淀积

作品数：765被引量：1095H指数：13
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LPCVD氮化硅淀积工艺铁离子沾污研究
《半导体光电》2015年第1期63-65,70,共4页廖乃镘 赵志国 阙蔺兰 向华兵 李贝 李仁豪 
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明,在氮化硅淀积工艺中,NH3和SiH2Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源。通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2Cl2气体纯度和更换传输气体的金属...
关键词：铁离子沾污 氮化硅 低压化学气相淀积 表面光电压 
原子层淀积技术应用于太阳电池的研究进展被引量：1
《半导体光电》2012年第3期307-313,360,共8页谢章熠 谢立恒 耿阳 孙清清 周鹏 卢红亮 张卫 
国家自然科学基金项目(51102048);复旦大学自主创新科研项目;复旦大学人才引进启动资金项目;ASIC与系统国家重点实验室面上项目(11MS017)
原子层淀积(ALD)是一种先进的纳米级薄膜生长技术,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景,尤其在提高太阳电池的光电转换效率方面正发挥越来越大的作用,很可能成为下一代太阳电池工艺中的重要方法。文章综述了近年来ALD技术在太阳电...
关键词：太阳电池 原子层淀积 薄膜生长 
采用不同反应气源制备的Si_3N_4薄膜的特性比较被引量：1
《半导体光电》2009年第3期408-410,共3页张故万 宋爱民 雷仁方 高燕 罗春林 伍明娟 
采用低压化学气相淀积系统,分别采用硅烷和二氯二氢硅作为反应气体源与氨气反应,制备了S3N4薄膜,并对其特性进行了比较。实验结果表明,采用二氯二氢硅源与氨气反应制备的薄膜特性优于另一种气源。讨论了使用硅烷和二氯二氢硅源分别制备S...
关键词：低压化学气相淀积 Si3N4薄膜 硅烷 二氯二氢硅 
AlGaN紫外光探测器外延材料生长研究
《半导体光电》2005年第B03期101-102,121,共3页赵红 赵文伯 周勇 杨晓波 
报道了在蓝宝石衬底上采用金属有机物化学气相淀积技术成功地生长出了GaN基紫外探测器阵列外延材料，生长的高A1组分AlxGa1-xN(x≥0．4)薄膜不裂、表面光亮。并采用X-射线双晶衍射、显微照片等方法对薄膜质量进行了表征。生长的高Al组分...
关键词：金属有机物化学气相淀积 紫外光 AlxGa1-xN薄膜 焦平面阵列 
LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析被引量：4
《半导体光电》2002年第6期421-423,共3页张顾万 龙飞 阙蔺兰 
叙述了采用LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的机理 ,分析了在淀积多晶硅薄膜过程中引起发雾的因素 ,指出了保持LPCVD系统的洁净能有效消除在淀积多晶硅薄膜过程中出现的发雾现象。
关键词：LPCVD 淀积 多晶硅 发雾 
激光增进的半导体异质结外延生长
《半导体光电》1999年第1期1-6,共6页李代宗 余金中 王启明 
国家自然科学基金
文章阐述了光辅助外延生长的基本原理，光辐射增强生长速率主要有：光分解、光催化和光的热分解三种机制；介绍其在半导体材料外延生长中的具体应用，包括降低温度、掺杂控制、原子层外延和选择性外延；分析了实验中光的作用以及对材料...
关键词：半导体薄膜 化学汽相淀积 脉冲激光淀积 光催化 光分解 
InP表面等离子体CVD淀积SiO_2膜的界面结构及C-V特性被引量：1
《半导体光电》1997年第2期135-137,共3页戴国瑞 管玉国 赵军 南金 
吉林省科委资助
报道了以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）为源，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术在ＩｎＰ表面低温生长ＳｉＯ２钝化膜。
关键词：半导体材料 半导体工艺 钝化 界面态密度 
LP－MOCVD生长InGaN单晶薄膜
《半导体光电》1996年第2期147-150,共4页童玉珍 张国义 徐自亮 党小忠 杨志坚 金泗轩 刘弘度 王舒民 
国家自然科学基金
报道了以Ａｌ２Ｏ３为衬底在ＧａＮ薄膜上ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＩｎＧａＮ单晶薄膜，并研究了ＩｎＧａＮ的生长特性。实验给出了ＩｎｘＧ１－ｘＮ合金的固相组分与汽相组分和生长温度的变化关系，并应用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、Ｘ射...
关键词：半导体薄膜 金属有机物 化学汽相淀积 外延生长 
平面型Gunn器件低温SiO_2淀积
《半导体光电》1995年第4期352-354,共3页陈定钦 徐建成 
中科院院经费资助
采用“夹层结构”的方法，在制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料上，低温（４２０～４５０℃）淀积ＳｉＯ２；并叙述了原理、工艺条件及其重要结果。
关键词：半导体器件 砷化镓 处延生长 低温淀积 
Ge_xSi_(1-x)/Si异质结长波长红外探测器
《半导体光电》1993年第1期7-12,24,共7页熊洸骏 
描述了 Ge_xSi_(1-x)/Si 异质结长波长红外探测器的基本工作原理及结构,并结合器件介绍了实现异质结生长的各种工艺,如 MBE,CVD 等。
关键词：红外探测器 异质结 化学汽相淀积 
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