反应离子

作品数：373被引量：643H指数：11
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基于侧壁压阻式的位移传感器研制及应用
《Journal of Semiconductors》2008年第8期1589-1594,共6页孙立宁 王家畴 荣伟彬 李欣昕 
国家杰出青年基金(批准号:50725518);国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA04Z315);长江学者和创新团队发展计划资助项目~~
为了提高面内运动位移检测的灵敏度和改善侧壁压阻工艺与其他工艺间的兼容性问题,研究了一种可用于面内运动位移检测的传感器,提出了利用离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作检测梁侧壁压阻的方法.侧壁压阻式位移传感...
关键词：微机电系统 侧壁压阻 定位平台 反应离子刻蚀 位移传感器 
利用光子晶体提高InP基LED出光效率被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第5期921-925,共5页杜伟 许兴胜 孙增辉 鲁琳 高俊华 赵致民 王春霞 陈弘达 
国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA311020);国家自然科学基金(批准号:60345008;60377011)资助项目~~
应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构,并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件.在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模以及PMMA和SiO2做掩模两种方法.结果表明,不使用SiO2做掩模的情况下,由于PMMA胶选择性较差,在刻蚀过程...
关键词：光子晶体 电子束曝光 反应离子束刻蚀 LED出光效率 
PECVD SiC材料刻蚀技术
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期381-384,共4页陈晟 李志宏 张国炳 郭辉 王煜 田大宇 
北京市自然科学基金资助项目(批准号:4052017)
通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证IC...
关键词：PECVD 碳化硅 反应离子刻蚀 电感耦合离子刻蚀 氢含量 功率 
磁约束反应离子蚀刻装置的磁场优化
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期422-425,共4页敬小成 姚若河 林玉树 
广东省重大科技专项基金资助项目(批准号:A1100501)
应用有限元分析方法建立了多磁极约束磁增强型反应离子蚀刻装置内部的磁场分布模型.通过研究磁极的配置及磁化方向的调整,对蚀刻装置内部磁场的强度及其分布的均匀性进行了优化研究,获得了在兼顾蚀刻速率和蚀刻均匀性的最优工艺要求.
关键词：反应离子蚀刻 磁约束 等离子体装置 
GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1222-1225,共4页刘文楷 林世鸣 武术 朱家廉 高俊华 渠波 陆建祖 廖奇为 邓晖 陈弘达 
国家自然科学基金项目 (批准号 :6 9896 2 6 0 ;6 99370 10 )~~
采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga...
关键词：反应离子刻蚀 刻蚀速率 DBR 砷化镓 砷化铝 
测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法被引量：4
《Journal of Semiconductors》2000年第5期504-508,共5页杨恒 鲍敏杭 沈绍群 李昕欣 张大成 武国英 
国家自然科学基金!( 698760 0 9);传感器国家重点实验室资助项目
介绍了一种测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法 .硅各向异性腐蚀速率三维分布可由一系列晶面上的二维腐蚀速率分布表示 .利用深反应离子刻蚀技术 ( DRIE)在 {0 mn}硅片上制作出侧壁垂直于硅片表面的矩形槽 ,测量槽宽度在腐蚀前后的变...
关键词：硅 各向异性腐蚀 深反应离子刻蚀 速率分布 
Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术被引量：7
《Journal of Semiconductors》1999年第2期172-176,共5页陈峥 汤庭鳌 邹斯洵 
国家自然科学基金;上海市应用物理中心;AM公司基金;"863"项目资助
为制备Ａ１／ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｔｉ电容，研究了采用ＳＦ６／Ａｒ等离子体对Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３及Ｐｔ／Ｔｉ底电极进行反应离子刻蚀（ＲＩＥ）的技术．较系统地研究了ＲＦ功率，ＳＦ６／Ａｒ流量比及气压对刻蚀速率的影响，找到了对...
关键词：铁电薄膜 反应离子刻蚀 SOL-GEL法 PZT 铂/钛 
CF_4、SF_6和NF_3反应离子腐蚀硅表面粗糙度的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1993年第6期375-380,T001,T002,共8页苏毅 谭淞生 王渭源 
本文采用CF_4、SF_6和NF_3三种腐蚀气体对硅进行反应离子腐蚀,研究了腐蚀表面粗糙度与腐蚀工艺条件(气压、射频功率),附加气体和腐蚀深度等因素之间的关系。并通过SEM和Auger能谱仪分析,探讨了引起腐蚀表面粗糙的原因。
关键词：反应离子刻蚀 腐蚀工艺 表面粗糙率 
GaAs/GaAlAs反应离子刻蚀腔面激光器被引量：2
《Journal of Semiconductors》1991年第8期477-481,T001,共6页庄婉如 杨培生 陈纪瑛 李建中 
采用反应离子刻蚀GaAs/GaAlAs双异质结构激光器的一个腔面,已经获得室温下连续激射的效果,其阈电流比解理腔面高18％左右,量子效率低14％左右.
关键词：GAAS/GAALAS 离子刻蚀 腔面 激光器 
用SF_(6)-N_(2)混合气的反应离子刻蚀制作WSi_(x)微米结构
《Journal of Semiconductors》1990年第5期355-359,共5页程美乔 傅绍云 李建中 
本文报道了ESi_x在SF_6-Ar、SF_6-N_2混合气中的反应离子刻蚀(RIE)的实验结果。研究了在SF_6-N_2的混合气中刻蚀WSi_x时,气体成分、气体流量、工作气压和输入功率对刻蚀速率的影响。发现在SF_6/N_2中刻蚀WSi_x微米结构具有优越性。实验...
关键词：SF_(6)-N_(2)混合气 反应离子刻蚀 WSi_(x)微米结构 
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