国家重点基础研究发展计划(2002CB311902)

作品数：12被引量：8H指数：2
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相关作者：刘新宇齐鸣徐安怀吴德馨金智更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院中国科学院研究生院更多>>
相关期刊：《材料导报》《红外与毫米波学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关主题：异质结双极晶体管INPINGAP/GAASINGAAS/INPINGAP更多>>
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一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文)被引量：1
《红外与毫米波学报》2009年第2期81-84,共4页金智 程伟 刘新宇 徐安怀 齐鸣 
The project is partly supported by the National Basic Research Program of China(2002CB311902)
针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有...
关键词：INP 异质结双极晶体管 高电流 高频 
考虑载流子速度和耗尽层宽度随电压变化的VBIC模型被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第11期2270-2274,共5页葛霁 金智 刘新宇 程伟 王显泰 陈高鹏 吴德馨 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)~~
针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系,建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程.将得到的渡越时间方程内嵌到VBIC...
关键词：载流子速度 耗尽层宽度 集电区渡越时间 VBIC模型 
一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1799-1803,共5页葛霁 金智 刘新宇 程伟 王显泰 陈高鹏 吴德馨 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)~~
从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型.同时针对自有工艺和器件特性,采用SDD(symbolically defined device)技术建立了一个包括碰撞电离和...
关键词：碰撞电离 温度依赖 超高速InP基SHBT SDD模型 
InGaAs/InP DHBT的基极-集电极设计被引量：2
《中国科学（E辑）》2008年第9期1521-1528,共8页金智 刘新宇 
国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2002CB311902)资助
研究了在InGaAs/InP DHBT中,组分渐变的集电极和δ掺杂浓度对Kirk电流的影响.提出了有效过渡层的概念.在组分非连续渐变的结构中,有效过渡层扩展到InGaAs的缩进层中.对不同的Kirk效应条件,给出了最大掺杂浓度、最大Kirk电流密度以及相...
关键词：INP DHBT 集电极 Kirk电流 
重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1765-1768,共4页孙浩 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 朱福英 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311902);国家自然科学基金(批准号:60676062)资助项目~~
以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的...
关键词：异质结双极晶体管 INP GAASSB 碳掺杂 气态源分子束外延 
两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期426-429,共4页林玲 徐安怀 孙晓玮 齐鸣 
国家重点基础研究规划资助项目(批准号:2002CB311902)
InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料...
关键词：异质结双极晶体管 INGAP/GAAS 直流特性 
InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期182-185,共4页齐鸣 徐安怀 艾立鹍 孙浩 朱福英 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)
通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和φ100mm InGaP/GaAs HBT外延材料.所发展的GSMBE外延技术,在A...
关键词：InP INGAP GaAs GSMBE HBT 
带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1431-1435,共5页孙浩 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 苏树兵 刘新宇 刘训春 钱鹤 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)~~
设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs...
关键词：INP/INGAAS 异质结双极晶体管 复合集电区 掺杂 势垒尖峰 
InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展被引量：2
《材料导报》2006年第12期5-7,共3页林玲 徐安怀 孙晓玮 齐鸣 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)
概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计、降低偏移电压、离子注入隔离、湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题。
关键词：异质结双极晶体管 INGAP/GAAS 微波单片集成电路 
高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT
《Journal of Semiconductors》2005年第1期92-95,共4页郑丽萍 袁志鹏 樊宇伟 孙海锋 狄浩成 王素琴 刘新宇 吴德馨 
国家重点基础研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2CB3 1190 2 );国家自然科学基金 (批准号 :60 14 60 0 1);科学院知识创新工程重要方向资助项目~~
采用发射极 基极金属自对准工艺 ,成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT .发射极尺寸为 (3μm× 15 μm)× 16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为 5 5GHz和 35GHz .在片load pull测试表明 :当工作频率为 1GHz时 ,器件工作在AB类 ,该...
关键词：功率附加效率 INGAP/GAAS 功率HBT 
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