ming Wang; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61704130);the Fund from the Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory,China(Grant No.JCKY2019210C029)。; A novel n-type junctionless field-effect transistor(JLFET) with a step-gate-oxide(SGO) structure is proposed to suppress the gate-induced drain leakage(GIDL) effect and off-state current I_(off).Introducing a 6-nm-thi...; 关键词：junctionless field-effect transistor(FET) gate-induced drain leakage(GIDL) step-gate-oxide offstate current

22nm FD-SOI 静态随机存储器的可靠性研究: 《微电子学》2021年第1期137-141,共5页贺泽蔡畅赵凯赵培雄李东青刘天奇刘杰; 国家自然科学基金资助项目(11690041)。; 针对22 nm FD-SOI CMOS工艺静态随机存储器(SRAM),研究了工艺角、工作电压、测试温度、总剂量效应对器件性能的影响。通过自动测试设备(ATE),有效地提取了FD-SOI存储器在多种测试环境下的电学性能参数。测试结果表明,不同的工艺角对输...; 关键词：全耗尽绝缘体上硅静态随机存储器可靠性

FD-SOI:为5G和AIoT保驾护航——第七届上海FD-SOI论坛在上海召开: 《中国集成电路》2019年第10期14-17,共4页黄友庚; FD-SOI作为一种特殊的半导体制造工艺,其独特的技术优势在于:第一、能够大大减小寄生电容,提高运行速度,与硅材料相比,SOI器件的频率提高了20%~35%;第二、降低了漏电,具有更低的功耗;第三、消除了闩锁效应;第四、抑制了衬底的脉冲电流干...; 关键词：上海半导体制造工艺论坛护航 5G SOI器件寄生电容运行速度

一亿颗出货量之后，FD-SOI还要翻越哪些山丘？: 《中国集成电路》2019年第10期23-26,共4页王树一; 2000年前后,胡正明教授公布FinFET(鳍式晶体管)与FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator,全耗尽型绝缘体上硅)技术,为25纳米及以下半导体工艺发展指明方向。台积电和英特尔都选择了FinFET工艺,这使其成为逻辑工艺的主流方向.; 关键词：出货量 FINFET 半导体工艺山丘绝缘体上硅晶体管耗尽型英特尔

FD-SOI技术产业链及市场简析被引量：2: 《中国集成电路》2019年第10期29-32,共4页朱雷; 超薄基体埋氧全耗尽绝缘层基硅(Ultra Thin body and BOX- Fully Depleted - silicon on insulator,UTBB-FD-SOI,以下简称FD-SOI),是一种基于两大创新来实现平面晶体管结构的工艺技术:一是,在体硅中引入了超薄的埋氧(BOX)层,作为绝缘层...; 关键词：SOI技术产业链市场晶体管设备结构芯片面积摩尔定律生产流程

0.13μm全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子效应仿真研究被引量：3: 《电子与封装》2019年第8期36-38,43,共4页花正勇马艺珂殷亚楠周昕杰陈瑶姚进周晓彬; 利用计算机辅助设计Silvaco TCAD仿真工具,研究了0.13μm全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)晶体管单粒子瞬态效应,分析了不同线性能量转移(LET)、单粒子入射位置和工作偏置状态对单粒子瞬态的影响。结果表明,LET值的增加会影响沟道电流宽度,加...; 关键词：FD-SOI 仿真辐射单粒子 LET 偏置

高k+SiO_2栅FD-SOI MOSFET阈值电压和DIBL效应的分析及建模: 《中国科学：信息科学》2019年第3期342-360,共19页万璐绪杨建国柯导明吴笛杨菲陈甜; 国家自然科学基金(批准号:61376098;61076086)资助项目; 文章提出了高k+SiO_2栅FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator) MOSFET,开发了它的二维亚阈值区前栅表面电势、阈值电压和DIBL (drain induced barrier lowing)效应计算模型.本文根据器件的结构和不同的介电常数,将亚阈值区的FD-...; 关键词：高k+SiO2栅 FD-SOI MOSFET 阈值电压 DIBL效应二维模型

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