光学光刻

作品数：103被引量：209H指数：8
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相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院信越化学工业株式会社四川大学更多>>
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基于光学光刻技术的PDMS微纳敏感结构薄膜加工工艺研究
《真空科学与技术学报》2020年第6期560-563,共4页章城 赵天晨 廖宁波 
浙江省自然科学基金项目(LQ20E050023);浙江省自然科学基金项目(LQ20E050004)温州市基础性工业科技项目(G20190014);国家自然科学基金项目(51202164)。
利用光学光刻技术进行多种形状规格聚二甲基硅氧烷(PDMS)微纳敏感结构的并行加工。研究了基于光学光刻技术的PDMS微纳敏感结构薄膜加工工艺,并加工出不同形状、、不同大小的PDMS微纳敏感结构。此外,对加工后的PDMS微纳敏感结构薄膜进行...
关键词：光学光刻 微纳结构 聚二甲基硅氧烷 结构薄膜 纳米技术 
EUV光刻技术的挑战被引量：2
《电子工业专用设备》2015年第5期1-12,共12页程建瑞 
光刻机的分辨率是基于瑞利分辨率公式R=k1λ/NA,提高分辨率的途径是缩短曝光光源的波长和提高投影物镜的数值孔径。目前主流市场使用的是193 nm浸没光刻机多曝光技术,已经实现16 nm技术节点的集成电路大规模生产。相对于193 nm浸没光刻...
关键词：光学光刻技术 极紫外光刻技术 EUV 双曝光技术 大规模生产 高分辨率 集成电路 光学测量技术 
纳米压印光刻技术及其发展现状
《纳米科技》2012年第3期80-81,共2页李洪珠 
纳米压印光刻技术的研究始于普林斯顿大学纳米结构实验室Stephen Y．Chou教授，是将一具有纳米图案的模版以机械力（高温、高压）在涂有高分子材料的硅基板上等比例压印复制纳米图案，其加工分辨力只与模版图案的尺寸有关，而不受光学...
关键词：光刻技术 纳米压印 纳米图案 普林斯顿大学 光学光刻 高分子材料 微光学元件 掩模版 
微光刻与微/纳米加工技术(续)被引量：6
《微纳电子技术》2011年第2期69-73,共5页陈宝钦 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB0N0604);国家自然科学基金项目(61078060);基础科研项目(B1020090022)
2下一代光刻技术 虽然光学光刻技术为微电子技术突飞猛进的发展立下了汗马功劳,创造了一次又一次的人间奇迹,然而目前集成电路特征尺寸也越来越接近物理极限。为开发研究新一代的光刻技术,近年来世界各大国和各国著名的大公司联合开展...
关键词：纳米加工技术 下一代光刻技术 微光刻 研究与开发 光学光刻技术 微电子技术 物理极限 特征尺寸 
工业界即将迎来光刻技术转变
《集成电路应用》2009年第11期20-20,共1页Ken Rygler 
世导体产业历史上最大的一次转变已经开始了。传统的光学光刻一直都是半导体产业和摩尔定律的核心，但这项技术的统治即将终结。对替代技术的权衡正如火如荼地进行着——常常也是无声无息地——其结果也正逐渐显现，看起来似乎不只是单...
关键词：光刻技术 工业界 半导体产业 摩尔定律 光学光刻 制造商 存储器 
Pixelligent新型纳米晶材料可扩展光刻技术
《材料导报》2009年第16期4-4,共1页
关键词：纳米晶材料 光刻技术 可扩展 纳米复合涂料 光学光刻 设备分辨率 股权融资 商业化 
光学光刻技术的历史演变被引量：3
《电子工业专用设备》2008年第4期28-32,共5页马建军 
简要回顾了光学光刻技术的发展历程,从IC技术节点微细化要求对光刻技术的挑战方面讨论了光学光刻技术的发展趋势及进入32nm技术节点的可能性。
关键词：光学光刻 缩小步进光刻 步进扫描光刻 浸没式光刻 双重图形光刻 
传统光学光刻的极限及下一代光刻技术被引量：7
《微纳电子技术》2008年第6期361-365,369,共6页蒋文波 胡松 
国家自然科学基金资助项目(60706005,60776029);863计划资助项目(2006AA03Z355)
分析了传统光学投影光刻分辨力的物理极限,介绍了国内外各大器件和设备厂商、科研单位等为了突破这个物理极限而做出的努力;从原理、发展状况及优缺点等几个方面对比分析了下一代光刻技术,最后对未来几十年的主流光刻技术作出了展望。...
关键词：传统光学投影光刻 分辨力 物理极限 下一代光刻 主流技术 
先进掩膜帮助延长光学光刻的寿命
《集成电路应用》2007年第11期24-28,共5页Aaron Hand 
作为光刻技术的"替罪羊",光刻掩膜版已成为光成像途径中越来越重要的一部分。随着改善的光学邻近修正(OPC)和其它分辨率增强技术(RET)的发展——包括双重图形技术的前景——掩膜版将会是保持光学光刻在商业上的地位的关键。
关键词：光学光刻 掩膜版 分辨率增强技术 寿命 光刻技术 图形技术 光成像 RET 
《半导体国际》第三届光刻技术研讨会
《集成电路应用》2007年第7期20-20,共1页
光刻作为推动半导体制造技术的关键工艺一直以来备受业界的关注。近年来，随着器件尺寸的不断缩小，作为现有光学光刻技术的延伸，浸没式光刻因其能获得更高的数值孔径而实现更高的分辨率为业界所追捧，然而在以0.15微米以上技术为主流...
关键词：光学光刻技术 技术研讨会 《半导体国际》 半导体制造业 半导体制造技术 关键工艺 器件尺寸 数值孔径 
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