栅介质

作品数：268被引量：261H指数：6
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高k HfLaO栅介质MoS2晶体管的性能研究被引量：1
《微电子学》2020年第4期564-568,共5页邹霁玥 汪礼胜 
国家自然科学基金资助项目(51702245)。
比较研究了HfO2与HfLaO栅介质多层MoS2场效应晶体管。实验结果表明,与HfO2栅介质MoS2晶体管相比,HfLaO栅介质MoS2晶体管表现出更优的电性能。电流开关比高达1×10^8,亚阈斜率低至76 mV/dec,界面态密度低至1.1×10^12 cm^-2·eV^-1,载流...
关键词：多层二硫化钼 氧化镧铪 场效应晶体管 高K栅介质 
NH_3等离子体处理钝化层致Ge MOS界面特性的改善被引量：1
《微电子学》2017年第3期429-432,共4页罗权 徐静平 刘璐 程智翔 黄勇 刘晓宇 
国家自然科学基金资助项目(61274112)
制备了以TaYON作为钝化层,以HfTiON作为高k栅介质的Ge MOS电容。研究了NH_3和N_2等离子体处理TaYON对界面特性的影响。结果表明,N_2和NH_3等离子体处理可以有效改善器件的界面及电性能,其中,NH_3等离子体处理的效果更好,可获得更高的k值...
关键词：高K栅介质 等离子体处理 表面钝化 界面层 
高k栅介质InGaAs MOSFET结构的设计与仿真
《微电子学》2014年第2期237-240,244,共5页朱述炎 叶青 汪礼胜 徐静平 
国家自然科学基金资助项目(61176100)
利用半导体仿真工具Silvaco TCAD,研究了高k栅介质InGaAs MOSFET的三种结构:缓冲层结构、侧墙结构和基本结构。通过对三种结构MOSFET的阈值电压、亚阈值摆幅以及漏源电流进行比较分析,得出缓冲层结构InGaAs MOSFET具有最佳的电学特性,...
关键词：MOSFET INGAAS 高K栅介质 
MOS器件栅介质层陷阱的表征方法
《微电子学》2011年第5期714-721,共8页许中广 霍宗亮 张满红 王琴 刘璟 朱晨昕 郑志威 王晨杰 刘明 
国家重点基础研究发展(973)计划基金资助项目(2010CB934200);国家自然科学基金资助项目(60825403)
随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠性的研究一直是学术界和工业界研究的重点。普遍认为,栅介质中的陷阱是引起栅介质退化乃至击穿的主要因素...
关键词：MOS器件 栅介质 可靠性 缺陷表征 界面陷阱 氧化层陷阱 
超薄高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性研究
《微电子学》2009年第4期575-579,共5页陈娟娟 徐静平 陈卫兵 
国家自然科学基金资助项目(60776016)
采用MEDICI模拟器,对高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性进行了研究。通过考虑短沟道效应和边缘场效应,着重分析了栅介质介电常数、氧化物固定电荷密度以及沟道长度等对器件阈值电压和亚阈斜率的影响,研究认为:为获得优良的电性能,栅介质的k...
关键词：Ge-pMOSFET 高K栅介质 超薄栅介质 亚阈斜率 
堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的计算模型被引量：1
《微电子学》2007年第5期636-639,643,共5页杨红官 朱家俊 喻彪 戴大康 曾云 
湖南省青年骨干教师资助项目(湘教通[2005]247号);湖南省自然科学基金资助项目(05JJ30115)
采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应,建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用该模型数值,研究了Si3N4/SiO2、Al2O3/SiO2、HfO2/SiO2和La2O3/SiO2四种堆叠栅介质结构MOS器件的栅极漏...
关键词：直接隧穿 顺序隧穿 高介电常数栅介质 MOS器件 
表面预处理对HfO_2栅介质MOS器件漏电特性的影响被引量：2
《微电子学》2006年第4期441-445,共5页许胜国 徐静平 李艳萍 陈卫兵 季峰 
国家自然科学基金资助项目(60376019);湖北省自然科学基金资助项目(2003ABA087)
采用反应磁控溅射方法,在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容。测量了器件的C-V和I-V特性,并进行了高场应力实验。器件的界面特性和栅极漏电机理分析表明,界面态和氧化物陷阱是引起大的栅极漏电流的主要...
关键词：HFO2 MOS器件 栅极漏电流 SILC效应 界面态 氧化物陷阱 
低温制备应变硅沟道MOSFET栅介质研究被引量：3
《微电子学》2005年第2期118-120,124,共4页谭静 李竞春 杨谟华 徐婉静 张静 
模拟集成电路国家重点实验室资助项目(51439010303DZ0202)
　分别对300°C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700°C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究。采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应变硅沟道PMOSFET(W/L=20μm/2μm)跨导可达45mS/mm(300K),阈值电压为1...
关键词：等离子体增强化学气相淀积 低温热氧化 栅介质 应变硅沟道 MOS器件 
深亚微米MOSFET阈值电压模型被引量：3
《微电子学》2005年第1期40-43,共4页李艳萍 徐静平 陈卫兵 邹晓 
国家自然科学基金(60376019)湖北省自然科学基金资助项目(2003ABA087)
文章在分析短沟道效应和漏致势垒降低(DIBL)效应的基础上,通过引入耦合两效应的 相关因子,建立了高k栅介质MOSFET阈值电压的器件物理模型。模拟分析了各种因素对阈值电 压漂移的影响,获得了最佳的k值范围。
关键词：MOSFET 短沟道效应 漏致势垒降低效应 高K栅介质 
SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究被引量：3
《微电子学》2001年第3期192-194,共3页李竞春 杨沛峰 杨谟华 谭开洲 何林 郑娥 
模拟集成电路国家重点实验室资助项目
为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密...
关键词：栅介质薄膜 低温制备 锗化硅 MOS器件 二氧化硅 
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