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SDB: 作品数：169被引量：194H指数：7; 导出分析报告; 相关领域：医药卫生更多>>; 相关作者：熊洁许云书陈军宁任先艳杨海君更多>>; 相关机构：东南大学上海华力集成电路制造有限公司中国工程物理研究院西南科技大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目四川省非金属复合与功能材料重点实验室一省部共建国家重点实验室培育基地开放基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>

SDB-SOI制备过程中工艺控制: 《电子工业专用设备》2024年第3期20-23,共4页刘洋; SOI(Silicom-On-Insulator)晶圆是绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅晶圆。在SDB-SOI晶圆制备过程中,需要在进行晶圆键合、磨削、抛光等工序过程中,通过对键合空腔、顶硅厚度、顶硅TTV、顶硅形状、顶硅表面等参数的控制,可以降低后续工序加...; 关键词：硅晶圆绝缘衬底上硅(SOI) 键合磨削

Inhomogeneous barrier height effect on the current–voltage characteristics of an Au/n-InP Schottky diode: 《Journal of Semiconductors》2015年第12期81-86,共6页Kamal Zeghdar Lakhdar Dehimi Achour Saadoune Nouredine Sengouga; We report the current-voltage （I-V） characteristics of the Schottky diode （Au/n-InP） as a function of temperature. The SILVACO-TCAD numerical simulator is used to calculate the I-V characteristic in the tem- perat...; 关键词：simulation SDB Silvaco INP temperature I-V-T

硅-硅直接键合后硅片的机械减薄过程: 《微纳电子技术》2015年第6期402-405,共4页陈晨杨洪星何远东; 硅-硅直接键合硅片的机械减薄工艺对器件的性能有很大的影响。采用磨削、化学腐蚀和机械/化学抛光的方法对硅-硅直接键合硅片进行减薄加工,分析了减薄过程中各个工序键合片的平整度、弯曲度和翘曲度变化,并对减薄后硅片的厚度均匀性进...; 关键词：硅-硅直接键合(SDB) 机械减薄平整度弯曲度翘曲度

基于外部激活表面高温状态下的硅-硅键合被引量：1: 《微纳电子技术》2015年第5期325-328,共4页王亚彬王晓光郑丽王成杨宋尔冬; 提出了一种应用于硅-硅键合过程中表面激活的新方法,采用复合激活的方式,使预键合的硅片表面分别通过化学溶液激活和UV光激活相互结合的手段获得较高的表面态。经键合机预键合后,在高温炉中完成原子轨道重叠,实现硅-硅键合。通过镜下检...; 关键词：表面激活表面态高温退火硅-硅直接键合(SDB) 空洞键合强度

衬底硅片质量对SDB工艺的影响研究: 《天津科技》2014年第11期18-19,21,共3页张贺强; 硅-硅直接键合技术广泛应用于SOI、MEMS和电力电子器件工艺中,衬底抛光片的质量对键合质量及器件性能起着至关重要的影响。衬底抛光片的质量包含几何尺寸精度及表面状态质量,会影响键合过程中的界面应力,或造成键合界面空洞的产生,从而...; 关键词：硅片抛光片硅硅键合键合质量

SDB-SOI晶片减薄技术综述被引量：2: 《电子工业专用设备》2011年第10期33-36,共4页孙涛张伟才; 阐述了SDB-SOI晶片的减薄技术的特点和要求,依次介绍了化学机械抛光、电化学自停止腐蚀、等离子抛光技术和智能剥离技术的原理和特点,并指出了SDB-SOI晶片减薄的发展趋势。; 关键词：SDB-SOI减薄化学机械抛光电化学自停止腐蚀等离子抛光智能剥离

硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展被引量：3: 《电子器件》2005年第4期945-948,957,共5页王彩琳高勇张新; 陕西省教育厅专项科研计划项目;其编号为04JK245; 综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管...; 关键词：硅直接键合电力电子器件集成门极换流晶闸管集成门极双晶体管 MOS控制可关断晶闸管

SDB／MCT新型功率器件的研究被引量：2: 《微电子学与计算机》1995年第2期54-55,共2页唐国洪陈德英周健; 本文探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的电参数设计和工艺设计，通过计算机模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）材料，在实验室制成了ＮＭＣＴ样品。测试结果表明，在－１２Ｖ的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａ／ｃｍ２的阳...; 关键词：功率器件硅片直接键合 MCT

低温SDB技术研究及硅表面吸附态的影响被引量：2: 《Journal of Semiconductors》1994年第11期795-798,共4页焦继伟陆德仁王渭源; 机械电子工业部"八五"攻关计划资助;中国科学院重大课题;国家自然科学基金; 研究了低温（５００℃以下）硅一硅直接键合（ＳＤＢ）技术，在低至１２０℃条件下获得了优良的键合结果，其键合强度可达到１０ＭＰａ以上．结合现有ＳＩＭＳ和ＴＤＳ测试结果，研究了硅表面吸附态对ＳＤＢ的影响，并对低温ＳＤＢ的可...; 关键词：SDB 低温硅表面吸附态半导体器件

硅片直接键合技术及其应用: 《电子工艺技术》1991年第4期14-16,共3页张佐兰; 本文简要介绍硅片直接键合和它的减薄技术以及该技术在微电子学中的应用。; 关键词：硅片直接键合 SDB 键合

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